公开(公告)号：CN102664193A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210096583.3

申请日：2012-04-01

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 郑在纹 ,  黄秋平 ,  林盛实 ,  金童燮 ,  徐朝焕 ,  徐华伟 ,  陈正伟 ,  薛建设

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种导电结构及制造方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。其中所述导电结构包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。本发明利用多层导电结构阻止外部离子扩散进入铜层以及铜层铜离子的向外扩散，从而减少离子扩散对铜金属层的电学性能和化学耐腐蚀性能的不良影响，同时，由于阻挡层与衬底基板或半导体层之间具有良好的粘附性，能够提高导电结构的粘合稳固程度；并且，该导电结构中的各个层都具有类似的刻蚀选择性，有利于对多层导电结构的刻蚀/图案化处理。

公开(公告)号：CN202678317U

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201220138478.7

申请日：2012-04-01

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 郑在纹 ,  黄秋平 ,  林盛实 ,  金童燮 ,  徐朝焕 ,  徐华伟 ,  陈正伟 ,  薛建设

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49

摘要： 本实用新型提供了一种导电结构、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。其中所述导电结构包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。本实用新型利用多层导电结构阻止外部离子扩散进入铜层以及铜层铜离子的向外扩散，从而减少离子扩散对铜金属层的电学性能和化学耐腐蚀性能的不良影响，同时，由于阻挡层与衬底基板或半导体层之间具有良好的粘附性，能够提高导电结构的粘合稳固程度；并且，该导电结构中的各个层都具有类似的刻蚀选择性，有利于对多层导电结构的刻蚀/图案化处理。

公开(公告)号：CN103289058B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201310223543.5

申请日：2013-06-06

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘陆 ,  薛建设 ,  舒适

IPC分类号： C08G59/17 ,  C08G59/16 ,  C09D163/10 ,  C09D7/12 ,  C08J3/24

CPC分类号： C09D163/10 ,  C08G59/1461 ,  C08G59/1466 ,  C08G59/1494 ,  C08G59/308 ,  C08K3/30 ,  C08K3/34 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/3045 ,  C09D163/00

摘要： 本发明公开了一种氟改性的环氧丙烯酸树脂、紫外光固化光油及其制备方法、以及将该光油涂布于基材的方法。该氟改性的环氧丙烯酸树脂由以下步骤制得：将一元不饱和羧酸与环氧树脂中的至少一个环氧基团进行开环酯化反应，形成环氧丙烯酸树脂；将含氟羧酸或者含氟羧酸酐与所述环氧丙烯酸树脂中的至少一个羟基进行酯化反应，形成含氟侧链基团的环氧丙烯酸树脂。本发明的紫外光固化光油是基于氟改性的环氧丙烯酸树脂来制备的。当将该光油用于基材表面时，可以提高材料的表面硬度、附着力、耐摩擦性、耐热冲击、耐手汗、防指纹性等至少一种性能，特别是在表面硬度、附着力、耐手汗、防指纹性等性能方面得到显著改善，从而提高材料本体的使用寿命。

公开(公告)号：CN103529606B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201310522181.X

申请日：2013-10-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 谢畅 ,  薛建设 ,  柳在健

IPC分类号： G02F1/1343

摘要： 本发明公开了一种液晶显示面板和显示装置，用以提供一种视角较宽的液晶显示面板和显示装置。所述液晶显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，位于所述第一基板和第二基板之间的液晶层；还包括位于所述第一基板上靠近所述液晶层一侧的第一公共电极；以及位于所述第二基板上靠近所述液晶层一侧的第二公共电极；所述第一基板上还设置有像素电极；所述第二公共电极与所述像素电极无正对交叠面。

公开(公告)号：CN102608859B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201110024105.7

申请日：2011-01-21

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 惠官宝 ,  崔承镇 ,  张锋 ,  薛建设

IPC分类号： G03F1/76

CPC分类号： G03F1/76 ,  G03F1/50 ,  H01L27/1288

摘要： 本发明公开了一种掩模板及应用其制造薄膜晶体管阵列基板的方法，涉及半导体领域的掩模技术，解决了使用现有双色调掩模板的光刻工艺中，光刻胶上各图案区之间，高浓度显影液向低浓度显影液扩散的问题。本发明通过在掩模板上的两个图案区间设置冗余图案，并用该掩模板对光刻胶曝光，使得在显影过程中，光刻胶上形成的对应于掩模板冗余图案的光刻胶冗余图案，该光刻胶冗余图案可阻挡高浓度显影液向低浓度显影液扩散，从而提高了产品良率。本发明主要用于平面电场型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造。

公开(公告)号：CN105826398A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610424194.7

申请日：2016-06-15

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 孙雪菲 ,  张斌 ,  何晓龙 ,  曹占锋 ,  李正亮 ,  薛建设

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及制作方法。其中，薄膜晶体管包括栅极和半导体层；所述半导体层包括：非晶硅图形和多晶硅图形；所述非晶硅图形的一部分嵌入但不贯通所述多晶硅图形，且位于所述多晶硅图形远离所述栅极的一侧。本发明的非晶硅图形一部分内嵌式在多晶硅图形，相比于现有的多晶硅/非晶硅的双层结构，可以继承非晶硅图形与多晶硅图形各自的优点，但缺点不再彼此作用。此外，非晶硅图形内嵌式在多晶硅图形的结构设计，可以降低非晶硅图形与多晶硅图形的接触面积，从而减少界面态缺陷。

公开(公告)号：CN102629628B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201110294950.6

申请日：2011-09-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔 ,  薛建设

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136218 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4885 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/156 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

摘要： 本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器，涉及液晶面板制造领域，在防止半导体有源层受到污染的同时，减少了构图工序，提高了生产效率，降低了生产成本。TFT阵列基板包括：基板，基板上形成的栅线、栅极、栅绝缘层和半导体有源层，具有金属氧化物区域的金属阻挡层，金属阻挡层上形成有源极和漏极，金属阻挡层的金属氧化物区域位于所述源极、漏极之间，基板和所述源极、漏极上形成有保护层和与所述漏极连接的像素电极。本发明实施例用于制造TFT阵列基板。

公开(公告)号：CN102879947B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201210365824.X

申请日：2012-09-27

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 齐永莲 ,  王灿 ,  惠官宝 ,  薛建设

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1339 ,  G02B5/20 ,  G03F7/00

CPC分类号： G02B5/22 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/133555 ,  G02F2001/133519 ,  G03F7/0007

摘要： 本发明涉及彩色滤光片技术领域，公开了一种彩色滤光片及其制造方法和采用了这种彩色滤光片的半透半反式液晶显示装置，以解决彩色滤光片的平坦保护层上存在凹坑的问题。制造方法包括在透明基底表面上形成分隔物；形成色素层；在色素层中形成光孔；形成覆盖分隔物、色素层和光孔的光刻胶层；通过灰阶掩膜版进行一次曝光形成平坦保护层，所述平坦保护层位于所述色素层上方的部分的上表面与所述平坦保护层位于所述光孔上方的部分的上表面相平。通过上述方法制造的滤光片及采用这种彩色滤光片的半透半反式液晶显示装置。本发明解决了现有技术中彩色滤光片的平坦保护层上存在凹坑的技术问题。

公开(公告)号：CN102446925B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201010502101.0

申请日：2010-09-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔 ,  薛建设

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L27/1288

摘要： 本发明公开了一种阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法。阵列基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、有源层、钝化层和栅绝缘层；薄膜晶体管包括与栅线连接的栅电极、与数据线连接的源电极和与像素电极连接的漏电极；栅绝缘层形成于栅电极上方；钝化层设置于有源层与源电极和漏电极之间；且钝化层上设有源电极过孔和漏电极过孔；源电极和漏电极分别通过源电极过孔和漏电极过孔与有源层连接。本发明技术方案通过一次构图形成有源层、钝化层和栅绝缘层，减少了构图次数，提高了生产效率；同时实现了钝化层位于有源层上方的阵列基板结构，避免了在形成源电极和漏电极时对TFT沟道造成损伤。

公开(公告)号：CN102736314B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210225266.7

申请日：2012-06-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 齐永莲 ,  惠官宝 ,  赵吉生 ,  薛建设

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/133514 ,  G02B5/201

摘要： 本发明提供一种液晶面板，其具有多个像素区域，所述每个像素区域包括多个分别用于显示不同颜色的次像素区域，所述每个像素区域中，所述多个次像素区域的面积设置为随着各次像素区域的光透过率的递降而递增。相应地，提供一种液晶面板的制作方法以及液晶显示器。本发明液晶面板结构简单、且色彩协调性较好。