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公开(公告)号：CN109338475A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811475947.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 云南北方驰宏光电有限公司
Abstract: 本发明属于人工晶体和半导体技术领域，涉及一种增强CVD-ZnS晶体材料机械强度的方法。包括以下步骤：S1，对锌原料进行掺杂预处理，获得掺杂锌原料；S2，对掺杂锌原料进行化学气相沉积处理；S3，对所述步骤S2中的产物进行梯度升温-恒温-梯度降温-恒温-降温的热处理。本技术方案中，在沉积之前通过原料掺杂技术和工艺将掺杂剂和锌原料均匀混合，获得金属掺杂锌原料，然后在沉积结束后按设计的精密温度控制曲线进行严格的温度控制，大大增强了CVD-ZnS晶体材料的机械强度。与此同时，不会降低CVD-ZnS在其应用的长波8～12μm波段的光学透过率，对光学成像质量也没有影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102912429B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210407255.0
申请日：2012-10-23
Applicant: 云南北方驰宏光电有限公司
IPC: C30B15/26
Abstract: 直拉锗单晶直径测量控制系统，其特征在于：系统中有摄像机，图像处理装置和自动控制单元，摄像机采集锗单晶等径生长的图像，图像处理装置识别固液交接面光圈位置和计算固液交接面光圈的曲率半径，使自动控制单元实现锗单晶的等径生长。本发明的有益效果是：图像处理卡只对采集图像的光圈部分进行分析，减少数据传输量，降低系统对硬件的性能要求；无需椭圆到圆的复杂映射，只需采集指定点的曲率半径即可根据曲率半径的变化规律进行等径控制；摄像头可将采集的锗单晶生长图像集中传输到一起进行图像处理和分析，便于生产人员实时监控多台设备，降低锗单晶生长的劳动强度；能够最大限度利用现有的设备装置，避免电气控制系统的重复设计与投资。
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公开(公告)号：CN102912429A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210407255.0
申请日：2012-10-23
Applicant: 云南北方驰宏光电有限公司
IPC: C30B15/26
Abstract: 直拉锗单晶直径测量控制系统，其特征在于：系统中有摄像机，图像处理装置和自动控制单元，摄像机采集锗单晶等径生长的图像，图像处理装置识别固液交接面光圈位置和计算固液交接面光圈的曲率半径，使自动控制单元实现锗单晶的等径生长。本发明的有益效果是：图像处理卡只对采集图像的光圈部分进行分析，减少数据传输量，降低系统对硬件的性能要求；无需椭圆到圆的复杂映射，只需采集指定点的曲率半径即可根据曲率半径的变化规律进行等径控制；摄像头可将采集的锗单晶生长图像集中传输到一起进行图像处理和分析，便于生产人员实时监控多台设备，降低锗单晶生长的劳动强度；能够最大限度利用现有的设备装置，避免电气控制系统的重复设计与投资。
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公开(公告)号：CN110670141A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911106586.9
申请日：2019-11-13
Applicant: 云南北方驰宏光电有限公司
Abstract: 本发明公开了高纯度锗晶体材料的表面处理装置及处理方法，涉及光学元件加工技术领域，为解决现有技术中，传统的锗晶体材料的表面处理方式存在的酸洗设备昂贵、操作难度大、对人员的能力要求较高的技术问题，本发明的技术方案如下：本发明中的高纯度锗晶体材料的表面处理装置，包括盛放锗晶体材料的盛料槽、垫条和加热器；所述盛料槽固定于加热器的发热面，所述盛料槽的顶部为敞开结构，侧面上部开设进水口，所述进水口与进水管路连接，所述进水管路上设有体积流量计和进水阀，所述进水口相对的盛料槽侧面下部开设出水口，所述出水口与出水管路连接，所述出水管路上设有出水阀。
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公开(公告)号：CN109385540A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811215335.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 云南北方驰宏光电有限公司
IPC: C22B41/00
Abstract: 本发明具体涉及一种红外硫系玻璃废料中锗的再生利用方法。本技术方案中，从红外硫系玻璃废料中提取回收锗，实现废旧锗资源再生利用的方法原理是：利用H2O2的氧化性质，使红外硫系玻璃废料中的Ge-Se、Ge-As、Ge-Sb键受到破坏，锗被氧化为GeO，在表面形成单层GeO，GeO被进一步氧化为GeO2，GeO2溶解到水中形成锗酸，当溶液中有碱存在时，锗酸与碱作用生产锗酸钠，从而加速锗的溶解，利用浓硫酸中和多余的氢氧化钠溶液及调整控制溶液中氢离子的浓度，利用FeCl3使As3+氧化为As6+，并提供充足的氯离子，然后利用浓盐酸从溶液中蒸出四氯化锗，AsCl6则留在蒸馏残液中。蒸出的四氯化锗通过复蒸、精馏、水解、还原、区域熔炼等传统工序得到高纯区熔锗锭。
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公开(公告)号：CN211199475U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201921954056.5
申请日：2019-11-13
Applicant: 云南北方驰宏光电有限公司
Abstract: 本实用新型公开了高纯度锗晶体材料的表面处理装置，涉及光学元件加工技术领域，为解决现有技术中，传统的锗晶体材料的表面处理方式存在的酸洗设备昂贵、操作难度大、对人员的能力要求较高的技术问题，本实用新型的技术方案如下：本实用新型中的高纯度锗晶体材料的表面处理装置，包括盛放锗晶体材料的盛料槽、垫条和加热器；所述盛料槽固定于加热器的发热面，所述盛料槽的顶部为敞开结构，侧面上部开设进水口，所述进水口与进水管路连接，所述进水管路上设有体积流量计和进水阀，所述进水口相对的盛料槽侧面下部开设出水口，所述出水口与出水管路连接，所述出水管路上设有出水阀。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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