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公开(公告)号：CN104952810A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410114959.8
申请日：2014-03-26
摘要： 本发明涉及一种接合晶圆结构及其制备方法，所述接合晶圆的边缘设置有若干垫片区域，所述接合晶圆的边缘仅所述垫片区域中不形成图案，用于放置垫片。本发明所述接合晶圆的优点在于；（1）由于垫片区域的设置，所述垫片不会和所述金属图案接触，所述垫片选用不锈钢材料，所述垫片区域的表面为氧化物层，因此可以避免垫片粘连的问题。（2）可以进一步提高顶部接合晶圆和底部接合晶圆之间对准的精确度，以提高器件的良率。（3）由于所述垫片区域仅仅占所述晶圆的边缘很小的一部分，除垫片区域以外的地方设置有图案，起到支撑，避免了在研磨过程中发生碎裂现象，提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN104977302A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410141005.6
申请日：2014-04-09
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 本发明涉及一种深孔底部硅隐裂的检测装置及检测方法，所述方法包括：步骤（a）选用反射式红外线对所述深孔底部硅照射；步骤（b）对所述反射式红外线的反射结果进行检测，并根据所述反射结果分析所述深孔底部硅是否存在隐裂。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种深孔底部硅隐裂的检测方法，运用反射式红外线的原理（Reflective IR），可以检测vacuum对硅造成的隐裂，以更好的对所述深孔进行监控，进一步提高器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN114695554A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011642925.8
申请日：2020-12-30
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/08 , H01L21/336
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底上具有第一鳍部和第二鳍部；位于衬底上的若干第一栅极结构，第一栅极结构的侧壁上具有第一侧墙结构，第一侧墙结构沿具有第二尺寸；位于衬底上的若干第二栅极结构，第二栅极结构的侧壁上具有第二侧墙结构，第二侧墙结构沿具有第四尺寸，第四尺寸小于第二尺寸。通过增大第一侧墙结构的第二尺寸覆盖第一鳍部，使得形成的第一源漏开口的尺寸减小。当第二源漏开口内的源漏掺杂层填满时，形成在第一源漏开口内的源漏掺杂层能够填充更多的空间，减小了第一源漏开口内的源漏掺杂层在中间位置出现的凹陷，降低导电层穿透源漏掺杂层的中间部分的风险，进而提升最终形成的半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN104952810B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201410114959.8
申请日：2014-03-26
摘要： 本发明涉及一种接合晶圆结构及其制备方法，所述接合晶圆的边缘设置有若干垫片区域，所述接合晶圆的边缘仅所述垫片区域中不形成图案，用于放置垫片。本发明所述接合晶圆的优点在于；（1）由于垫片区域的设置，所述垫片不会和所述金属图案接触，所述垫片选用不锈钢材料，所述垫片区域的表面为氧化物层，因此可以避免垫片粘连的问题。（2）可以进一步提高顶部接合晶圆和底部接合晶圆之间对准的精确度，以提高器件的良率。（3）由于所述垫片区域仅仅占所述晶圆的边缘很小的一部分，除垫片区域以外的地方设置有图案，起到支撑，避免了在研磨过程中发生碎裂现象，提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN104576350B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201310504876.5
申请日：2013-10-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 一种晶圆减薄方法，包括：提供基板及晶圆，所述晶圆具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧面，所述侧面呈弧线状；沿第一表面向第二表面方向切削部分厚度的侧面，使部分厚度侧面呈竖直状；将所述晶圆第一表面与所述基板固定；对所述晶圆的第二表面进行减薄。所述晶圆减薄方法的仅对晶圆的部分弧线状侧面进行切削，切削的部分呈竖直状，竖直状侧面与所述晶圆的第一表面相连，然后将晶圆第一表面与基板固定在一起，之后切削部分的弧线状侧面，减小了每片晶圆的切削厚度，从而提高了切削效率，提高工艺效率，每次切削过程中切削工具损耗减少，增加了切削工具使用次数，提高了切削工艺的使用寿命。
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公开(公告)号：CN105826161A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510006165.4
申请日：2015-01-07
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明的晶圆减薄方法，包括：提供一玻璃晶圆；在所述玻璃晶圆上沉积一层光阻，刻蚀所述玻璃晶圆边缘区域上的所述光阻；刻蚀所述玻璃晶圆的边缘区域，所述玻璃晶圆的表面形成一中心圆盘；将所述玻璃晶圆的中心圆盘键合在一载具晶圆上；以及背面减薄所述玻璃晶圆。本发明中，采用干法刻蚀的方法先对所述玻璃晶圆的边缘区域进行刻蚀，使得边缘区域的弧度刻蚀掉一部分，形成边界较为整齐的所述中心圆盘的结构，之后将所述中心圆盘与所述载具晶圆进行键合，再对所述玻璃晶圆的背面进行减薄，使得在减薄的过程中，所述玻璃晶圆的边缘区域不会出现裂纹。本发明的晶圆减薄方法可以提高产品的良率，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN106158678A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510131035.3
申请日：2015-03-24
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供一种检测晶圆键合质量的方法，包括：提供实施晶圆键合后的晶圆，在晶圆的正面形成第一晶背保护膜；将晶圆翻转，在晶圆的背面形成第二晶背保护膜；沿着晶圆的边缘一定的距离切断第一晶背保护膜和第二晶背保护膜，形成将晶圆包裹住的气袋；对所述气袋所包裹住的晶圆进行晶圆键合质量检测。根据本发明，采用超声波扫描实施晶圆键合质量检测时，可以避免去离子水渗入晶圆边缘影响对检测结果的判断。
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公开(公告)号：CN104576350A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310504876.5
申请日：2013-10-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 一种晶圆减薄方法，包括：提供基板及晶圆，所述晶圆具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧面，所述侧面呈弧线状；沿第一表面向第二表面方向切削部分厚度的侧面，使部分厚度侧面呈竖直状；将所述晶圆第一表面与所述基板固定；对所述晶圆的第二表面进行减薄。所述晶圆减薄方法的仅对晶圆的部分弧线状侧面进行切削，切削的部分呈竖直状，竖直状侧面与所述晶圆的第一表面相连，然后将晶圆第一表面与基板固定在一起，之后切削部分的弧线状侧面，减小了每片晶圆的切削厚度，从而提高了切削效率，提高工艺效率，每次切削过程中切削工具损耗减少，增加了切削工具使用次数，提高了切削工艺的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104658880B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310582750.X
申请日：2013-11-19
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 一种晶圆处理方法，包括：提供承载基底和待处理基底，待处理基底的第一表面键合于承载基底表面，待处理基底具有位于边缘的标记区，待处理基底标记区内的第一表面具有第一标记沟槽，第一标记沟槽具有到待处理基底中心距离最近的第一侧壁，第一侧壁到待处理基底边界具有第一距离，第一标记沟槽具有到待处理基底边界距离最近的第二侧壁，第二侧壁到待处理基底边界具有第二距离；对待处理基底进行第一修边工艺，使待处理基底的半径减小第三距离，并去除部分第一标记沟槽；在第一修边工艺之后，对待处理基底进行第二修边工艺，去除剩余的第一标记沟槽；在第二修边工艺之后，对待处理基底的第二表面进行减薄。
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公开(公告)号：CN105470153A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410446753.5
申请日：2014-09-03
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 侯元琨
IPC分类号： H01L21/603
摘要： 本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一表面，所述第二晶圆具有第二表面，所述第一表面与第二表面具有若干对应的键合区；固定第一晶圆和第二晶圆，使第一表面和第二表面面对面平行且间隔预定距离；加热第一晶圆和第二晶圆至第一温度，并使第一晶圆和第二晶圆保持第一温度；将第一晶圆和第二晶圆降温至第二温度；在所述第二温度下移动第一晶圆和第二晶圆直至第一表面和第二表面贴合，第一表面和第二表面上对应的键合区对准；在所述第二温度下，键合连接第一表面和第二表面上的对应键合区。先过载加热晶圆以排除表面挥发气体，再降低温度进行晶圆键合连接，避免连接表面键合区相互剥离，产品失效。
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