公开(公告)号：CN104576542B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201510038372.8

申请日：2015-01-26

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王玉亮 ,  崔大永 ,  刘增利 ,  李道杰 ,  陈士娟

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L23/50

摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。本发明在覆盖导电图形或半导体图形的绝缘层上涂布光刻胶；曝光，至少形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域；刻蚀，至少部分地去除所述光刻胶完全去除区域对应的所述绝缘层，形成中间孔；再次刻蚀，形成所述第一过孔，并在所述中间孔处形成所述第二过孔，露出所述第一过孔和第二孔处的所述导电图形或所述半导体图形，其中所述第一过孔的深度小于所述第二过孔的深度。本发明能够在不增加阵列基板构图工艺次数的前提下，有效避免浅孔和深孔同时进行刻蚀时因为长时间刻蚀而导致浅孔处氧化物半导体层和栅绝缘层被刻穿使得信号线和栅线短路的情况。

公开(公告)号：CN104952932A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510289827.3

申请日：2015-05-29

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王玉亮 ,  崔大永 ,  刘增利 ,  李道杰 ,  艾飞 ,  周俊

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76865

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极为包括金属层和金属阻挡层的多层结构，所述薄膜晶体管的非晶硅有源层上覆盖有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层对应所述源电极和漏电极的位置设置有贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔，所述源电极和漏电极分别通过所述过孔与所述非晶硅有源层连接。本发明的技术方案能够在对半导体层上的金属阻挡层进行刻蚀时，防止刻蚀液对半导体层的性能产生影响。

公开(公告)号：CN104576542A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510038372.8

申请日：2015-01-26

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王玉亮 ,  崔大永 ,  刘增利 ,  李道杰 ,  陈士娟

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/77 ,  H01L23/50 ,  H01L27/1214 ,  H01L2021/775

摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。本发明在覆盖导电图形或半导体图形的绝缘层上涂布光刻胶；曝光，至少形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域；刻蚀，至少部分地去除所述光刻胶完全去除区域对应的所述绝缘层，形成中间孔；再次刻蚀，形成所述第一过孔，并在所述中间孔处形成所述第二过孔，露出所述第一过孔和第二孔处的所述导电图形或所述半导体图形，其中所述第一过孔的深度小于所述第二过孔的深度。本发明能够在不增加阵列基板构图工艺次数的前提下，有效避免浅孔和深孔同时进行刻蚀时因为长时间刻蚀而导致浅孔处氧化物半导体层和栅绝缘层被刻穿使得信号线和栅线短路的情况。

公开(公告)号：CN103441129A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310373621.X

申请日：2013-08-23

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 李登涛 ,  郑在纹 ,  郑载润 ,  崔大永 ,  王世凯 ,  金童燮 ,  耿军 ,  吕世伟

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/50 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置，属于显示技术领域。其中，该阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成金属层，去除所述金属层表面的金属氧化物。本发明的技术方案能够去除金属电极表面的金属氧化物，提高阵列基板上薄膜晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104613844B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201510061271.2

申请日：2015-02-05

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王德永 ,  李业发 ,  彭亮 ,  郑琮錡 ,  崔大永

IPC分类号： G01B5/06 ,  G01B11/06

摘要： 本发明的实施例公开了一种靶材厚度测量装置，该靶材厚度测量装置包括：支架；以及安装于支架并沿第一方向排列的多个测距单元，所述多个测距单元分别用于测量靶材在第一方向上的多个点的厚度。例如利用多个测距单元一次测量靶材的多个点的厚度，由此一次可以获得靶材沿一条直线的多个厚度值，提高了测量效率。

公开(公告)号：CN104613844A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510061271.2

申请日：2015-02-05

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王德永 ,  李业发 ,  彭亮 ,  郑琮錡 ,  崔大永

IPC分类号： G01B5/06 ,  G01B11/06

CPC分类号： G01B11/06 ,  G01B5/061 ,  G01B5/207 ,  G01B11/0608 ,  G01B2210/42

摘要： 本发明的实施例公开了一种靶材厚度测量装置，该靶材厚度测量装置包括：支架；以及安装于支架并沿第一方向排列的多个测距单元，所述多个测距单元分别用于测量靶材在第一方向上的多个点的厚度。例如利用多个测距单元一次测量靶材的多个点的厚度，由此一次可以获得靶材沿一条直线的多个厚度值，提高了测量效率。