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公开(公告)号：CN105405925A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510759999.2
申请日：2015-11-10
申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L21/203 , C23C14/35 , C23C14/22
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18 , C23C14/22 , C23C14/35 , H01L21/02266 , H01L21/02631 , H01L31/0322
摘要： 一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法，其特征在于：在以铜铟镓硒高温共沉积方法来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层，然后在所述阻挡层表面磁控溅射沉积一硒化反应层，最后在该硒化反应层表面铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层；在该最后铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层的同时，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。
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公开(公告)号：CN107452818A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710702156.8
申请日：2017-08-16
申请人： 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0749
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/022425 , H01L31/0749
摘要： 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极，包括由下至上依次设置的衬底、金属导电层、阻挡层、Na合金层与外保护导电层；所述阻挡层为过渡金属氮化物或氮氧化物；所述Na合金层由Na与另一种合金元素构成，Na合金层中的Na含量为2～10%摩尔比；Na合金层厚度为20～50nm；采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备；Na合金层作为Na扩散源，为铜铟镓硒光吸收层提供晶体生长需要的Na，阻挡层能够阻止Na向衬底方向扩散，同时也阻止衬底中杂质向铜铟镓硒光吸收层扩散，实现Na的精准控制，另外，阻挡层也阻止了在沉积过程中硒元素向金属导电层的扩散，避免了硒和金属导电层之间的反应，确保金属导电层在铜铟镓硒光吸收层生成过程中的稳定性。
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公开(公告)号：CN105405904A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510760154.5
申请日：2015-11-10
申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0322
摘要： 本发明公开了一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法，其特征在于：在以先磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层后高温硒化来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，在磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层之前，增加两步：第一步，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层；第二步，在所述阻挡层表面磁控溅射沉积硒化反应层；所述铜铟镓金属预制层沉积于所述硒化反应层表面，并且在后续高温硒化生成铜铟镓硒光吸收层的过程中，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。
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公开(公告)号：CN108218253B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201810026673.2
申请日：2018-01-11
申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号： C03C17/36
摘要： 本发明公开一种高透可钢化三银Low‑E玻璃及其制备方法，该玻璃包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有十六个膜层，其中第一膜层为Si3N4层、第二膜层为TiO2层、第三膜层为NiCr层、第四膜层为Ag层、第五膜层为AZO层、第六膜层为Si3N4层、第七膜层为TiO2层、第八膜层为NiCr层、第九膜层为Ag层、第十膜层为AZO层、第十一膜层为Si3N4层、第十二膜层为TiO2层、第十三膜层为NiCr层、第十四膜层为Ag层、第十五膜层为AZO层、第十六膜层为Si3N4层；制备时采用磁控溅射工艺，依次溅镀十六个膜层；该玻璃膜系结构设计合理，透过率高、反射率低、辐射率小、机械加工性能好，且制备方法简单，适于大范围推广应用。
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公开(公告)号：CN104451552A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410655071.5
申请日：2014-11-17
申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 本实发明涉及一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置。方法具体包括以下步骤：第一步，用运载气体携带半导体材料经由进料分配器均匀地分布在坩锅内底部，即进行第一级浓度分布；第二步，加热升华成气相的半导体材料同运载气体一起穿过多孔透气膜进行第二级浓度分布后，进入坩锅和致密外壳之间的空间；第三步，气相半导体材料同运载气体在坩锅和致密外壳之间的空间内完成第三级浓度分布；第四步，气相半导体材料同运载气体经致密外壳底部的出气通道进行第四级浓度分布后，沉积在表面温度比气相半导体材料温度底的所述玻璃基板的上表面上，即形成半导体薄膜。本发明显著提高了在玻璃基板上沉积形成的薄膜的厚度和质量的均匀性。
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公开(公告)号：CN104451551B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410654290.1
申请日：2014-11-17
申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： C23C14/24
摘要： 本发明涉及一种半导体薄膜真空气相沉积的连续自动进料装置。该装置包括从上至下依次布置的一上料斗、一下料斗、一原材料转移机构以及一原材料输送机构；原材料转移机构包括一上下方向的通道、设于通道内的一旋转轴以及驱动旋转轴转动的驱动装置；旋转轴垂直于通道的长度方向穿设于通道内，旋转轴的直径与通道的宽度相匹配将通道封堵，旋转轴的周向上设有至少两个凹槽，这些凹槽容积相等，并以旋转轴的轴心为中心呈对称分布；并且，在通道内旋转轴的上方设有一贴着旋转轴表面的遮挡面，该遮挡面偏于通道内旋转轴径向上的一侧，使旋转轴上部径向上的一侧敞开作为落料口，另一侧被封挡。本实施例工作可靠，整体结构简单、实现成本不高。
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公开(公告)号：CN104451551A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410654290.1
申请日：2014-11-17
申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/246
摘要： 本发明涉及一种半导体薄膜真空气相沉积的连续自动进料装置。该装置包括从上至下依次布置的一上料斗、一下料斗、一原材料转移机构以及一原材料输送机构；原材料转移机构包括一上下方向的通道、设于通道内的一旋转轴以及驱动旋转轴转动的驱动装置；旋转轴垂直于通道的长度方向穿设于通道内，旋转轴的直径与通道的宽度相匹配将通道封堵，旋转轴的周向上设有至少两个凹槽，这些凹槽容积相等，并以旋转轴的轴心为中心呈对称分布；并且，在通道内旋转轴的上方设有一贴着旋转轴表面的遮挡面，该遮挡面偏于通道内旋转轴径向上的一侧，使旋转轴上部径向上的一侧敞开作为落料口，另一侧被封挡。本实施例工作可靠，整体结构简单、实现成本不高。
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公开(公告)号：CN207303115U
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201721026913.6
申请日：2017-08-16
申请人： 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0749
摘要： 本实用新型公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极，包括由下至上依次设置的衬底、金属导电层、阻挡层、Na合金层与外保护导电层；金属导电层厚度为100～500nm、阻挡层厚度为10～80nm、Na合金层厚度为20～50nm、外保护导电层厚度为20～100nm；所述阻挡层为过渡金属氮化物或氮氧化物；外保护导电层为Mo；Na合金层作为Na扩散源，为铜铟镓硒光吸收层提供晶体生长需要的Na，阻挡层能够阻止Na向衬底方向扩散，同时也阻止衬底中杂质向铜铟镓硒光吸收层扩散，实现Na的精准控制，另外，阻挡层也阻止了在沉积过程中硒元素向金属导电层的扩散，避免了硒和金属导电层之间的反应，确保金属导电层在铜铟镓硒光吸收层生成过程中的稳定性。
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公开(公告)号：CN207250547U
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201721383664.6
申请日：2017-10-25
申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 蚌埠兴科玻璃有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本实用新型涉及一种在生产铜铟镓硒薄膜太阳能背电极中磁控溅射沉积Mo-Na合金层的装置，其特征在于：包括一真空腔室，该真空腔室内从其进口端向出口端设置有传送辊道，且真空腔室内对应于传送辊道的上方设有Mo-Na合金层磁控溅射装置；真空腔室的进口端上隔设有进口隔离单元，真空腔室的进口端经进口隔离单元连接底层Mo导电层磁控溅射室；真空腔室的出口端上隔设有出口隔离单元，真空腔室的出口端经出口隔离单元连接上层Mo导电层磁控溅射室；所述进口隔离单元和出口隔离单元至少包括一用于封断真空腔室的进口端或出口端的隔离板，该隔离板上设有用于传送的狭缝，该狭缝上封盖有门阀。
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公开(公告)号：CN204251690U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420689524.1
申请日：2014-11-17
申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： C23C14/24
摘要： 本实用新型涉及一种半导体薄膜真空气相沉积的连续自动进料装置。该装置包括从上至下依次布置的一上料斗、一下料斗、一原材料转移机构以及一原材料输送机构；原材料转移机构包括一上下方向的通道、设于通道内的一旋转轴以及驱动旋转轴转动的驱动装置；旋转轴垂直于通道的长度方向穿设于通道内，旋转轴的直径与通道的宽度相匹配将通道封堵，旋转轴的周向上设有至少两个凹槽，这些凹槽容积相等，并以旋转轴的轴心为中心呈对称分布；并且，在通道内旋转轴的上方设有一贴着旋转轴表面的遮挡面，该遮挡面偏于通道内旋转轴径向上的一侧，使旋转轴上部径向上的一侧敞开作为落料口，另一侧被封挡。本实施例工作可靠，整体结构简单、实现成本不高。
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