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公开(公告)号：CN102708795B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210050062.4
申请日：2012-02-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/32
CPC分类号： G09G3/3225 , G09G3/3266 , G09G2300/0861 , G11C19/28
摘要： 本发明提供了一种阵列基板行驱动单元、阵列基板行驱动电路以及显示装置。该阵列基板行驱动单元包括用于产生栅极驱动信号的栅极驱动模块和发光控制模块；所述发光控制模块，与所述栅极驱动模块的栅极驱动信号输出端连接，用于在所述栅极驱动信号的控制下产生控制有机发光二极管开关的发光控制信号，所述栅极驱动信号和所述发光控制信号反相。本发明可以在产生栅极驱动信号的同时也产生与其反相的发光控制信号，以使得在显示数据写入像素单元的过程中，OLED器件处于关闭状态，而显示数据写入像素单元后，OLED器件开启发光，从而确保显示图像不会由于像素电路在数据的写入的不稳定状态发生闪烁。
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公开(公告)号：CN102881843A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210345436.5
申请日：2012-09-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种制备有机发光二极管的方法、有机发光二极管和有机发光器件。在一衬底上制备第一电极；在所述第一电极之上制备包括至少一层复合层的有机层；其中所述复合层包括多个子层，所述多个子层由多个组分交替蒸镀形成；在所述有机层之上制备第二电极。采用交替蒸镀的方式，无需去精确控制各组分各自不同的蒸发速度，也可以制备出高性能的有机发光二极管；从而降低了生产难度、提高了产品良率和生产效率。
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公开(公告)号：CN102708799A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210177631.1
申请日：2012-05-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/32
CPC分类号： G09G3/3208 , G09G3/3266 , G09G2310/0286 , G09G2320/0247 , G11C19/184 , G11C19/28
摘要： 本发明实施例提供一种移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件，涉及显示装置制造领域，可以避免在写入显示数据的同时，OLED显示器件发生闪烁。一种移位寄存器包括：一第一上拉单元、一第一下拉单元、一下拉开关单元、一第二下拉单元和一第二上拉单元。本发明实施例用于显示装置的制造。
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公开(公告)号：CN102708796A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210050073.2
申请日：2012-02-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/32
CPC分类号： H03K3/01 , G09G3/3225 , G09G3/3266 , G09G2310/0286 , G11C19/28
摘要： 本发明提供了一种阵列基板行驱动单元、阵列基板行驱动电路以及显示装置。阵列基板行驱动单元包括输入采样单元、输出单元、复位单元和存储电容；存储电容的第一端与本级栅极驱动信号输出端连接；输入采样单元，与存储电容的第二端连接，在上一级阵列基板行驱动单元的栅极驱动信号的控制下对存储电容进行预充电并使得本级栅极驱动信号采样输入信号；输出单元，与存储电容的第二端连接，在输入采样单元完成对所述存储电容预充电后，控制输出所述本级栅极驱动信号；复位单元在下一级阵列基板行驱动单元的栅极驱动信号的控制下，对本级栅极驱动信号进行复位。本发明能减小阵列基板行驱动电路的线路布局面积。
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公开(公告)号：CN102651454A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210124408.0
申请日：2012-04-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L51/5012 , H01L51/5004 , H01L51/5044 , H01L51/56
摘要： 本发明提供一种电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法，所述电致发光器件依次包括基板、阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层和阴极层分别连接电源的正极和负极，其中还包括：用于调整电子迁移率的插入层，所述插入层设置在所述发光层中。本发明提供的实施例中，通过在发光层中设置插入层，以降低电压对发光层中电子和空穴复合的影响，增加发光层中电子和空穴等载流子复合的数量，提高电子和空穴的复合比例，从而提高发光层的发光效率，同时有利于延长电致发光器件的使用寿命，电致发光器件发出的颜色也更加稳定。
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公开(公告)号：CN102156369A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110020246.1
申请日：2011-01-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC分类号： G02F1/134363 , G02F2001/134372 , G02F2201/40 , H01L27/124
摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法。阵列基板包括限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有薄膜晶体管以及公共电极和电极条结构的像素电极，所述公共电极形成在覆盖所述数据线的第二绝缘层上，所述像素电极形成在覆盖所述公共电极的第三绝缘层上。本发明通过在覆盖数据线的第二绝缘层上形成公共电极，在覆盖公共电极的第三绝缘层上形成电极条结构的像素电极，使像素电极边缘与数据线边缘之间区域的液晶全部有规律的电场驱动，提高了驱动液晶的效率，使这一区域变成显示区域，最大限度地增加了显示区域的面积，有效提高了开口率。
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公开(公告)号：CN102156368A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110020242.3
申请日：2011-01-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC分类号： H01L27/1259 , G02F1/134363 , G02F1/136209 , G02F2201/121 , G02F2202/16 , H01L27/124
摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和公共电极，还包括由导电薄膜材料制备的黑矩阵，所述黑矩阵与所述公共电极连接。制造方法包括：形成包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管的图形；形成包括公共电极和黑矩阵的图形，所述黑矩阵由导电薄膜材料制备，并与所述公共电极连接。本发明通过将黑矩阵图形设置在阵列基板上，且黑矩阵与公共电极连接，使黑矩阵不仅可以有效遮挡漏光区域，而且可以作为公共电极的连接总线，有效解决了现有结构生产成本高和公共电极延迟的技术缺陷。
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公开(公告)号：CN103872068B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201210546075.0
申请日：2012-12-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种可变色发光元件，所述可变色发光元件包括：衬底、第一彩色有机发光二极管OLED和第二OLED，其中，所述第一OLED形成于所述衬底上，所述第二OLED层叠于所述第一OLED之上；所述第一OLED与所述第二OLED具有一个公共电极，所述公共电极为半反射半透明电极；光射出端的透明电极与所述公共电极之间为所述第一OLED和所述第二OLED中发射较短波长光的OLED；所述公共电极与全反射电极之间为所述第一OLED和所述第二OLED中发射较长波长光的OLED。相应的，本发明还公开了一种像素结构及显示装置，提高了发光效率，并且有利于延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN103021777B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210530482.2
申请日：2012-12-10
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种离子注入方法及装置。用以解决现有技术中减少晶片表面累积电荷的方法存在的加工工艺复杂且成本高的问题。本发明实施例的方法包括：在设定的流量值范围内，确定每次离子注入过程所使用的工艺气体的流量值；在具有确定的流量值的工艺气体下，对晶片进行多次离子注入；每次离子注入后，检测该晶片表面形成的电荷量；及从多组流量值及与其对应的电荷量中，确定满足设定条件的电荷量对应的流量值形成的流量范围。采用本发明实施例的方法，能够有效减少离子注入后在晶片表面形成的电荷，并且本发明方法操作简单，且成本低。
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