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公开(公告)号：CN114427114B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210086342.4
申请日：2022-01-25
申请人： 云南大学
摘要： 本发明属于量子点技术领域，提供了一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用。本发明提供的锰碲掺杂锗量子点，相比MnxGe1‑x量子点掺杂了碲，碲的掺杂减少了Mn沉淀析出相的含量，提高了离子相(Mn2+)的掺杂量，进而提高了所得锰碲掺杂锗量子点的居里温度和磁矩，进而使其能够更好地作为半导体材料应用于自旋场效应晶体管和储存器中。实施例表明，本发明的锰碲掺杂锗量子点的密度为300～625/μm‑2，居里温度为27～319K(超过室温)，剩磁为0.5×10‑5～1.6×10‑5emu/mm2，矫顽力为182～307Oe，磁饱和强度为3000～6150Oe。
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公开(公告)号：CN114427114A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210086342.4
申请日：2022-01-25
申请人： 云南大学
摘要： 本发明属于量子点技术领域，提供了一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用。本发明提供的锰碲掺杂锗量子点，相比MnxGe1‑x量子点掺杂了碲，碲的掺杂减少了Mn沉淀析出相的含量，提高了离子相(Mn2+)的掺杂量，进而提高了所得锰碲掺杂锗量子点的居里温度和磁矩，进而使其能够更好地作为半导体材料应用于自旋场效应晶体管和储存器中。实施例表明，本发明的锰碲掺杂锗量子点的密度为300～625/μm‑2，居里温度为27～319K(超过室温)，剩磁为0.5×10‑5～1.6×10‑5emu/mm2，矫顽力为182～307Oe，磁饱和强度为3000～6150Oe。
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公开(公告)号：CN108373136A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810207326.X
申请日：2018-03-14
申请人： 云南大学
摘要： 本发明涉及一种非密排有序聚苯乙烯纳米球模板的制备方法，属于纳米结构制备技术领域。具体包括：将硅片清洗后，使硅片表面氢钝化；在硅片上自组装单层密排聚苯乙烯纳米球薄膜，然后利用正入射的Ar+离子束轰击不同直径的纳米球薄膜，束流密度为0.85 mA/cm2~3.0 mA/cm2，Ar+能量为0.5 keV~1.0 keV，轰击时间为5 min~28 min；离子束轰击后，纳米球的直径减小，而其位置不改变，可获得非密排有序聚苯乙烯纳米球模板。模板中纳米球的尺寸和周期由聚苯乙烯纳米球的初始直径和轰击条件调节。纳米球的刻蚀速率可调控为6.19 nm/min~17.32 nm/min，对比发现离子束刻蚀技术具有低刻蚀速率的优点，有利于控制小尺寸聚苯乙烯纳米球模板的质量。本发明是一种低成本、工艺简单、高稳定性的非密排有序聚苯乙烯纳米球模板的制备方法，该模板可以应用到有序纳米线、纳米柱、纳米孔和纳米网格阵列的研发领域。
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公开(公告)号：CN106153209A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610548873.5
申请日：2016-07-13
申请人： 云南大学
摘要： 本发明目的在于提供一种材料生长设备中温控系统表显温度和材料实际生长温度间偏差的校订方法，适用于为各种溅射设备配置的加热控温系统。该方法利用金属在一定条件下具有已知固定熔点的特性，将金属薄片挤压贴合于基片表面，通过加热系统缓慢加热，观看金属熔化确定基片表面真实温度为金属熔点，并记录熔化时对应的温控系统表显温度，获得该设备在一定条件下温控系统表显温度和基片表面材料实际生长温度间的温差变化规律。该方法通过改造加热装置中热电偶和样品托的间距，实现了降低温差的目的。本发明成本低廉、操作简单、对设备零损伤、数据准确可重复、方法适用性广，为材料的生长研究获得准确的温度参数提供了重要保障。
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公开(公告)号：CN105261713B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510735080.X
申请日：2015-11-03
申请人： 云南大学
摘要： 本发明公开了一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法。本发明的特征在于制备的光上转换器是一种在红外敏感的晶体Ge材料上集成有机发光二极管(OLED)而得到的Ge/OLED光上转换器件，其中，红外敏感的晶体Ge材料可以是Si基Ge量子点、Si基Ge薄膜或单晶Ge衬底；OLED薄膜层主要包括：一有机空穴注入层，一有机空穴传输层，一有机发光层，一有机电子传输层，一电子注入层。本发明所制备的Ge/OLED光上转换器件，利用晶体Ge材料的红外吸收性能和OLED的发可见光特性，在外偏压的作用下，可实现近红外到可见光的转换；并与Si基集成电路兼容，可大大降低红外成像的成本和复杂性。
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公开(公告)号：CN107604336A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710810511.3
申请日：2017-09-11
申请人： 云南大学
摘要： 本发明属于复合材料制备技术领域，提供了一种Si基Ge掺杂石墨烯复合材料的制备方法，采用离子束溅射法制备Si基Ge掺杂石墨烯，所述方法包括以下步骤：将Si基石墨烯基片放入生长室，抽真空后通过Ge沉积（200~800℃）、退火(0~30min)工艺获得Si基Ge掺杂石墨烯复合材料。本发明优势：Si基复合材料可与现行成熟Si微电子工艺兼容；实现了Ge对石墨烯中C原子的取代掺杂，形成Ge-C键合；避免化学法在原子周围产生支链，及支链势垒影响载流子的输运特性。本发明的复合材料具有高载流子浓度和迁移率，可用于微电子器件、太阳能电池及红外探测等领域。
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公开(公告)号：CN105261713A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510735080.X
申请日：2015-11-03
申请人： 云南大学
摘要： 本发明公开了一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法。本发明的特征在于制备的光上转换器是一种在红外敏感的晶体Ge材料上集成有机发光二极管(OLED)而得到的Ge/OLED光上转换器件，其中，红外敏感的晶体Ge材料可以是Si基Ge量子点、Si基Ge薄膜或单晶Ge衬底；OLED薄膜层主要包括：一有机空穴注入层，一有机空穴传输层，一有机发光层，一有机电子传输层，一电子注入层。本发明所制备的Ge/OLED光上转换器件，利用晶体Ge材料的红外吸收性能和OLED的发可见光特性，在外偏压的作用下，可实现近红外到可见光的转换；并与Si基集成电路兼容，可大大降低红外成像的成本和复杂性。
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