热传导结构体或半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110660761A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201910523882.2

    申请日:2019-06-18

    IPC分类号: H01L23/373

    摘要: 本发明涉及热传导结构体或半导体装置。本公开的目的在于提供热传导性优异的热传导结构体。本实施方式为热传导结构体,其为热从第一构件向第二构件传导的热传导结构体,包含:在上述第一构件和上述第二构件中的至少一者的表面上形成的自组装单分子膜、以及在上述第一构件和上述第二构件之间与上述自组装单分子膜相接地配置的散热油脂。

    用于化学镀覆的材料的预处理方法

    公开(公告)号:CN1260390C

    公开(公告)日:2006-06-21

    申请号:CN02808171.4

    申请日:2002-04-08

    IPC分类号: C23C18/20

    摘要: 待镀材料在一种含臭氧的溶液中进行处理之后,使之与含有阴离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂中至少一种表面活性剂以及碱性成分的第二种溶液与所述待镀材料接触。臭氧起着局部破坏在待镀材料表面上的不饱和键以形成C-OH键或C=O键的作用,从而使待镀材料表面活化,同时由于所形成的这些键上吸附了表面活性剂1,催化剂2吸附在已被吸附于上述官能团的表面活性剂1的亲水基团上。因此,无需进行蚀刻处理和不经树脂材料表面糙化即可形成结合力优异的化学镀覆层。