公开(公告)号：CN108218253B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201810026673.2

申请日：2018-01-11

申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 ,  蚌埠兴科玻璃有限公司 ,  中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

发明人： 夏申江 ,  张山山 ,  屠友明 ,  李险峰 ,  井治 ,  沈晓晨 ,  张西涛 ,  王程 ,  张超群

IPC分类号： C03C17/36

摘要： 本发明公开一种高透可钢化三银Low‑E玻璃及其制备方法，该玻璃包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有十六个膜层，其中第一膜层为Si3N4层、第二膜层为TiO2层、第三膜层为NiCr层、第四膜层为Ag层、第五膜层为AZO层、第六膜层为Si3N4层、第七膜层为TiO2层、第八膜层为NiCr层、第九膜层为Ag层、第十膜层为AZO层、第十一膜层为Si3N4层、第十二膜层为TiO2层、第十三膜层为NiCr层、第十四膜层为Ag层、第十五膜层为AZO层、第十六膜层为Si3N4层；制备时采用磁控溅射工艺，依次溅镀十六个膜层；该玻璃膜系结构设计合理，透过率高、反射率低、辐射率小、机械加工性能好，且制备方法简单，适于大范围推广应用。

公开(公告)号：CN113149458A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110217658.8

申请日：2021-02-26

申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 ,  蚌埠兴科玻璃有限公司 ,  凯盛光伏材料有限公司

发明人： 夏申江 ,  李刚 ,  王伟健 ,  刘小雨 ,  黄海青 ,  张宽翔 ,  徐根保 ,  程海波 ,  许祥伟 ,  张鑫根

IPC分类号： C03C17/34 ,  H01L31/048

摘要： 本发明公开一种彩色光伏组件盖板玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次层叠有致密减反膜、多孔减反膜与介质层；所述致密减反膜为致密硅氧化物或者为致密混合氧化物，致密混合氧化物为任意比例的SiO2与TiO2或者任意比例的SiO2与ZrO2；致密减反膜在550nm波长时的折射率为1.45～1.8；所述多孔减反膜为多孔硅氧化物，多孔减反膜在550nm波长时的折射率为1.45～1.55；所述介质层在550nm波长时的折射率为1.85～2.5；该盖板玻璃能够确保所制备的彩色光伏组件具有外观色彩能够自由选择和变换的优点，且对光电转化率影响极小、抗紫外老化，适于大规模在光伏建筑一体化市场中应用。

公开(公告)号：CN109119494A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810934638.0

申请日：2018-08-16

申请人： 蚌埠兴科玻璃有限公司 ,  中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

发明人： 彭寿 ,  夏申江 ,  车兆华 ,  黄海青 ,  王伟健 ,  张道清 ,  周建民 ,  徐根保 ,  陈颉

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极，包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层；杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni；金属导电层为Cu或Cu合金；硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层，单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼，复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成；采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备；在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层，杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散；硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散，避免了硒和金属导电层之间的反应，确保金属导电层的稳定性。

公开(公告)号：CN105405925A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510759999.2

申请日：2015-11-10

申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 ,  蚌埠兴科玻璃有限公司 ,  蚌埠玻璃工业设计研究院

发明人： 夏申江 ,  彭寿 ,  屠友明 ,  王芸

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/203 ,  C23C14/35 ,  C23C14/22

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  C23C14/22 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0322

摘要： 一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法，其特征在于：在以铜铟镓硒高温共沉积方法来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层，然后在所述阻挡层表面磁控溅射沉积一硒化反应层，最后在该硒化反应层表面铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层；在该最后铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层的同时，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。

公开(公告)号：CN107452818A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710702156.8

申请日：2017-08-16

申请人： 蚌埠兴科玻璃有限公司 ,  中建材光电装备(太仓)有限公司 ,  蚌埠玻璃工业设计研究院

发明人： 夏申江 ,  车兆华 ,  周建民 ,  黄海青 ,  屠友明

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0749

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0749

摘要： 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极，包括由下至上依次设置的衬底、金属导电层、阻挡层、Na合金层与外保护导电层；所述阻挡层为过渡金属氮化物或氮氧化物；所述Na合金层由Na与另一种合金元素构成，Na合金层中的Na含量为2～10%摩尔比；Na合金层厚度为20～50nm；采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备；Na合金层作为Na扩散源，为铜铟镓硒光吸收层提供晶体生长需要的Na，阻挡层能够阻止Na向衬底方向扩散，同时也阻止衬底中杂质向铜铟镓硒光吸收层扩散，实现Na的精准控制，另外，阻挡层也阻止了在沉积过程中硒元素向金属导电层的扩散，避免了硒和金属导电层之间的反应，确保金属导电层在铜铟镓硒光吸收层生成过程中的稳定性。

公开(公告)号：CN105405904A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510760154.5

申请日：2015-11-10

申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 ,  蚌埠兴科玻璃有限公司 ,  蚌埠玻璃工业设计研究院

发明人： 夏申江 ,  彭寿 ,  屠友明 ,  王芸

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/0322

摘要： 本发明公开了一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法，其特征在于：在以先磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层后高温硒化来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，在磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层之前，增加两步：第一步，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层；第二步，在所述阻挡层表面磁控溅射沉积硒化反应层；所述铜铟镓金属预制层沉积于所述硒化反应层表面，并且在后续高温硒化生成铜铟镓硒光吸收层的过程中，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。

公开(公告)号：CN208507690U

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201821321117.X

申请日：2018-08-16

申请人： 蚌埠兴科玻璃有限公司 ,  中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

发明人： 彭寿 ,  夏申江 ,  车兆华 ,  黄海青 ,  王伟健 ,  张道清 ,  周建民 ,  徐根保 ,  陈颉

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/032

摘要： 本实用新型公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极，包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层；杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni；金属导电层为Cu或Cu合金；硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层，单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼，复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成；在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层，杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散；硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散，避免了硒和金属导电层之间的反应，确保金属导电层的稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN111470784A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010482732.4

申请日：2020-06-01

申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

发明人： 杨扬 ,  李刚 ,  王天齐 ,  姚婷婷 ,  金克武 ,  沈红雪 ,  彭赛奥 ,  夏申江 ,  程海波 ,  王东 ,  甘治平

IPC分类号： C03C17/34

摘要： 本发明公开一种高透过宽色系盖板玻璃，包括玻璃基板，所述玻璃基板的上表面设有微结构粗糙层，且微结构粗糙层的上表面设有Si基薄膜保护层，所述玻璃基板的下表面设有介质膜层，该盖板玻璃呈现结构色反射，且盖板玻璃近法线方向的可见光反射率≥6%，所述微结构粗糙层为凹凸的织构化结构，且凹凸的织构化结构为短程有序而长程无序排列；本发明利用微结构粗糙层使玻璃基板上表面形成短程有序、长程无序的微结构，提高了可见光的透过率，增加了通过漫反射衍射效应形成的结构色彩的饱和度；在高温大气环境下，通过玻璃基板上表面的Si基薄膜保护层能够提高盖板玻璃整体的耐磨、耐蚀性，增加对太阳光的有效透过率。

公开(公告)号：CN114394767A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202111609939.4

申请日：2021-12-27

申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

发明人： 杨扬 ,  李刚 ,  王天齐 ,  金克武 ,  彭塞奥 ,  姚婷婷 ,  王金磊 ,  夏申江 ,  程海波 ,  王东 ,  甘治平

IPC分类号： C03C17/42 ,  C03C17/25 ,  C03C17/28 ,  C03C17/245 ,  C03C15/00

摘要： 本发明公开一种降低观测角度影响的红色玻璃的制备方法，包括以下步骤：S1、采用刚性或柔性基底先通过等离子体蚀刻清洗其上、下表面，利用浸渍提拉或喷涂工艺在基底上表面预制表面电势降低层；S2、采用热喷涂工艺在预制表面电势降低层上制备微结构层；S3、采用耦合电源反应溅射工艺在基底下表面制备第一高折射率介质层；S4、采用耦合电源反应溅射工艺在第一高折射率介质层表面制备第二低折射率介质层；S5、采用耦合电源反应溅射工艺在第二低折射率介质层表面制备第三高折射率介质层；S6、采用耦合电源反应溅射工艺在第三高折射率介质层表面制备第四低折射率介质层，得到所述的降低观测角度影响的红色玻璃，本发明方法可在透明刚性、柔性基体上制备出色彩鲜艳、颜色均匀，可见光波长下透过率高，且人眼在不同角度下观测颜色变化小的红色玻璃。

公开(公告)号：CN111647868A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201910160889.2

申请日：2019-03-04

申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 ,  成都中建材光电材料有限公司 ,  中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

发明人： 彭寿 ,  夏申江 ,  傅干华 ,  殷新建

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/06

摘要： 本发明提供一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置及方法，分段破空装置包括沿基板移动方向先后设置的薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区，薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区都为真空腔室，慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低10倍以上，缓冲过渡区内设置有用于移送基板的传送机构。本申请中，通过额外设置的缓冲过渡区将薄膜沉积区和慢冷区分隔开，实现了慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低10倍以上；因此，从薄膜沉积区中移出的、沉积有半导体薄膜的基板在慢冷区内慢冷时，基板上沉积的半导体薄膜不再发生气化或升华，保证产品质量，同时还能避免材料浪费、以及污染慢冷区和慢冷区内的各机构。