磁电阻敏感传感器和操作磁电阻敏感传感器的方法

    公开(公告)号:CN117826038A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202211194967.9

    申请日:2022-09-27

    IPC分类号: G01R33/09

    摘要: 本申请涉及一种磁电阻敏感传感器及操作磁电阻敏感传感器的方法。磁电阻敏感传感器包括交换偏置结构,其包括反铁磁层和形成在反铁磁层上的铁磁层,反铁磁层通过交换偏置作用向铁磁层施加交换偏置磁场;和模式选择开关,其用于在施加给交换偏置结构的第一电流和第二电流之间切换,其中,当第一电流施加到交换偏置结构时,交换偏置结构工作在第一模式,当第二电流施加到交换偏置结构时,交换偏置结构工作在第二模式,且第一电流小于第二电流,使得第一模式具有比第二模式更大的线性工作范围,并且第二模式具有比第一模式更高的灵敏度。根据本公开的磁电阻敏感传感器及操作方法优化磁电阻敏感传感器的线性磁场范围和灵敏度等。

    一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法

    公开(公告)号:CN116184292A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310097644.6

    申请日:2023-01-19

    IPC分类号: G01R35/00 G01R35/02

    摘要: 本发明公开了一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法,该系统包括:两个三维亥姆霍兹线圈、三轴磁通门磁强计、转换电路以及控制装置;控制装置检测到三轴磁通门磁强计输出的反馈电压为零时,激励第二三维亥姆霍兹线圈产生激励磁场,采集待测磁阻多层膜在激励磁场下的输出电压,进行标定。通过嵌套两个三维亥姆霍兹线圈,并利用高灵敏度的磁通门磁强计监测地磁场干扰,通过第一三维亥姆霍兹线圈提供负反馈磁场抵消地磁场的干扰。通过第二三维亥姆霍兹线圈提供激励磁场,测试标定待测的磁阻多层膜。还可以从任意方向抵消外界地磁场的干扰,避免磁屏蔽筒的轴向屏蔽效果差的缺陷,且无需建设大型磁屏蔽室即可实现高灵敏度磁阻多层膜的标定。

    基于DOA-RBF的TMR传感器温度补偿方法及装置

    公开(公告)号:CN118068237A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410217664.7

    申请日:2024-02-27

    摘要: 本发明涉及隧穿磁电阻传感器温度补偿技术领域,公开了基于DOA‑RBF的TMR传感器温度补偿方法及装置,方法包括:基于训练集和测试集对径向基神经网络进行训练,获取输出数据;获取种群中每个个体的适应度值;将适应度值最小的个体作为超参数的全局最优解;对种群进行迭代更新;基于更新后的种群执行对径向基神经网络进行训练的步骤;在迭代更新次数大于等于阈值的情况下,获取全局最优解;通过S折交叉验证方法确定目标径向基神经网络;将TMR传感器输出电压值和温度值输入到目标径向基神经网络,获得补偿后的TMR传感器所处磁场值。本发明能够快速确定径向基神经网络中超参数的全局最优解且目标径向基神经网络的补偿精度高。