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公开(公告)号：CN105980743B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201480066846.3
申请日：2014-10-29
申请人： 于利奇研究中心有限公司
IPC分类号： F16H48/40
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0047 , G11C2013/0052 , G11C2213/33 , G11C2213/52 , H01L45/08 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
摘要： 在本发明的范围内，研发了一种用于读取电阻存储单元的方法，所述电阻存储单元具有两个通过离子传导电阻材料彼此间隔开的电极，所述电极可以通过施加写入电压从具有较高电阻值的稳定状态（高阻态，HRS）被转变到具有较低电阻值的稳定状态（低阻态，LRS）。根据本发明，为了读取，将读取电压作为读取脉冲来施加，其中在脉冲期间通过离子传导电阻材料被推动的离子的数目通过脉冲的高度和时长被调整为使得所述数目的离子足以从用于形成经过离子传导电阻材料的导电路径的状态出发，至少直到使用流经所述路径的电流，并且因此足以转移到具有减小的电阻值和预先给定的用于回到状态HRS的松弛时间的亚稳定状态VRS（易失性电阻状态），但是不足以转移到状态LRS。通过这种方式保证：存储单元在读取以后在任何情况下都再次处于与读取以前相同的状态。这尤其是使得由两个存储单元的反串联电路构成的存储元件能够以费破坏性方式被读取，而这不减小由所述存储元件实现大阵列的可能性。
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公开(公告)号：CN105980743A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480066846.3
申请日：2014-10-29
申请人： 于利奇研究中心有限公司
IPC分类号： F16H48/40
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0047 , G11C2013/0052 , G11C2213/33 , G11C2213/52 , H01L45/08 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
摘要： 在本发明的范围内，研发了一种用于读取电阻存储单元的方法，所述电阻存储单元具有两个通过离子传导电阻材料彼此间隔开的电极，所述电极可以通过施加写入电压从具有较高电阻值的稳定状态（高阻态，HRS）被转变到具有较低电阻值的稳定状态（低阻态，LRS）。根据本发明，为了读取，将读取电压作为读取脉冲来施加，其中在脉冲期间通过离子传导电阻材料被推动的离子的数目通过脉冲的高度和时长被调整为使得所述数目的离子足以从用于形成经过离子传导电阻材料的导电路径的状态出发，至少直到使用流经所述路径的电流，并且因此足以转移到具有减小的电阻值和预先给定的用于回到状态HRS的松弛时间的亚稳定状态VRS（易失性电阻状态），但是不足以转移到状态LRS。通过这种方式保证：存储单元在读取以后在任何情况下都再次处于与读取以前相同的状态。这尤其是使得由两个存储单元的反串联电路构成的存储元件能够以费破坏性方式被读取，而这不减小由所述存储元件实现大阵列的可能性。
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