公开(公告)号：CN106298477B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201510296748.5

申请日：2015-06-02

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 卢合强 ,  吴兵

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/66

摘要： 本发明提供一种离子注入角度的监测方法，包括：提供多片监测晶片；将监测晶片依次放入离子注入机内进行离子注入；监测晶片具有一定的离子注入倾斜角及晶片旋转角，且任意两片监测晶片的离子注入倾斜角及晶片旋转角中至少一者互不相等。采用热波量测离子注入完成的监测晶片的表面，以获得热波值，根据热波值判断离子注入角的准确性。本发明通过在离子注入的过程中使得不同监测晶片具有不同的离子注入倾斜角或旋转角，并将得到的监测晶片进行热波量测后进行比对分析，有效地排除了晶格偏移的影响，使得监测的结果具有更高的准确性；同时，整个监测过程只需要对六片监测晶片进行离子注入和热波量测分析，大大节省了测量的时间和测量的成本。

公开(公告)号：CN106298477A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510296748.5

申请日：2015-06-02

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 卢合强 ,  吴兵

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

摘要： 本发明提供一种离子注入角度的监测方法，包括：提供多片监测晶片；将监测晶片依次放入离子注入机内进行离子注入；监测晶片具有一定的离子注入倾斜角及晶片旋转角，且任意两片监测晶片的离子注入倾斜角及晶片旋转角中至少一者互不相等。采用热波量测离子注入完成的监测晶片的表面，以获得热波值，根据热波值判断离子注入角的准确性。本发明通过在离子注入的过程中使得不同监测晶片具有不同的离子注入倾斜角或旋转角，并将得到的监测晶片进行热波量测后进行比对分析，有效地排除了晶格偏移的影响，使得监测的结果具有更高的准确性；同时，整个监测过程只需要对六片监测晶片进行离子注入和热波量测分析，大大节省了测量的时间和测量的成本。

公开(公告)号：CN104425364A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310407726.2

申请日：2013-09-09

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 吴兵

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L27/11519 ,  H01L2221/1068

摘要： 本发明提出一种连接线的形成方法，在刻蚀层间介质层暴露出半导体衬底之后，接着在暴露出的半导体衬底表面形成接触层，对所述接触层进行退火处理，使接触层能够扩散至半导体衬底内，从而降低后续形成连接线与所述半导体衬底之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN102709162A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201110076009.7

申请日：2011-03-28

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 吴兵 ,  卢炯平 ,  何永根

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/336

摘要： 一种形成锗硅沟道以及PMOS晶体管的方法，形成PMOS晶体管的方法包括：提供基底，所述基底为硅基底或绝缘体上硅基底，所述基底上形成有浅沟槽隔离结构，相邻的浅沟槽隔离结构之间为有源区域，所述有源区域包括源极区域、漏极区域以及沟道区域；对所述沟道区域进行锗等离子体掺杂形成锗硅沟道，所述锗硅沟道的厚度为5～8nm；在所述锗硅沟道上依次形成栅介质层和栅极；对所述基底中的源极区域和漏极区域进行P型离子注入，形成源极和漏极。本技术方案利用锗等离子体对基底进行掺杂，在沟道区域形成锗硅沟道，利用锗硅的空穴高迁移率提高沟道区的形成提高器件的性能。

公开(公告)号：CN102569080A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010600601.8

申请日：2010-12-22

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 吴兵 ,  宋化龙

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28

摘要： 本发明公开了一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括衬底和位于所述衬底上的栅极；对所述半导体前端器件的衬底进行N型离子注入，用以形成NMOS器件的源漏区；对所述NMOS器件的源漏区进行硅或碳的离子注入，其中所述硅或碳的离子注入是以相对于垂直于衬底表面的方向的倾斜角度进行的；对所述半导体前端器件进行应力记忆技术处理；以及对所述半导体前端器件进行退火，用以在所述NMOS器件的源漏区表面形成自对准硅化物。根据本发明的制造NMOS半导体器件的方法，能够有效地在形成自对准多晶硅化物期间降低镍侵蚀，并防止结的漏电和源漏击穿电压的性能变差，以便提高半导体器件生产的良品率。

公开(公告)号：CN102420139A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201010299349.1

申请日：2010-09-25

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 何永根 ,  胡亚兰 ,  吴兵

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 一种MOS晶体管及其制作方法。所述MOS晶体管制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的半导体衬底以形成源漏区开口，所述源漏区开口一侧边缘与栅极结构的边缘对准，并使得半导体衬底部分露出；对所述半导体衬底进行倾斜角度的离子注入，在栅极结构边缘下方的半导体衬底中形成非晶区；在所述源漏区开口中填满源漏材料以形成源漏区；对所述半导体衬底进行退火处理。本发明的MOS晶体管在栅极结构边缘下方的半导体衬底中形成了具有应力的单晶区，所述单晶区更靠近导电沟道，从而更有效的将引入的应力作用于所述导电沟道中，所述引入的应力提高了导电沟道的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN105719969A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410734651.3

申请日：2014-12-04

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 何永根 ,  吴兵

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层顶部低于所述鳍部顶部且覆盖于鳍部的部分侧壁表面；形成覆盖于鳍部侧壁表面的侧墙层，且暴露出鳍部的顶部表面；对所述鳍部的顶部进行选择性氮化处理，将部分厚度的鳍部转化为半导体氮化层；采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述半导体氮化层，以使相邻侧墙层和剩余的鳍部之间构成开口；在所述开口内填充应力层。本发明提高开口底部平整度，从而提高形成的应力层的质量，优化鳍式场效应管的电学性能。

公开(公告)号：CN103035523B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201110298001.5

申请日：2011-09-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 何永根 ,  刘佳磊 ,  禹国宾 ,  吴兵

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283

摘要： 一种晶体管形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面的材料含硅，所述衬底表面具有栅极；在所述栅极的表面以及衬底暴露的表面形成侧墙介质层；向所述侧墙介质层掺入碳离子；掺入碳离子后，刻蚀所述侧墙介质层，形成位于栅极侧壁的掺碳的侧墙；形成所述掺碳侧墙后，在栅极两侧的衬底内形成源、漏极；在所述源、漏极表面，及栅极表面形成金属层，所述金属层含镍；对所述金属层进行退火处理，镍与衬底表面的硅以及栅极表面的硅发生反应，形成镍硅化物层。通过本发明所提供的晶体管形成方法，可以提高晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN102709162B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201110076009.7

申请日：2011-03-28

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 吴兵 ,  卢炯平 ,  何永根

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/336

摘要： 一种形成锗硅沟道以及PMOS晶体管的方法，形成PMOS晶体管的方法包括：提供基底，所述基底为硅基底或绝缘体上硅基底，所述基底上形成有浅沟槽隔离结构，相邻的浅沟槽隔离结构之间为有源区域，所述有源区域包括源极区域、漏极区域以及沟道区域；对所述沟道区域进行锗等离子体掺杂形成锗硅沟道，所述锗硅沟道的厚度为5～8nm；在所述锗硅沟道上依次形成栅介质层和栅极；对所述基底中的源极区域和漏极区域进行P型离子注入，形成源极和漏极。本技术方案利用锗等离子体对基底进行掺杂，在沟道区域形成锗硅沟道，利用锗硅的空穴高迁移率提高沟道区的形成提高器件的性能。

公开(公告)号：CN104752178A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310745197.7

申请日：2013-12-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 吴兵

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明公开了一种半导体器件的制备方法。该方法在半导体衬底上形成栅极，并在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源/漏区，再对源/漏区进行刻蚀以形成凹槽，之后对凹槽的底部和侧壁进行预非晶化注入，再进行外延生长以形成填满凹槽的非晶区域，随后进行张应力膜的沉积以及对非晶区域的固相外延再生，进而在最终形成的半导体器件的源/漏区中形成堆垛层错结构。与现有技术相比，本发明的方法同样可以在最终形成的半导体器件的源/漏区中制成堆垛层错结构，进而提升了半导体器件的性能。