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公开(公告)号：CN107731878B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201711026409.0
申请日：2017-10-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本发明提供一种显示基板及其修复方法和显示面板，该显示基板的修复方法包括：在检测到所述信号线具有故障点时，通过分别位于故障点所在的信号线延伸方向两侧的驱动电源线的部分线路，和垂直于故障点所在的信号线延伸方向位于所述故障点一侧的驱动电源线的部分线路将故障点两侧短接，该修复方法可提高显示基板的良率。
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公开(公告)号：CN108133947B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201611090721.1
申请日：2016-12-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/32 , G09G3/3225
摘要： 一种显示面板、显示设备及补偿方法，该显示面板包括多个像素单元组、多条感测线、多条感测控制线、多条栅线、多条第一数据线和多条第二数据线，每个像素单元组包括位于两行和多列中的多个像素单元，每个像素单元组中的像素单元与同一条栅线连接，以接收相同的栅极信号，每个像素单元组中每列两个像素单元中的一个与其对应的一条第一数据线连接，每个像素单元组中每列两个像素单元中的另一个与其对应一条第二数据线连接，每个像素单元组中的像素单元与同一条感测线连接，像素单元包括有机发光二极管，感测线用于感测有机发光二极管的发光电流或发光电压。该显示面板可以提升像素单元的开口率、为像素单元提供更充足的充电时间以及加快感测速度。
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公开(公告)号：CN110036435A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780000743.0
申请日：2017-08-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/32 , G09G3/3225
摘要： 本申请公开了一种主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示面板中的像素电路。像素电路包括第一晶体管，该第一晶体管具有底栅极和顶栅极、被供应高电平电源电压的漏极、以及与发光二极管(LED)耦接的源极。在补偿时段，底栅极被提供第一电压信号并且源极被提供第二电压信号，在所述补偿时段期间，在源极感测第一晶体管的阈值电压的当前值，并且基于阈值电压的该当前值确定第三电压信号。顶栅极被构造为在发光时段被提供第三电压信号，以减小阈值电压的当前值。
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公开(公告)号：CN104716198B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510134375.1
申请日：2015-03-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/43
CPC分类号： H01L29/45 , H01L21/28575 , H01L21/32134 , H01L21/443 , H01L21/47635 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/66522 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78681 , H01L29/7869
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置，涉及显示领域，能够解决有源层在源极和漏极的刻蚀工序中易被腐蚀的问题，从而能够采用背沟道刻蚀工艺制备薄膜晶体管器件，减少薄膜晶体管制造的工艺次数，节省制造成本。本发明的薄膜晶体管包括：栅极、有源层、源极和漏极，所述源极和漏极由至少两种材料形成，所述源极和漏极的形成材料能在对应的刻蚀液中发生电池反应从而被刻蚀，且，该刻蚀液对所述有源层不腐蚀。
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公开(公告)号：CN107463038A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710728812.1
申请日：2017-08-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/13
CPC分类号： G02F1/136259 , G02F1/1309 , G02F2001/136272
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其短路修复方法和显示装置。该阵列基板包括相互空间交叉且绝缘的第一导电线和第二导电线，还包括备用修复线，备用修复线设置在第一导电线和第二导电线的交叉位置，且与第一导电线和第二导电线位于不同层，备用修复线能在第一导电线和第二导电线在交叉位置发生短路时对靠近其的第一导电线或第二导电线进行切断修复。该阵列基板相比于现有技术中备用修复线与发生短路时被切断且需要修复的信号线同层设置的情况，增大了备用修复线与未切断的导电线之间的绝缘距离，从而减小了备用修复线与未切断的导电线之间发生短路的可能性，进而实现了对短路时切断的导电线的可靠修复。
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公开(公告)号：CN104882099B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510317207.6
申请日：2015-06-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/3266
CPC分类号： G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , G09G2300/0426 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2320/0233 , G09G2320/045 , G09G2320/0626 , H01L27/1255 , H01L27/3248 , H01L27/3276
摘要： 本发明的实施例提供一种像素驱动电路、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，解决了驱动晶体管阈值电压的不稳定性造成电流差异的问题，避免出现显示器件亮度不均匀，增强了显示器件的显示效果。包括：补偿模块连接扫描信号、数据信号和参考信号，补偿模块与控制模块和驱动模块连接；控制模块连接发光控制信号和电源信号，控制模块与驱动模块和发光模块连接；发光模块一端与驱动模块连接，另一端接地；补偿模块在扫描信号控制下接收数据信号和参考信号，在控制模块的控制下补偿驱动模块的阈值电压；控制模块在发光控制信号控制下接收电源信号控制补偿模块对驱动模块的阈值电压进行补偿；驱动模块在控制模块的控制下驱动发光模块发光。
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公开(公告)号：CN107946321B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201711322180.5
申请日：2017-12-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L23/552 , H01L27/32 , H01L21/77
摘要： 本发明公开一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，所述阵列基板包括层叠设置在基底上的遮光层和有源层，所述遮光层位于靠近所述基底的一侧，所述遮光层在所述基底上的正投影覆盖所述有源层在所述基底上的正投影；所述遮光层为黑色有机物材料。本发明实施例的阵列基板，在基底上设置有遮光层和有源层，遮光层设置在靠近基底的一侧，且遮光层在基底上的正投影覆盖有源层在基底上的正投影，使遮光层可以完全遮挡有源层，防止光照对有源层产生影响，且本发明实施例的遮光层采用黑色有机物材料，不导电，可以直接设置在基底上，并在其上方形成阵列基板的其他结构，不用增加过孔和换层而多占布局空间，工艺简单，遮光效果好，且易于实现高PPI。
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公开(公告)号：CN107452808B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710538052.8
申请日：2017-07-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：位于衬底基板上的源极、漏极、有源层和栅极，其中，源极与漏极同层设置，源极与有源层为薄膜晶体管中相邻两层结构，源极和漏极均与有源层连接，有源层背向衬底基板的一侧形成有栅绝缘层，栅极位于栅绝缘层背向衬底基板的一侧，栅极、源极、漏极在有源层上的正投影不重叠，有源层背向衬底基板的一侧未被栅极、源极和漏极所覆盖的区域被导体化。本发明的技术方案可在减小薄膜晶体管尺寸的同时有效避免寄生电容的产生。
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公开(公告)号：CN108807547B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201710311944.4
申请日：2017-05-05
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 本公开提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法。该薄膜晶体管包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的金属遮光层、第一有源层、栅电极、源电极和漏电极；设置于所述第一有源层和所述金属遮光层之间的间隔层；其中，所述第一有源层包括沟道区，所述间隔层设置于所述沟道区和所述金属遮光层之间。间隔层可以增加有源层的沟道区与金属遮光层之间的间隔距离，以降低或消除有源层的沟道区与金属遮光层之间的寄生电容问题，可以提高薄膜晶体管的电学性能。
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