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公开(公告)号：CN107250139B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201680009833.1
申请日：2016-02-11
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
IPC: C07F5/00
Abstract: 本发明涉及一种用于以高产率、高选择性和高纯度以具成本效益及环境负责方式制备三氯化三烷基二铟(alkyl indium sesquichloride)的方法。根据本发明制备的三氯化三烷基二铟(还为其高纯度和高产率的结果)尤其适用于以高产率、高选择性和高纯度依需要制备含铟前体。由于具有高纯度，可制备的此类含铟前体尤其适用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)或金属有机气相外延(MOVPE)。根据本发明的新颖方法的特征在于具体地通过快速过程控制来改善方法的执行。由于针对性及广泛使用不昂贵且具有低度环境污染的原料，该方法还适用于在工业规模上使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106103454A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013576.4
申请日：2015-03-12
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
IPC: C07F5/00
Abstract: 本发明涉及一种以环境友好的方式并且以高产率和选择性廉价地制备具有通式R3Ga的三烷基镓化合物的改善的方法，其中R是具有1到4个碳原子的烷基。根据本发明，三烷基镓是通过中间阶段烷基镓二氯化物(RGaCl2)或二烷基镓氯化物/烷基镓二氯化物的混合物(R2GaCl/RGaCl2)制备的。本发明还涉及所产生的RGaCl2或R2GaCl/RGaCl2混合物。根据本发明的新颖的方法特征在于改善的实施。通过以受控的方式普遍使用具有低环境影响的廉价起始材料和试剂，该方法还适用于工业规模。所获得的三烷基镓化合物由于其高纯度作为在半导体和微型系统技术中用于金属‑有机化学气相沉积法(MOCVD)或金属‑有机气相外延法(MOVPE)的金属有机前体是特别适合的。
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公开(公告)号：CN106103454B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580013576.4
申请日：2015-03-12
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
IPC: C07F5/00
Abstract: 本发明涉及一种以环境友好的方式并且以高产率和选择性廉价地制备具有通式R3Ga的三烷基镓化合物的改善的方法，其中R是具有1到4个碳原子的烷基。根据本发明，三烷基镓是通过中间阶段烷基镓二氯化物(RGaCl2)或二烷基镓氯化物/烷基镓二氯化物的混合物(R2GaCl/RGaCl2)制备的。本发明还涉及所产生的RGaCl2或R2GaCl/RGaCl2混合物。根据本发明的新颖的方法特征在于改善的实施。通过以受控的方式普遍使用具有低环境影响的廉价起始材料和试剂，该方法还适用于工业规模。所获得的三烷基镓化合物由于其高纯度作为在半导体和微型系统技术中用于金属‑有机化学气相沉积法(MOCVD)或金属‑有机气相外延法(MOVPE)的金属有机前体是特别适合的。
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公开(公告)号：CN107250139A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680009833.1
申请日：2016-02-11
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
IPC: C07F5/00
Abstract: 本发明涉及一种用于以高产率、高选择性和高纯度以具成本效益及环境负责方式制备三氯化三烷基二铟(alkyl indium sesquichloride)的方法。根据本发明制备的三氯化三烷基二铟(还为其高纯度和高产率的结果)尤其适用于以高产率、高选择性和高纯度依需要制备含铟前体。由于具有高纯度，可制备的此类含铟前体尤其适用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)或金属有机气相外延(MOVPE)。根据本发明的新颖方法的特征在于具体地通过快速过程控制来改善方法的执行。由于针对性及广泛使用不昂贵且具有低度环境污染的原料，该方法还适用于在工业规模上使用。
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