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公开(公告)号：CN111312855A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010113650.2
申请日：2020-02-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/032
摘要： 本申请提供一种光电探测器的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极上形成覆盖所述第一电极层的光吸收层，所述光吸收层的材料为铜铟镓硒；对所述光吸收层进行刻蚀，得到多个阵列排布的光吸收块；采用溴水与液态有机物的混合溶液作为刻蚀液对所述光吸收块的侧壁进行刻蚀，以去除所述光吸收块侧壁上的杂质；所述杂质与溴反应生成的化合物溶于所述液态有机物。
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公开(公告)号：CN111312855B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202010113650.2
申请日：2020-02-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/032
摘要： 本申请提供一种光电探测器的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极上形成覆盖所述第一电极层的光吸收层，所述光吸收层的材料为铜铟镓硒；对所述光吸收层进行刻蚀，得到多个阵列排布的光吸收块；采用溴水与液态有机物的混合溶液作为刻蚀液对所述光吸收块的侧壁进行刻蚀，以去除所述光吸收块侧壁上的杂质；所述杂质与溴反应生成的化合物溶于所述液态有机物。
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公开(公告)号：CN118843826A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380007912.9
申请日：2023-02-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1343 , H01P1/18
摘要： 本公开提供一种移相器及其制备方法、天线，属于通信技术领域。本公开的移相器，其包括相对设置的第一介质基板和第二介质基板，以及设置在第一介质基板和第二介质基板之间的多个移相单元；移相单元包括第一电极层和第二电极层，以及位于第一电极层和第二电极层之间的可调电介质层；其中，第一电极层位于第一介质基板靠近可调电介质层的一侧，第二电极层位于第二介质基板靠近可调电介质层的一侧；第一电极层和第二电极层在第一介质基板正投影至少部分重叠，且二者在第一介质基板上的正投影重叠区域限定出移相单元的至少一个容纳盒；可调电介质层至少位于容纳盒内；其中，至少部分移相单元的容纳盒的盒厚不同。
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公开(公告)号：CN118830144A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380007814.5
申请日：2023-02-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01Q3/34 , G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/1362 , G09G3/36
摘要： 本公开是关于一种液晶移相器及其操作方法、天线，该液晶移相器包括控制电路(43)和第一电极(41)，控制电路包括复位子电路(4303)、开关子电路(4302)和驱动子电路(4301)，驱动子电路(4301)用于向第一电极(41)输入加载电压。通过复位子电路(4303)对驱动子电路(4301)的控制端进行复位，使驱动子电路(4301)每次开启前，其控制端电压保持一致；当驱动子电路(4301)开启后，将复位子电路(4303)和开关子电路(4302)关断，在加载电压给予第一电极(41)的时段内，驱动子电路(4301)的控制端电压保持不变，从而保证了第一电极(41)上的加载电压始终保持稳定，使得液晶移相器对电磁波信号的移相量准确控制，实现电磁波信号精准的波束扫描。
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公开(公告)号：CN118817127A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310414445.3
申请日：2023-04-18
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
摘要： 本公开提供了一种压力敏感芯片，包括：第一基底，所述第一基底上形成有感压腔；刻蚀阻挡层，位于所述第一基底的一侧且与所述第一基底的表面相接触，所述感压腔连通至所述刻蚀阻挡层；感压膜和压敏电阻，位于所述刻蚀阻挡层远离所述第一基底的一侧；引出电极，位于所述压敏电阻远离所述第一基底的一侧，所述引出电极与对应的所述压敏电阻电连接。本公开还提供了一种压力敏感芯片的制备方法和压力传感器。
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公开(公告)号：CN113838801B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202010591840.5
申请日：2020-06-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 一种半导体基板的制造方法和半导体基板。所述制造方法包括当所述衬底基板在第一温度时，在衬底基板上的一界面处形成所述第一半导体层，其中，所述第一半导体层的材料为第一氧化物半导体材料；在所述第一半导体层上直接形成所述第二半导体层，其中，第二半导体层的材料为第二氧化物半导体材料；所述第一半导体层、所述第二半导体层分别被图案化为种子层、第一沟道层，第一沟道层和所述种子层均为结晶相层，其中，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料均能够在第二温度下形成为结晶相，第二温度小于等于40℃，第一温度大于等于100℃。
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公开(公告)号：CN118693032A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310280801.7
申请日：2023-03-21
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
摘要： 本公开提供一种封装基板及制作方法，属于封装技术领域。本公开的封装基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的线路层；所述线路层上设置第一连接部和第二连接部，待安装的芯片通过所述第一连接部与所述线路层电连接，待安装的线路板通过所述第二连接部与所述线路层连接；所述第一连接部和所述第二连接部的材料包括铜。本公开中的封装基板的制作方法包括提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成线路层；在所述线路层背离所述衬底基板一侧形成第一连接部和第二连接部；待安装的芯片通过所述第一连接部与所述线路层电连接，待安装的线路板通过所述第二连接部与所述线路层连接；所述第一连接部和所述第二连接部的材料包括铜。
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公开(公告)号：CN118679677A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202380008160.8
申请日：2023-01-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H03M9/00
摘要： 一种数据转换装置、电子设备及数据转换方法。所述数据转换装置包括转换模块、分频模块和时钟选择模块。分频模块与转换模块电连接，被配置根据输入数据的位宽m和输出数据的位宽n，对输入时钟信号进行分频得到输出时钟信号。时钟选择模块与转换模块和分频模块分别电连接，被配置为根据输入时钟信号、输出时钟信号以及输入数据的位宽m和输出数据的位宽n，向转换模块传输输入时钟信号和输出时钟信号分别作为写时钟信号和/或读时钟信号。转换模块被配置为根据写时钟信号接收位宽为m的输入数据。转换模块还被配置为将输入数据转换为位宽为n的输出数据并根据读时钟信号输出。
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公开(公告)号：CN118648187A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380008171.6
申请日：2023-01-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01P1/18
摘要： 本公开提供了一种移相器、天线及电子设备，其中，该移相器包括：相对设置的第一基底和第二基底，以及设置在所述第一基底和所述第二基底之间的多个移相单元，其中，各个所述移相单元包括右手微带单元，多个所述右手微带单元沿第一方向排列，构成右手微带线，且各个所述移相单元包括与相应的所述右手微带单元串接的左手微带单元，所述多个右手微带单元和多个所述左手微带单元组成复合左右手传输线。用于实现右传输线复合左传输线的功能设计，保证移相器的小型化设计。
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公开(公告)号：CN118603366A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410703304.8
申请日：2024-05-31
申请人： 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开是关于一种压力传感器、压力传感器的制造方法与电子设备，压力传感器包括：压力传感组件和壳体，所述压力传感组件包括基板、压力传感模块、封装帽与封装层，所述封装帽扣设于所述基板上，所述压力传感模块设于所述基板上且位于所述封装帽与所述基板形成的容纳空间中；所述封装帽远离所述基板的一侧上设有至少一个通孔，所述封装层通过所述通孔填充于所述容纳空间中并包覆所述压力传感模块；所述壳体形成有具有开口的容置空间，所述压力传感组件位于所述容置空间中，所述至少一个通孔与所述开口对应设置，且所述壳体上环绕所述开口的部位与所述封装帽上环绕所述至少一个通孔的部位密封连接。本公开提供的压力传感器，提升了贴框效果。
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