公开(公告)号：CN108735620A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710257592.9

申请日：2017-04-19

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 李一成 ,  彭宇霖 ,  王雅菊

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32495 ,  H01J2237/3341

摘要： 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种反应腔室。该反应腔室，所述反应腔室内部设置有基座，所述反应腔室上部设置有内衬，还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构，所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构，所述中间结构包括位于所述上连接块和所述下连接块之间、且相对所述上连接块与所述下连接块的中轴线对称设置的两条连接条，每一所述连接条包括至少一个弯曲件；所述上连接块的端面连接所述内衬的底部，所述下连接块的端面连接所述基座的接地部分。该反应腔室内衬电压分布均匀，射频回路稳定，不容易产生溅射；并且，安装过程中接地块能够产生弹性变形，吸收O型密封圈变形量以及其他加工、安装误差，从而保证内衬不变形。

公开(公告)号：CN106128931B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201610643245.5

申请日：2012-08-17

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  拉金德·丁德萨 ,  埃里克·赫德森 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01J37/32146 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069

摘要： 本发明提供了用于在脉冲等离子体室中处理衬底的实施方式。处理装置具有由板分隔的两个室，该板流体连接所述室，该处理装置包括连续波(CW)控制器、脉冲控制器，以及系统控制器。CW控制器设置用于与上电极耦合的第一射频(RF)功率源的电压和频率。脉冲控制器能操作以设置用于通过耦合到下电极的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的电压、频率、接通期间的持续时间以及断开期间的持续时间。系统控制器能操作以设置参数来调节在室之间的物质的流量以有助于负离子蚀刻，有助于中和在OFF期间的余辉过程中在晶片表面上的过量正电荷，且有助于在ON期间再激发在下室中的下部等离子体。

公开(公告)号：CN107039228A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710149550.3

申请日：2017-01-11

申请人： FEI公司

发明人： C·D·钱德勒

IPC分类号： H01J37/305

CPC分类号： H01J37/32522 ,  C23F4/00 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02689 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L39/2477 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/006

摘要： 本发明涉及带电粒子束诱导刻蚀。一种显微机械加工工艺，包括：将工件表面暴露于前驱气体，该前驱气体包括具有酸性卤化物官能团的化合物；以及在前驱气体存在的情况下用射束照射工件表面，所述前驱气体在粒子束存在的情况下发生反应以从工件表面去除材料。

公开(公告)号：CN106816393A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201510840215.9

申请日：2015-11-27

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 杨平 ,  万磊

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32871 ,  H01J37/32963 ,  H01J2237/3341 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明公开了一种基片处理方法及设备。其中，该方法包括：将基片送入由多个壁围成的反应腔内；向反应腔内通入刻蚀气体，以对基片进行刻蚀；通过设置在所述壁上的检测窗口获取反应腔内的光学信号，以确定刻蚀终点；在刻蚀过程中，在检测窗口处形成保护气流，以防止或减少刻蚀气体或刻蚀副产物到达检测窗口。本发明能够改善刻蚀终点监测的准确性和稳定性。

公开(公告)号：CN104576327A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410545803.5

申请日：2014-10-15

申请人： 纳米及先进材料研发院有限公司

发明人： 汪忠晖

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01J37/32724 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/26 ,  C23C16/517 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C23C28/046 ,  C23C28/42 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32889 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3341 ,  Y10T428/30 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

摘要： 本发明提供了无金属且低应力的类钻碳(DLC)厚膜。本发明的类钻碳层具有很广的应用范围，例如汽车涂层、疏水-亲水调节、太阳能光伏、装饰涂层、保护涂层和生物相容性涂层。本发明还提供了一种通过在同一腔室中执行沉积和等离子体蚀刻以将多于一个类钻碳层堆叠在一起而生长出无金属且低应力的类钻碳厚膜的方法和装置。

公开(公告)号：CN102376558B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201110231962.4

申请日：2011-08-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小笠原正宏 ,  加藤义之 ,  水野秀树 ,  早川欣延

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

摘要： 本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。

公开(公告)号：CN102737941A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210089311.0

申请日：2012-03-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山泽阳平

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32697 ,  H01J37/02 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3341

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在电感耦合型等离子体处理中有效且任意地控制在腔室内形成的环状等离子体内的等离子体密度分布。在该电感耦合型等离子体处理装置中，为了生成电感耦合等离子体而设置在介电窗(52)上的RF天线(54)在径向上被分割为内侧线圈(58)、中间线圈(60)和外侧线圈(62)。在设置在高频供电部(66)的高频传输路径上的第一节点NA与第二节点NB之间，对中间线圈(60)和外侧线圈(62)分别串联电连接可变的中间电容器(86)和外侧电容器(88)，对内侧线圈(58)不连接任何电抗元件。

公开(公告)号：CN105431376B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201480042006.3

申请日：2014-07-23

申请人： 3M创新有限公司

发明人： 莫塞斯·M·大卫 ,  余大华 ,  丹尼尔·S·巴特斯 ,  杰施里·塞思 ,  迈克尔·S·贝格尔 ,  卡斯腾·弗兰克 ,  塞巴斯蒂安·F·泽亨特迈尔

IPC分类号： B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC分类号： C23C16/0245 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0132 ,  C09J7/22 ,  C09J2201/606 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3341

摘要： 本发明公开了一种制备纳米结构和纳米结构化制品的方法，该方法通过以下方式：由从气态混合物进行的等离子体化学气相沉积来将层沉积到基底的主表面上同时基本上同时用反应性物质蚀刻该表面。该方法包括提供基底；将在形成为等离子体时能够将层沉积到基底上的第一气态物质与在形成为等离子体时能够蚀刻基底的第二气态物质混合，从而形成气态混合物；将气态混合物形成为等离子体；以及使基底的表面暴露于等离子体，其中表面被蚀刻，并且层被基本上同时沉积在经蚀刻的表面的至少一部分上，从而形成纳米结构。基底可为(共)聚合物材料、无机材料、合金、固溶体或它们的组合。沉积的层可以包括使用反应性气体进行的等离子体化学气相沉积的反应产物，该反应性气体包括选自以下的化合物：有机硅化合物、金属烷基化合物、金属异丙氧化物化合物、金属乙酰丙酮化物、金属卤化物以及它们的组合。可以制备具有高纵横比并且在至少一个维度上并且优选在三个正交维度上任选地具有无规维度的纳米结构。

公开(公告)号：CN104167379B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201410207252.1

申请日：2014-05-16

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 铃木英和 ,  柴垣真果 ,  关口笃史

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32385 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341

摘要： 本发明涉及蚀刻装置。所述蚀刻装置包括：能够被抽空的腔室；第一电极，被设置在腔室中，并包含被配置为支撑托盘的托盘支撑部分，所述托盘能保持多个基板并将基板加载到腔室中及从腔室卸载基板；以及电压施加单元，被配置为向第一电极施加电压。电介质板被附接于第一电极的正表面的面对基板的非目标表面的外缘部分的部分。

公开(公告)号：CN107924833A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680044815.7

申请日：2016-07-28

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 园田和广 ,  小风丰 ,  深谷亮介 ,  中野贤明

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/768

摘要： 基板处理装置(10)具备：收容基板(S)的收容部(11)；供给等离子生成用气体的气体供给部(13)；以及由等离子生成用气体生成等离子，并供给等离子至收容部(11)的等离子供给部(12)。等离子生成用气体包含氮原子及氧原子的至少一方。气体供给部(13)将等离子生成用气体供给至等离子供给部(12)，使添加气体的流量与氢气的流量之比为1/500以上。