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公开(公告)号：CN106952807A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610006680.7
申请日：2016-01-06
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L27/11517
CPC分类号： H01L21/28 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L29/423 , H01L29/42324
摘要： 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，提供衬底；在所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极层；形成覆盖所述栅极层的无定型层；图形化所述栅极层和无定型层，形成栅极结构。其中，本发明通过对栅极层进行非晶化，形成无定型层，所述无定型层为非晶体，非晶体中的原子成无序排列，不存在晶界，能够减少后续清洗过程中穿过所述栅极层到达栅介质层的清洗剂，从而能够减少栅介质层中孔洞出现的几率。
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公开(公告)号：CN106952830B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610006691.5
申请日：2016-01-06
摘要： 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成垫块，所述垫块包括与所述衬底相对的第一面、与第一面相对的第二面以及位于第一面和第二面之间的侧面，所述第二面与侧面相接处为棱边；采用含氢反应物形成覆盖所述衬底和所述棱边的介质层，所述介质层中含有硅氢键，所述介质层包括：覆盖衬底和所述棱边的第一介质层，所述第一介质层中硅氢键所占的摩尔百分比小于2.8％。其中，通过减少所述第一氮化硅层中硅氢键的含量，使第一氮化硅层不容易产生悬挂键，从而增加氮化硅层的稳定性；此外，低硅氢键含量的氮化硅薄膜在外界作用下翘曲变形小，因此使氮化硅层不容易产生裂纹。
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公开(公告)号：CN106952807B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201610006680.7
申请日：2016-01-06
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L27/11517
摘要： 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，提供衬底；在所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极层；形成覆盖所述栅极层的无定型层；图形化所述栅极层和无定型层，形成栅极结构。其中，本发明通过对栅极层进行非晶化，形成无定型层，所述无定型层为非晶体，非晶体中的原子成无序排列，不存在晶界，能够减少后续清洗过程中穿过所述栅极层到达栅介质层的清洗剂，从而能够减少栅介质层中孔洞出现的几率。
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公开(公告)号：CN101430501B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN200710047859.8
申请日：2007-11-06
IPC分类号： G03F1/72
摘要： 一种修正光刻胶图形的方法，涉及半导体光刻工艺领域，包括如下步骤：分解残留在晶片上的凝聚聚合物。本发明能有效地去除通过蚀刻机台对光刻胶图形的关键尺寸条进行同相蚀刻以减小所述光刻胶图形的关键尺寸条的尺寸的过程中产品的凝聚聚合物，提高了器件的性能，提高了产品良率，节约了成本。
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公开(公告)号：CN102024788B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200910195811.0
申请日：2009-09-15
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768 , H01L27/02
摘要： 本发明提供了一种用于互连工艺中的半导体器件，所述半导体器件包括：前端器件层；在所述前端器件层上沉积的第一阻挡层；在所述第一阻挡层上沉积的材料为等离子增强正硅酸乙酯的第一介电层；穿过所述第一阻挡层和所述第一介电层形成的通孔，所述通孔中填充有金属层；在所述金属层以及所述第一介电层上沉积的第二阻挡层；在所述第二阻挡层上沉积的材料为等离子增强正硅酸乙酯的第二介电层。根据本发明的半导体器件及其制造工艺克服了铜互连工艺，特别是UTM工艺中晶片翘曲的问题。
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公开(公告)号：CN115985849A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111196153.4
申请日：2021-10-14
摘要： 本申请提供一种堆叠晶圆结构及切片方法，所述结构包括：依次堆叠的第一晶圆至第N晶圆，其中，所述第一晶圆至第N晶圆中任意一个晶圆的第一表面都包括若干芯片以及分隔所述若干芯片的切割道，所述第一晶圆至第N晶圆中任意一个晶圆的第二表面都形成有切割槽，所述切割槽的位置与切割道的位置对应，所述切割槽中形成有填充材料。本申请提供一种堆叠晶圆结构及切片方法，在切割道对应的位置形成切割槽，并在切割槽中填充有机胶，由于有机胶比晶圆柔软很多，容易切割，可以缩小切割道的宽度，并且避免切片时发生破片，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN106952830A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610006691.5
申请日：2016-01-06
CPC分类号： H01L21/56 , H01L23/291 , H01L23/31
摘要： 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成垫块，所述垫块包括与所述衬底相对的第一面、与第一面相对的第二面以及位于第一面和第二面之间的侧面，所述第二面与侧面相接处为棱边；采用含氢反应物形成覆盖所述衬底和所述棱边的介质层，所述介质层中含有硅氢键，所述介质层包括：覆盖衬底和所述棱边的第一介质层，所述第一介质层中硅氢键所占的摩尔百分比小于2.8％。其中，通过减少所述第一氮化硅层中硅氢键的含量，使第一氮化硅层不容易产生悬挂键，从而增加氮化硅层的稳定性；此外，低硅氢键含量的氮化硅薄膜在外界作用下翘曲变形小，因此使氮化硅层不容易产生裂纹。
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公开(公告)号：CN102024752B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN200910195970.0
申请日：2009-09-17
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/321 , H01L27/02 , G03F7/00
摘要： 本发明公开了一种改进芯片切割工艺的方法，所述方法包括如下步骤：在待切割的芯片表面的钝化层上涂覆光刻胶；刻蚀晶片表面的钝化层，露出焊垫表面，剥离光刻胶；对露出的金属层进行氧化，生成金属氧化层。所述方法还包括对芯片进行电性验收测试；对芯片外观进行检查；以及进行芯片切割的步骤。根据本发明的方法改进了芯片的切割，减少了硅粉尘对焊垫的污染，特别是对表面Al层的污染，抑制了贾凡尼效应。
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公开(公告)号：CN116072552A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111239938.5
申请日：2021-10-25
摘要： 本申请提供一种晶圆级封装结构及封装方法，所述结构包括：半导体转接板，所述半导体转接板的第一面设置有第一键合焊垫；若干按照设计要求排布的封装芯片，位于所述半导体转接板的第一面上，所述封装芯片靠近所述半导体转接板的一面设置有顶层焊垫；第二键合焊垫，所述第二键合焊垫通过第一层间金属连线与所述顶层焊垫电连接，且所述第一键合焊垫与所述第二键合焊垫相对应；其中，所述半导体转接板和所述若干封装芯片通过所述第二键合焊垫与所述第一键合焊垫键合；注塑层，位于所述若干封装芯片之间。本申请所述的晶圆级封装结构及封装方法，可以简化半导体转接板的工艺，降低封装整体翘曲，提高芯片封装引线密度，提高芯片性能。
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公开(公告)号：CN105575780B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410546364.X
申请日：2014-10-15
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 张京晶
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 本发明提供一种半导体器件中饱和电流性能的控制方法，该方法通过在离子注入工艺中获取半导体衬底上的正电荷的中和情况，以对当前进行工艺的半导体衬底进行适当的工艺调整，同时对先前设定的电子流的初始值进行修改，并将修改后的电子流的初始值用作对下一半导体衬底进行离子注入工艺时的初始值，从而提高了离子注入工艺的精确性，大大改善了半导体器件的饱和电流表现的稳定性。
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