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    通孔填充方法、通孔填充结构及通孔制作方法
    1.
    发明授权
    通孔填充方法、通孔填充结构及通孔制作方法 有权

    公开(公告)号：CN101359618B

    公开(公告)日：2011-12-07

    申请号：CN200710044634.7

    申请日：2007-08-05

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 靳永刚 ,  毛剑宏 ,  王孝远

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/522

    摘要： 本发明公开了一种通孔填充方法，包括，提供表面具有通孔的衬底，在所述衬底表面形成干膜，对所述干膜曝光、显影形成干膜开口，在所述干膜开口处对所述通孔进行填充。本发明还公开了一种通孔填充结构以及通孔制作方法。本发明通孔填充方法、通孔填充结构及通孔制作方法由于解决了现有技术光刻胶填入高深宽比的通孔困难以及曝光能量消耗较大的问题，从而通孔填充的效率得到了提高。

    制作微反射镜层及硅基液晶显示器的方法
    2.
    发明授权
    制作微反射镜层及硅基液晶显示器的方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN101398579B

    公开(公告)日：2010-06-09

    申请号：CN200710046809.8

    申请日：2007-09-30

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 毛剑宏 ,  王辛 ,  朱也方

    IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00

    摘要： 一种制作微反射镜层的方法，包括：提供依次包含带有焊盘沟槽的金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层的半导体衬底，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；在焊盘沟槽内填充满氧化层；去除镜面保护层及缺陷微反射镜层后，平坦化第一介质层和氧化层至露出绝缘层；在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；在金属层上形成光刻胶层，定义微反射镜层图形；以光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成微反射镜层；去除光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层。本发明还提供制作硅基液晶显示器的方法。本发明使最终形成的微反射镜层的大小一致，提高微反射镜层的质量。

    硅基液晶显示器单元及其形成方法
    3.
    发明授权
    硅基液晶显示器单元及其形成方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN100517038C

    公开(公告)日：2009-07-22

    申请号：CN200610119155.2

    申请日：2006-12-05

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 黄河 ,  蒲贤勇 ,  毛剑宏 ,  陈轶群 ,  傅静 ,  洪中山 ,  向阳辉

    IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/00

    摘要： 一种硅基液晶显示器单元，通过把位于像素开关电路层上的光屏蔽层接地，形成了由微反射微反射镜层-绝缘层-光屏蔽层所构成的金属-绝缘层-金属(MIM)第二电容器，所述第二电容器和像素开关电路层的第一电容器相并联共同作为像素开关电路层的电容，本发明还提供了一种硅基液晶显示器单元的形成方法。本发明充分利用了整个像素的面积，增大了电容，降低了硅基液晶显示器单元的刷新频率。同时，本发明也增大了开关电路的设计面积，可以根据不同需求设计高性能开关电路，增大了开关电路的设计灵活性。本发明还简化了制作电容的工序，从而降低了总的芯片制造成本。

    基于硅通孔的三维堆叠封装方法
    4.
    发明授权
    基于硅通孔的三维堆叠封装方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN101393874B

    公开(公告)日：2010-04-14

    申请号：CN200710046259.X

    申请日：2007-09-21

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 靳永刚 ,  毛剑宏 ,  朱文渊 ,  章国伟

    IPC分类号： H01L21/60

    CPC分类号： H01L2224/16145

    摘要： 本发明公开了一种基于硅通孔的三维堆叠封装方法，涉及半导体领域的集成技术。该方法包括：提供待封装的晶圆，每一晶圆具有若干焊垫；在晶圆的正面沉积阻挡层后，进行蚀刻步骤，露出晶圆上的焊垫；在对应焊垫的位置制作所述硅通孔；采用无电极电镀向硅通孔内填充金属，填充的金属一端与焊垫电性连接，另一端延伸出晶圆的背面形成连接部；采用无电极电镀在焊垫上电镀金属，电镀的金属突出晶圆正面形成连接部；利用晶圆键合设备将一晶圆正面的连接部与另一晶圆背面的连接部进行键合堆叠。与现有技术相比，本发明提供的方法通过采用无电极电镀方法向硅通孔内填充金属，简化了封装步骤，且提高了晶圆堆叠后的可靠性。

    硅基液晶显示器件及其制造和检测方法
    6.
    发明授权
    硅基液晶显示器件及其制造和检测方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN100483188C

    公开(公告)日：2009-04-29

    申请号：CN200610027586.6

    申请日：2006-06-12

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 黄河 ,  蒲贤勇 ,  毛剑宏

    IPC分类号： G02F1/13 ,  H01L21/00

    摘要： 本发明公开了一种硅基液晶显示器件及其制造和检测方法，该器件在CMOS基板内部对应每一像素单元增加了一MOS晶体管(401)以输出测试信号，并通过在工艺制造过程中在晶片表面覆盖一层辅助金属层(502)，再对该金属层与表面的反射电极(111)间形成的电容进行充、放电测试，实现了对CMOS基板整体结构的检测，提高了生产效率，降低了生产成本。

    电容器、硅基液晶显示器及制作方法
    7.
    发明授权
    电容器、硅基液晶显示器及制作方法 失效

    公开(公告)号：CN101398578B

    公开(公告)日：2011-08-17

    申请号：CN200710046497.0

    申请日：2007-09-26

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 刘伟 ,  傅静 ,  毛剑宏 ,  韩轶男

    IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L21/02

    摘要： 一种电容器的制作方法，包括下列步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有作为第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接金属垫层和覆盖光屏蔽层及连接金属垫层的绝缘层；在绝缘层上形成导电保护层；刻蚀导电保护层及绝缘层，形成露出连接金属垫层的开口；在导电保护层上形成第二金属层，其中，第二金属层作为电容器的第二电极，通过开口与连接金属垫层相电连接。本发明还提供一种电容器、硅基液晶显示器及制作方法。本发明在绝缘层上形成导电保护层，在后续光刻与刻蚀工艺中保护绝缘层，不受等离子体损伤，进而达到减小电容器漏电、提高电容器可靠性。