磁电阻敏感传感器和操作磁电阻敏感传感器的方法

    公开(公告)号:CN117826038A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202211194967.9

    申请日:2022-09-27

    IPC分类号: G01R33/09

    摘要: 本申请涉及一种磁电阻敏感传感器及操作磁电阻敏感传感器的方法。磁电阻敏感传感器包括交换偏置结构,其包括反铁磁层和形成在反铁磁层上的铁磁层,反铁磁层通过交换偏置作用向铁磁层施加交换偏置磁场;和模式选择开关,其用于在施加给交换偏置结构的第一电流和第二电流之间切换,其中,当第一电流施加到交换偏置结构时,交换偏置结构工作在第一模式,当第二电流施加到交换偏置结构时,交换偏置结构工作在第二模式,且第一电流小于第二电流,使得第一模式具有比第二模式更大的线性工作范围,并且第二模式具有比第一模式更高的灵敏度。根据本公开的磁电阻敏感传感器及操作方法优化磁电阻敏感传感器的线性磁场范围和灵敏度等。

    一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法

    公开(公告)号:CN116184292A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310097644.6

    申请日:2023-01-19

    IPC分类号: G01R35/00 G01R35/02

    摘要: 本发明公开了一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法,该系统包括:两个三维亥姆霍兹线圈、三轴磁通门磁强计、转换电路以及控制装置;控制装置检测到三轴磁通门磁强计输出的反馈电压为零时,激励第二三维亥姆霍兹线圈产生激励磁场,采集待测磁阻多层膜在激励磁场下的输出电压,进行标定。通过嵌套两个三维亥姆霍兹线圈,并利用高灵敏度的磁通门磁强计监测地磁场干扰,通过第一三维亥姆霍兹线圈提供负反馈磁场抵消地磁场的干扰。通过第二三维亥姆霍兹线圈提供激励磁场,测试标定待测的磁阻多层膜。还可以从任意方向抵消外界地磁场的干扰,避免磁屏蔽筒的轴向屏蔽效果差的缺陷,且无需建设大型磁屏蔽室即可实现高灵敏度磁阻多层膜的标定。

    基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件

    公开(公告)号:CN115968246A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202111186841.2

    申请日:2021-10-12

    IPC分类号: H10N15/20

    摘要: 本发明涉及基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件。根据一实施例,一种热电器件包括磁性多层膜结构和包围磁性多层膜结构的保护层,磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层]a、[反铁磁层/铁磁层/重金属层]b、以及[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]c中的一种或多种,铁磁层由铁磁导电材料形成,重金属层由重金属材料形成,[反铁磁层/铁磁层]a结构中的反铁磁层由包括重金属元素的反铁磁材料形成,其余结构中的反铁磁层由反铁磁材料形成,铁磁层具有面内磁矩并且被所述反铁磁层偏置在第一方向上,所述磁性多层膜结构响应于其膜层法线方向上的温度梯度,在第二方向上输出电压信号,所述第二方向基本垂直于所述第一方向。