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公开(公告)号：CN113714525B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202010456004.6
申请日：2020-05-26
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种用于金属表面纳米化的金刚石涂层刀具装置及其制备方法。该装置包括：金刚石涂层刀具组件座、螺钉、金刚石涂层刀具，金刚石涂层刀具组件座为座头与座身左右一体的组合结构，金刚石涂层刀具为圆柱段与楔形段上下一体的组合结构，金刚石涂层刀具安装于座头的凹槽内，金刚石涂层刀具的楔形段与凹槽内的楔形凹坑相对应并通过楔面紧密配合，金刚石涂层刀具的圆柱段上方与凹槽的螺纹通孔相对应，螺钉安装于凹槽的螺纹通孔，螺钉的下端穿过凹槽的螺纹通孔顶持于金刚石涂层刀具的圆柱段上表面。本发明的刀具基体为碳化钨钴硬质合金，外表面生长金刚石涂层，可以高效地对回旋体的工件表面纳米化处理。
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公开(公告)号：CN117096002A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202210523168.5
申请日：2022-05-13
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及金刚石薄膜生长领域，尤其涉及一种X射线发生器用金刚石薄膜复合靶及制作方法和应用。该复合靶包括：窗口环、金刚石薄膜层和阳极层，阳极层通过磁控溅射的方法生长在窗口环的内孔的上方、且与窗口环上表面平齐，金刚石薄膜层通过微波等离子体化学气相沉积法生长在窗口环和阳极层的上表面。本发明通过优化磁控溅射镀膜工艺和微波等离子体化学气相沉积镀膜工艺，使透射式X射线管金刚石窗口、薄膜阳极、散热层三者之间原位生长在一起，具有良好的热力学接触性能，大幅提高微焦点X射线管连续使用时的可靠性,X射线发生器用金刚石薄膜复合靶可应用在透射式微焦点X射线管中。
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公开(公告)号：CN111029467B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201911184819.7
申请日：2019-11-27
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明属于光伏器件制备领域，具体为一种钝化正型结构钙钛矿太阳能电池下界面的方法。将富勒烯衍生物分散至硫氰酸盐溶液中，配置成富勒烯衍生物/硫氰酸盐混合溶液；将富勒烯衍生物/硫氰酸盐混合溶液旋涂于表面沉积有电子传输材料的导电玻璃基片上，在60～150℃下退火1～30分钟，得到富勒烯衍生物/硫氰酸盐薄膜；将钙钛矿前驱体溶液滴于上述薄膜表面，浸渍5秒以上时间，之后启动旋涂机，滴加反极性溶剂，旋涂结束后，将基片至于加热台上，在100℃下退火2～60分钟制备钙钛矿薄膜。在钙钛矿前驱体溶液的作用下，富勒烯衍生物/硫氰酸盐薄膜中硫氰酸盐被溶解，富勒烯衍生物难溶于钙钛矿溶液中，滞留于电子传输层与钙钛矿的界面处，实现对界面缺陷的钝化。
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公开(公告)号：CN110331378A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910652012.5
申请日：2019-07-18
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/54 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备及其镀膜方法。该设备主要包括：左室插板阀、左薄膜生长室、左室水冷电极、左室热丝架、左室热丝、左室传动辊、左室支架、进出样室支架、右室支架、右室传动辊、右室热丝、右室热丝架、右室水冷电极、右薄膜生长室、右室插板阀、进样室传动辊、进出样室、基片、基片台、基片行走车。热丝采用垂直布局，在加热和镀膜过程中不会弯曲变形，与基体距离稳定，提高镀膜质量和金刚石膜的均匀性，实现连续制备金刚石薄膜，保证碳化后的灯丝不再断裂，减少重新安装灯丝、抽真空、碳化灯丝、真空室充气等辅助时间，大大提高金刚石膜的制备效率。
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公开(公告)号：CN107591457B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610536738.9
申请日：2016-07-08
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种三维(3D)树枝状结构的光电探测器及其制作方法，属于光电探测器领域。光电探测器自下而上依次有Si基底、绝缘SiO2层、3C‑SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料和金属电极。首先，利用热碳还原的方法制备3C‑SiC纳米线主干；然后，采用沉积的方法在3C‑SiC纳米线表面沉积一层ZnO种子层；再利用水热的方法在ZnO种子层上生长ZnO纳米线枝杈，形成3C‑SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料；最后，将单根3C‑SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料转移至SiO2/Si衬底，利用光刻和剥离技术在异质结材料两端镀上金属电极，既得所述光电探测器。本发明光电探测器具有更大的吸光面积和吸光范围，以及更有效的光生载流子分离率、更高的光电流增益和更快的光响应速度。
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公开(公告)号：CN109065728A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810877967.6
申请日：2018-08-03
申请人： 中国科学院金属研究所
CPC分类号： H01L51/42 , H01L51/4213
摘要： 本发明属于薄膜材料制备领域，具体为一种导电聚合物‑卤化铅钙钛矿‑导电聚合物三明治型光电薄膜的制备方法及其应用。将N型导电聚合物材料分散至卤化铅钙钛矿前驱体溶液中，将P型导电聚合物材料分散至反极性溶剂中；将N型导电聚合物/钙钛矿前驱体溶液以一定转速旋涂于基片上，待旋涂机到达指定转速后，滴加含有P型导电聚合物材料的反极性溶剂冲洗基片；旋涂结束后，将基片至于加热台上，在80～150℃下退火2～60分钟，制成导电聚合物‑卤化铅钙钛矿‑导电聚合物三明治型复合光电薄膜。这种三明治结构可以同时优化卤化铅钙钛矿材料与电子/空穴传输材料的界面，将其应用于钙钛矿太阳能电池，可获得优异的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN108198896A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711223018.8
申请日：2017-11-29
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18 , B82Y30/00
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1136 , B82Y30/00 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明属于无机半导体纳米材料技术和器件应用领域，特别是指一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法。本发明MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，自下至上依次包括栅极金属电极、Si衬底、SiO2绝缘层，SiO2绝缘层上设置单根MnWO4纳米板、源极金属电极和漏极金属电极，源极金属电极和漏极金属电极分别覆盖在单根MnWO4纳米板的两端，且形成欧姆接触。本发明通过利用微弧氧化方法，生长大面积、高产量和结晶质量优异的MnWO4纳米板，进而利用其制备背栅结构的MnWO4纳米板光敏场效应晶体管。本发明的方法工艺简单、成本低、可大规模生长高结晶质量的MnWO4纳米板材料，便于产业化推广。
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公开(公告)号：CN108118378A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710174038.4
申请日：2017-03-22
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及金属氧化物催化剂形核及控制生长、掺杂改性、环境催化净化、微弧氧化、纳米材料与纳米技术领域，具体涉及一种金属氧化物纳米催化剂原位生长及掺杂改性方法。该金属氧化物纳米催化剂原位生长及掺杂改性技术主要利用微弧氧化法在金属基底表面直接生长出金属氧化物纳米催化剂材料并对其进行掺杂改性。所制备的金属氧化物纳米催化剂结晶性好、活性面积大、材料尺寸较为均一、生长分布均匀、可用于汽车尾气处理、脱硝脱硫处理、工业废气处理、CO催化氧化及相关环境催化净化领域的应用。
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公开(公告)号：CN110331378B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201910652012.5
申请日：2019-07-18
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/54 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备及其镀膜方法。该设备主要包括：左室插板阀、左薄膜生长室、左室水冷电极、左室热丝架、左室热丝、左室传动辊、左室支架、进出样室支架、右室支架、右室传动辊、右室热丝、右室热丝架、右室水冷电极、右薄膜生长室、右室插板阀、进样室传动辊、进出样室、基片、基片台、基片行走车。热丝采用垂直布局，在加热和镀膜过程中不会弯曲变形，与基体距离稳定，提高镀膜质量和金刚石膜的均匀性，实现连续制备金刚石薄膜，保证碳化后的灯丝不再断裂，减少重新安装灯丝、抽真空、碳化灯丝、真空室充气等辅助时间，大大提高金刚石膜的制备效率。
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公开(公告)号：CN112301423A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011009578.5
申请日：2020-09-23
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/04 , C30B33/02 , B82Y5/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及金刚石加工制备领域，具体为一种一维金刚石纳米锥阵列材料的制备方法。基于微波等离子化学气相沉积方法，在(001)单晶硅或钛合金或钼衬底上生长(001)取向的高择优金刚石薄膜，采用热氧化方法在含氧气氛下600～650℃进行非晶或纳米晶刻蚀，刻蚀掉薄膜中纳米金刚石颗粒，而(001)微米晶保留下来，从而获得大面积的(001)金刚石纳米锥阵列。其中，纳米锥的长径比为4以上，尖端的曲率半径小于10nm。本发明方法具有制备工艺简单、成本低、效率高的特点。
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