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公开(公告)号:CN106103454A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201580013576.4
申请日:2015-03-12
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
IPC: C07F5/00
Abstract: 本发明涉及一种以环境友好的方式并且以高产率和选择性廉价地制备具有通式R3Ga的三烷基镓化合物的改善的方法,其中R是具有1到4个碳原子的烷基。根据本发明,三烷基镓是通过中间阶段烷基镓二氯化物(RGaCl2)或二烷基镓氯化物/烷基镓二氯化物的混合物(R2GaCl/RGaCl2)制备的。本发明还涉及所产生的RGaCl2或R2GaCl/RGaCl2混合物。根据本发明的新颖的方法特征在于改善的实施。通过以受控的方式普遍使用具有低环境影响的廉价起始材料和试剂,该方法还适用于工业规模。所获得的三烷基镓化合物由于其高纯度作为在半导体和微型系统技术中用于金属‑有机化学气相沉积法(MOCVD)或金属‑有机气相外延法(MOVPE)的金属有机前体是特别适合的。
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公开(公告)号:CN106103454B
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201580013576.4
申请日:2015-03-12
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
IPC: C07F5/00
Abstract: 本发明涉及一种以环境友好的方式并且以高产率和选择性廉价地制备具有通式R3Ga的三烷基镓化合物的改善的方法,其中R是具有1到4个碳原子的烷基。根据本发明,三烷基镓是通过中间阶段烷基镓二氯化物(RGaCl2)或二烷基镓氯化物/烷基镓二氯化物的混合物(R2GaCl/RGaCl2)制备的。本发明还涉及所产生的RGaCl2或R2GaCl/RGaCl2混合物。根据本发明的新颖的方法特征在于改善的实施。通过以受控的方式普遍使用具有低环境影响的廉价起始材料和试剂,该方法还适用于工业规模。所获得的三烷基镓化合物由于其高纯度作为在半导体和微型系统技术中用于金属‑有机化学气相沉积法(MOCVD)或金属‑有机气相外延法(MOVPE)的金属有机前体是特别适合的。
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公开(公告)号:CN105473598A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201480046316.2
申请日:2014-08-18
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
IPC: C07F5/00
CPC classification number: C07F5/00
Abstract: 本发明涉及一种用于以高产率并且以高选择性和纯度成本效益地并且环境友好地生产烷基铟倍半氯化物的方法。根据本发明生产的烷基铟倍半氯化物也因为其高纯度和产率而特别适合于根据需要,以高产率和选择性并且以高纯度来生产含铟前体。可生产的这些含铟前体因为其高纯度而特别适合于金属-有机化学气相沉积法(MOCVD)或金属-有机气相外延法(MOVPE)。根据本发明的新颖方法特征是改善的工艺方案,尤其是一种快速的工艺操作。通过成本效益的并且具有低环境影响的起始物质的针对性的并且相当多的使用,该方法也适合于工业规模。
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公开(公告)号:CN112805290A
公开(公告)日:2021-05-14
申请号:CN201980065963.0
申请日:2019-11-28
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
IPC: C07F11/00 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及用于从[W(NtBu)2(NHtBu)2]开始制备根据通式[W(NtBu)2(NRARB)2](I)的双(叔丁基酰亚胺基)双(二烷基酰胺基)钨化合物的两阶段合成。本发明还涉及根据受权利要求书保护的方法可获得的根据通式[W(NtBu)2(NRARB)2](I)的化合物、根据通式[W(NtBu)2(NRARB)2](I)的化合物([W(NtBu)2(NMe2)2]和[W(NtBu)2(NEtMe)2]除外)、化合物[W(NtBu)2(NRARB)2](I)的用途以及在表面上具有钨层或含钨层的衬底。通过所述方法,[W(NtBu)2(NRARB)2](I)型的限定的双(叔丁基酰亚胺基)双(二烷基酰胺基)钨化合物可以容易地、经济地且可再现地以高纯度和良好收率制备。由于其高纯度,所述化合物适于制备具有钨层或含钨层的高质量衬底。
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公开(公告)号:CN112313240A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201980040227.X
申请日:2019-07-26
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
Abstract: 本发明涉及符合通式[Ru(芳烃)(Ra‑N=CR1‑CR3=N‑Rb)]或[Ru(芳烃)((Rc,Rd)N‑N=CRH1‑CRH3=N‑N(Re,Rf))]的化合物。在这种情况下,芳烃选自由以下项组成的组:单核和多核芳烃以及杂芳烃。R1、R3、RH1、RH3和Ra‑Rf独立地选自由以下项组成的组:H、烷基基团(C1‑C10)和芳基基团。本发明还涉及用于制备这些化合物的方法、能够根据这些方法获得的化合物、它们的用途以及在其表面上具有钌层或含钌层的衬底。此外,本发明涉及用于制备化合物[Ru(芳烃)X2]2的方法、能够根据该方法获得的该类型的化合物以及它们的用途,其中芳烃选自由以下项组成的组:单核和多核芳烃,并且X=卤素。上述钌(0)化合物可以简单、经济有效和可再现的方式以高纯度和良好收率制备。由于它们的高纯度,它们适合用作钌(0)前体。
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公开(公告)号:CN105473598B
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201480046316.2
申请日:2014-08-18
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
IPC: C07F5/00
CPC classification number: C07F5/00
Abstract: 本发明涉及一种用于以高产率并且以高选择性和纯度成本效益地并且环境友好地生产烷基铟倍半氯化物的方法。根据本发明生产的烷基铟倍半氯化物也因为其高纯度和产率而特别适合于根据需要,以高产率和选择性并且以高纯度来生产含铟前体。可生产的这些含铟前体因为其高纯度而特别适合于金属‑有机化学气相沉积法(MOCVD)或金属‑有机气相外延法(MOVPE)。根据本发明的新颖方法特征是改善的工艺方案,尤其是一种快速的工艺操作。通过成本效益的并且具有低环境影响的起始物质的针对性的并且相当多的使用,该方法也适合于工业规模。
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