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公开(公告)号：CN1888979A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510012023.5
申请日：2005-06-28
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
摘要： 电子束曝光过程样片步进定位误差动态补偿系统，包括CPLD逻辑电路模块(1)、X方向高速光电隔离模块(2)、Y方向高速光电隔离模块(3)、X方向16位高速高精度数模转换模块(4)、Y方向16位高速高精度数模转换模块(5)、X方向输出极性控制模块(6)、Y方向输出极性控制模块(7)、X方向衰减匹配器(8)、Y方向衰减匹配器(9)。电子束曝光过程中样片X方向位置误差信号和Y方向位置误差信号分别通过独立的16位数据线与CPLD逻辑电路模块(1)连接，经过运算和转化，最终在输出端口上得到X方向和Y方向的偏转电压信号。此信号导入到电子束曝光机的偏转线圈控制电路，控制电子束曝光机的聚焦电子束的扫描位置实现对样片步进误差的动态补偿。
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公开(公告)号：CN114678963A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210380008.X
申请日：2022-04-12
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H02J50/05
摘要： 本发明提供一种利用内部电流感应驱动的电推进装置，其包括卷绕的两层导电薄膜及间隔的绝缘薄膜、金属筒次级、导向筒以及外电路等：金属筒次级位于导向筒内部，在导向筒外卷绕两层导电薄膜，导电薄膜间有绝缘薄膜，导电薄膜和绝缘薄膜相间连续地包绕导向筒多层，外电路在两层导电薄膜的两端施加高电压，然后外电路将两层导电薄膜通过两端短接，导向筒内形成轴向的强脉冲磁场，驱动金属筒次级加速前进。本发明将传统的储能用脉冲功率电容器、发射器初级绕组及附属的机械加强结构，整合为一个零件，极大地简化了电磁推进装置，同时，又完全地利用了作为储能元件的导电薄膜在放电过程中形成的内部电流，提高了能量的利用效率。
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公开(公告)号：CN100541333C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200510012023.5
申请日：2005-06-28
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
摘要： 电子束曝光过程样片步进定位误差动态补偿系统，包括CPLD逻辑电路模块(1)、X方向高速光电隔离模块(2)、Y方向高速光电隔离模块(3)、X方向16位高速高精度数模转换模块(4)、Y方向16位高速高精度数模转换模块(5)、X方向输出极性控制模块(6)、Y方向输出极性控制模块(7)、X方向衰减匹配器(8)、Y方向衰减匹配器(9)。电子束曝光过程中样片X方向位置误差信号和Y方向位置误差信号分别通过独立的16位数据线与CPLD逻辑电路模块(1)连接，经过运算和转化，最终在输出端口上得到X方向和Y方向的偏转电压信号。此信号导入到电子束曝光机的偏转线圈控制电路，控制电子束曝光机的聚焦电子束的扫描位置实现对样片步进误差的动态补偿。
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公开(公告)号：CN103413797B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310323097.5
申请日：2013-07-29
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/473
CPC分类号： H01L24/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 一种三维结构单元组装的功率半导体模块，由多个三维结构单元（6）通过机械装配而成。一个三维结构单元的发射极通过连接端子与另外一个三维结构单元的集电极串联作为一个半桥单元，多个半桥单元并联。每个功率半导体模块的三维结构单元（6）由全控型功率半导体芯片（10a）、不控型功率半导体芯片（10b）、第一衬底（1）、第二衬底（5）组成；所述的全控型功率半导体芯片（10a）和不控型功率半导体芯片（10b）位于第一衬底（1）和第二衬底（5）之间，并列布置。全控型功率半导体芯片（10a）的栅极（10a2）位于不控型功率半导体芯片（10a）芯片边角处。所述的功率半导体模块通入绝缘冷却液体冷却。
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公开(公告)号：CN103578962A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210254539.0
申请日：2012-07-20
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/04
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C14/042
摘要： 本发明公开了一种芯片正面电极金属化的方法，包括：A、将待金属化芯片正面向上和掩膜板从下至上叠放至槽状对准框架中，使该芯片正面电极图形与掩膜板上镂空的电极图形完全对准；B、将该对准框架放置到蒸发或溅射设备样品台上进行蒸发或溅射，在该芯片正面电极图形处生成所需要的金属层。本发明同时公开了两种用于上述方法的辅助装置，均包括掩膜板和槽状对准框架。应用本发明，能够简化芯片正面电极金属化加工工艺，降低加工对操作环境的要求。
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公开(公告)号：CN103575401A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210254542.2
申请日：2012-07-20
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块的温度分布特性测试系统，包括：电源单元、控制单元、红外热像仪负载、功率半导体模块的驱动单元和上位机；所述控制单元通过电源单元为负载供电，并控制调节恒压模式下的负载电流和/或恒流模式下的负载电压，并按照上位机发送的不同实际工作状态的工作参数，通过驱动单元控制被测功率半导体模块处于不同的实际工作状态；所述上位机接收红外热像仪发送的被测功率半导体模块的温度数据，获得被测功率半导体模块的温度分布特性；并产生不同实际工作状态的工作参数，发送给控制单元。应用本发明，能够实现模拟实际工况下的实时测试，进而为功率半导体模块的布局设计提供可靠的温度数据。
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公开(公告)号：CN115540685A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211239515.8
申请日：2022-10-11
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： F41B6/00
摘要： 本发明提供一种利用内部电流做磁场增强的电推进装置，包括两对梳状电极及充满二者之间的介电层、正负极导电条、控制开关、弹药以及外电路；其中，两对梳状电极的齿相互交错，分别位于正负极导电条的左右两侧，齿之间充满介电材料。弹药在两个导电条中间，位于起始端，弹药外壳是金属导电材料且与两个导电条都有接触，左右两个梳状电极的正极和负极前后位置相反，外电路给正负梳状电极之间施加高电压，使梳状电极的正极带正电荷，梳状电极的负极带负电荷，控制开关闭合，内部电流产生的磁场叠加在具有金属外壳的弹药的电流之上，所产生的安培力驱动弹药前进。相对于传统轨道推进，本发明具有更高的推力和效率。
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公开(公告)号：CN113285480A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110551106.0
申请日：2021-05-20
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 本发明提出了一种重力发电与蓄能装置，减少了传统矿山或采石场对运输车辆和修路的投资和损耗，在完成矿石或者石料等物料运输的同时，将重力势能转化为电能，经逆变后输出到电网，在必要情况下，整个装置可以进入蓄能运行，满足大电网蓄能需求。装置包括：从山上装料点到平地卸料点的倾斜双线闭合轨道，分上行线和下行线，用以装卸物料的无动力运输车，车底装有金属导电板，或者车底本身就由金属导电板制造，可以称为车底导体板，沿轨道铺设的电磁绕组，用以接收电磁绕组发出电能并馈电到电网的逆变器等等。
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公开(公告)号：CN103579032B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210254531.4
申请日：2012-07-20
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块芯片焊接工艺的测试方法及系统、一种功率半导体模块铝线键合工艺的测试方法及系统，和包括芯片焊接工艺和铝线键合工艺测试的封装工艺的测试方法及系统。本发明用电加热器件模拟工况，通过给电加热器件施加脉冲电压/电流，和/或施加循环测试电压/电流给芯片焊接后的被测件加热，或者给铝线键合后的被测件施加工作电压/电流，和/或施加循环测试电压/电流，采用红外热像仪对被测件进行温度场分布测试；根据被测件或其铝线键合点的温度场分布情况是否有异常，确定芯片焊接工艺和/或铝线键合工艺是否有缺陷。实现了芯片焊接工艺和/或铝线键合工艺的在实际工况条件下动态监测，降低了测试成本。
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公开(公告)号：CN103579032A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210254531.4
申请日：2012-07-20
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块芯片焊接工艺的测试方法及系统、一种功率半导体模块铝线键合工艺的测试方法及系统，和包括芯片焊接工艺和铝线键合工艺测试的封装工艺的测试方法及系统。本发明用电加热器件模拟工况，通过给电加热器件施加脉冲电压/电流，和/或施加循环测试电压/电流给芯片焊接后的被测件加热，或者给铝线键合后的被测件施加工作电压/电流，和/或施加循环测试电压/电流，采用红外热像仪对被测件进行温度场分布测试；根据被测件或其铝线键合点的温度场分布情况是否有异常，确定芯片焊接工艺和/或铝线键合工艺是否有缺陷。实现了芯片焊接工艺和/或铝线键合工艺的在实际工况条件下动态监测，降低了测试成本。
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