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公开(公告)号:CN106920768A
公开(公告)日:2017-07-04
申请号:CN201510982823.3
申请日:2015-12-24
申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号: H01L21/683 , H01J37/32
CPC分类号: H01J37/32724 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01J37/32431 , H01J37/32715
摘要: 本发明一种多区主动矩阵温控系统,该温控系统设有温控矩阵和栅极驱动器;温控矩阵包含:组成N行M列矩阵的N*M个温控模块、电源供应线、电源返回线;每个温控模块包含:温控单元,其通电加热进行温度控制;半导体开关,其设有连接栅极驱动器的栅极,其栅极触发导通或断开的两端分别连接电源供应线和经过温控单元连接至电源返回线;温控矩阵中,同一行或同一列温控模块的温控单元连接电源返回线的一端串联连接,并连接至电源返回线;同一行或同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接,并连接至电源供应线。本发明可精准对静电吸盘每个区域进行温度控制,大幅减少静电吸盘引出线的数量。
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公开(公告)号:CN107331595A
公开(公告)日:2017-11-07
申请号:CN201610277839.9
申请日:2016-04-29
申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号: H01J37/32 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要: 本发明提供一种等离子处理装置的温度校准方法,等离子处理装置内包括加热器,加热器内包括多个可控独立加热区,所述温度校准方法包括:等离子处理步骤,点燃反应腔内的等离子体对基片进行处理,同时热成像装置停止工作;在温度校准步骤中,熄灭等离子体,热成像装置对整个基片上表面的温度进行探测并获得基片表面温度分布,温度控制器比较目标工艺温度分布数据与探测获得的基片表面温度分布数据,根据比较结果控制加热驱动电路,使得基片表面温度分布符合目标工艺温度分布。
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