公开(公告)号：CN112531019B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202011131017.2

申请日：2015-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  C30B33/10 ,  C30B33/00 ,  C30B29/36 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明涉及碳化硅衬底。所述碳化硅衬底具有主表面，所述主表面具有小于或等于0.1nm的表面粗糙度(Ra)，以及所述主表面包含钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬，在所述主表面中，钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬各自具有小于或等于1.0×1012原子/cm2的浓度，其中，在所述主表面中的钒、钨、钼、铂和锆中的每一个具有大于或等于1.0×106原子/cm2的浓度。

公开(公告)号：CN113272480B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201980084296.0

申请日：2019-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅再生基板具有碳化硅基板和第一碳化硅层。所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相反的第二主面。所述第一碳化硅层与所述第一主面接触。所述碳化硅基板包括从所述第一主面朝向所述第二主面在10μm以内的基板区域。在与所述第一主面垂直的方向上，通过从所述基板区域的氮浓度的平均值减去作为所述基板区域的氮浓度的标准偏差的3倍的值而获得的值大于所述第一碳化硅层的氮浓度的最小值。

公开(公告)号：CN113811643B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202080034953.3

申请日：2020-04-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06

Abstract: 本公开内容所涉及的碳化硅衬底具有主面。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。在主面中，钠、铝、钾、钙、钛、铁、铜和锌各自的浓度小于5×1010原子/cm2的区域的总面积为主面的面积的95％以上。

公开(公告)号：CN114761628A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080082070.X

申请日：2020-11-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼 ,  上田俊策

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/304

Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑，所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下，凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。在第一主面中，镁的浓度小于1×1011原子/cm2。

公开(公告)号：CN113825863A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202080034932.1

申请日：2020-03-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面、第二主面和倒角部。第二主面位于与第一主面相反侧。倒角部与第一主面和第二主面各自连接。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。倒角部的表面锰浓度为1×1011原子/cm2以下。

公开(公告)号：CN111788339A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880090463.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼

IPC: C30B29/36

Abstract: 本公开的碳化硅基板为包含第一主表面和位于所述第一主表面的相反侧的第二主表面的碳化硅基板，并且由具有4H多型的碳化硅制成。所述第一主表面的最大直径为140mm以上。所述第一主表面为{0001}面或相对于所述{0001}面以大于0°且小于或等于8°的偏角倾斜的面。在所述第一主表面的平面内，与所述碳化硅基板的拉曼光谱的纵向光学分支的折叠模式相对应的峰的半峰宽的平均值小于2.5cm‑1，并且所述半峰宽的标准偏差为0.06cm‑1以下。

公开(公告)号：CN110079862A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910216446.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  B24B37/10 ,  C23C16/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法。碳化硅单晶衬底(1)包括第一主面(1b)和与第一主面(1b)相反的第二主面(1a)。所述第一主面(1b)具有100mm以上的最大直径。所述第一主面(1b)包括第一中心区域(IRb)，所述第一中心区域(IRb)为不包括从外周向内延伸3mm的区域(ORb)的第一主面(1b)。当将所述第一中心区域(IRb)划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)且具有5原子％以上且小于20原子％的氧浓度。因此，提供有效降低真空吸附失效发生的碳化硅单晶衬底和碳化硅外延衬底以及所述衬底的制造方法。

公开(公告)号：CN106133209B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201580017272.5

申请日：2015-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  B24B37/10 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/304

Abstract: 碳化硅单晶衬底(1)包括第一主面(1b)和与第一主面(1b)相反的第二主面(1a)。所述第一主面(1b)具有100mm以上的最大直径。所述第一主面(1b)包括第一中心区域(IRb)，所述第一中心区域(IRb)为不包括从外周向内延伸3mm的区域(ORb)的第一主面(1b)。当将所述第一中心区域(IRb)划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)且具有5原子％以上且小于20原子％的氧浓度。因此，提供有效降低真空吸附失效发生的碳化硅单晶衬底和碳化硅外延衬底以及所述衬底的制造方法。

公开(公告)号：CN107002280A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580063761.4

申请日：2015-11-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  C30B33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

Abstract: 一种碳化硅基板，其由碳化硅构成，且当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度等于或小于所述基板的直径。

公开(公告)号：CN106605289A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201580047727.8

申请日：2015-06-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼

IPC: H01L21/02 ,  B24B1/00 ,  B24B9/00 ,  C30B29/36 ,  H01L21/304

Abstract: 一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。