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公开(公告)号：CN102569144B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010601640.X
申请日：2010-12-22
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/311
Abstract: 本发明提出一种通孔刻蚀方法，该方法通过两次刻蚀形成通孔，首先由第一刻蚀在有源区的源极和漏极上方制作第一通孔，接着在第一通孔露出的源极和漏极表面沉积金属硅化物；然后由第二刻蚀在金属栅极上方制作第二通孔，从而避免金属栅极表面沉积金属硅化物，形成难以去除的合金，以及湿法刻蚀金属硅化物造成的金属栅极表面损伤。
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公开(公告)号：CN102446726B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010508957.9
申请日：2010-10-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 一种金属栅极形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有替代栅结构，所述替代栅结构包括依次位于衬底上的替代栅介质层和替代栅电极层；形成覆盖所述替代栅极结构的牺牲介质层，所述牺牲介质层侧边与衬底不垂直，所述侧边的厚度沿着所述替代栅电极层增加；在替代栅极结构两侧形成源极、漏极；形成覆盖所述衬底和替代栅极结构的层间介质层，并进行平坦化处理；去除所述替代栅极结构和牺牲介质层，形成开口，所述开口具有倒梯形形状；填充所述开口，形成金属栅结构。利用本发明所提供的金属栅极形成方法可以有效改进半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102446726A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010508957.9
申请日：2010-10-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 一种金属栅极形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有替代栅结构，所述替代栅结构包括依次位于衬底上的替代栅介质层和替代栅电极层；形成覆盖所述替代栅极结构的牺牲介质层，所述牺牲介质层侧边与衬底不垂直，所述侧边的厚度沿着所述替代栅电极层增加；在替代栅极结构两侧形成源极、漏极；形成覆盖所述衬底和替代栅极结构的层间介质层，并进行平坦化处理；去除所述替代栅极结构和牺牲介质层，形成开口，所述开口具有倒梯形形状；填充所述开口，形成金属栅结构。利用本发明所提供的金属栅极形成方法可以有效改进半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN118859634A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310477742.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 中芯南方集成电路制造有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种套刻补偿方法及装置、存储介质、电子设备。所述方法包括：获取第一初始层对应的初始前馈补偿数据及反馈补偿数据；获取所述第一初始层的对准信息，并基于所述第一初始层的对准信息，确定对准方式；所述第一初始层的对准信息包括：对准层的标识信息；当对准方式为直接对准方式时，基于所述第一初始层的对准信息，得到所述第一初始层的对准补偿数据，将所述初始前馈补偿数据与所述对准补偿数据之间的差值，作为所述第一初始层的前馈补偿数据；利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿，在所述第一初始层形成相应的光刻图形。采用上述方案，可以提升套刻精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102468149B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010551239.X
申请日：2010-11-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种金属栅电极的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面形成伪栅及其侧壁；在所述伪栅两侧的半导体衬底内离子注入形成源、漏极；去除伪栅的侧壁；至少在伪栅表面沉积牺牲介质层，所述牺牲介质层在伪栅顶部边缘处形成外延的突起，并具有外倾的侧表面；在上述半导体结构的表面形成层间介质层，并平坦化所述层间介质层的表面，直至露出伪栅顶部的牺牲介质层；去除所述伪栅及其表面的牺牲介质层，形成栅极开口；填充所述栅极开口形成金属栅电极。本发明有效避免了填充形成金属栅电极产生空洞的问题。
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公开(公告)号：CN102569144A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010601640.X
申请日：2010-12-22
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/311
Abstract: 本发明提出一种通孔刻蚀方法，该方法通过两次刻蚀形成通孔，首先由第一刻蚀在有源区的源极和漏极上方制作第一通孔，接着在第一通孔露出的源极和漏极表面沉积金属硅化物；然后由第二刻蚀在金属栅极上方制作第二通孔，从而避免金属栅极表面沉积金属硅化物，形成难以去除的合金，以及湿法刻蚀金属硅化物造成的金属栅极表面损伤。
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公开(公告)号：CN102468151B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201010553697.7
申请日：2010-11-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/205 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供了一种金属栅电极的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成介电层，在所述介电层的表面形成伪栅；采用选择性外延工艺在伪栅表面形成外延层；所述外延层在伪栅顶部边缘处形成外延突起，并具有外倾的侧表面；在所述外延层的侧表面形成绝缘侧壁；在伪栅两侧的半导体衬底内进行离子注入形成源、漏极；在上述半导体结构的表面形成层间介质层，并平坦化所述层间介质层的表面，直至露出伪栅顶部的外延层；去除所述伪栅及其表面的外延层，形成栅极开口；填充所述栅极开口形成金属栅电极。本发明有效避免了填充形成金属栅电极产生空洞的问题。
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公开(公告)号：CN102468151A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010553697.7
申请日：2010-11-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/205 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供了一种金属栅电极的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成介电层，在所述介电层的表面形成伪栅；采用选择性外延工艺在伪栅表面形成外延层；所述外延层在伪栅顶部边缘处形成外延突起，并具有外倾的侧表面；在所述外延层的侧表面形成绝缘侧壁；在伪栅两侧的半导体衬底内进行离子注入形成源、漏极；在上述半导体结构的表面形成层间介质层，并平坦化所述层间介质层的表面，直至露出伪栅顶部的外延层；去除所述伪栅及其表面的外延层，形成栅极开口；填充所述栅极开口形成金属栅电极。本发明有效避免了填充形成金属栅电极产生空洞的问题。
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公开(公告)号：CN102468149A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010551239.X
申请日：2010-11-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种金属栅电极的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面形成伪栅及其侧壁；在所述伪栅两侧的半导体衬底内离子注入形成源、漏极；去除伪栅的侧壁；至少在伪栅表面沉积牺牲介质层，所述牺牲介质层在伪栅顶部边缘处形成外延的突起，并具有外倾的侧表面；在上述半导体结构的表面形成层间介质层，并平坦化所述层间介质层的表面，直至露出伪栅顶部的牺牲介质层；去除所述伪栅及其表面的牺牲介质层，形成栅极开口；填充所述栅极开口形成金属栅电极。本发明有效避免了填充形成金属栅电极产生空洞的问题。
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