-
公开(公告)号:CN101578927A
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:CN200880001426.1
申请日:2008-01-16
申请人: 住友电气工业株式会社 , 住友电工印刷电路株式会社
CPC分类号: H05K3/44 , H01B1/22 , H05K1/056 , H05K1/097 , H05K3/4069 , H05K2201/09554 , H05K2203/0315 , H05K2203/105 , H05K2203/1136 , Y10T29/49128 , Y10T29/49165
摘要: 一种印刷布线板(1)提供有金属基板(2)、在金属基板(2)的表面上布置的绝缘层(3)以及在绝缘层(3)的表面上布置并且电连接到金属基板(2)的导电层(4)。在绝缘层(3)和导电层(4)上,形成有底通孔或贯通孔(6),有底通孔在金属基板(2)上具有底表面以及在绝缘层(3)和导电层(4)上具有侧壁,贯通孔(6)穿透绝缘层(3)、导电层(4)和金属基板(2)。用导电膏(7)填充有底通孔或贯通孔(6),用于将金属基板(2)和导电层(4)彼此电连接。印刷布线板(1)被处理成允许电流流到金属基板(2)和导电膏(7)之间的界面。
-
公开(公告)号:CN101091226A
公开(公告)日:2007-12-19
申请号:CN200680001569.3
申请日:2006-07-19
申请人: 住友电气工业株式会社
CPC分类号: H01F41/0246 , B22F1/02 , B22F2003/145 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , C22C33/02 , C22C2202/02 , H01F1/24 , H01F1/26 , H01F1/33 , H01F3/08 , Y10T428/12014 , Y10T428/2995 , Y10T428/32 , Y10T428/325 , B22F9/082 , B22F1/0088 , B22F3/02 , B22F3/24 , B22F3/14
摘要: 一种软磁性材料,其包括多个复合磁性颗粒(40),每个所述复合磁性颗粒都具有金属磁性颗粒(10)以及包围在该金属磁性颗粒表面的绝缘涂层(20),其中所述绝缘涂层(20)含有Si(硅),并且该绝缘涂层中所含有的大于或等于80%的Si构成了硅倍半氧烷骨架。因此,可以在抑制涡流损耗增加的同时有效地减小磁滞损耗。
-
公开(公告)号:CN101578927B
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200880001426.1
申请日:2008-01-16
申请人: 住友电气工业株式会社 , 住友电工印刷电路株式会社
CPC分类号: H05K3/44 , H01B1/22 , H05K1/056 , H05K1/097 , H05K3/4069 , H05K2201/09554 , H05K2203/0315 , H05K2203/105 , H05K2203/1136 , Y10T29/49128 , Y10T29/49165
摘要: 一种印刷布线板(1)提供有金属基板(2)、在金属基板(2)的表面上布置的绝缘层(3)以及在绝缘层(3)的表面上布置并且电连接到金属基板(2)的导电层(4)。在绝缘层(3)和导电层(4)上,形成有底通孔或贯通孔(6),有底通孔在金属基板(2)上具有底表面以及在绝缘层(3)和导电层(4)上具有侧壁,贯通孔(6)穿透绝缘层(3)、导电层(4)和金属基板(2)。用导电膏(7)填充有底通孔或贯通孔(6),用于将金属基板(2)和导电层(4)彼此电连接。印刷布线板(1)被处理成允许电流流到金属基板(2)和导电膏(7)之间的界面。
-
公开(公告)号:CN100573749C
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200680001569.3
申请日:2006-07-19
申请人: 住友电气工业株式会社
CPC分类号: H01F41/0246 , B22F1/02 , B22F2003/145 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , C22C33/02 , C22C2202/02 , H01F1/24 , H01F1/26 , H01F1/33 , H01F3/08 , Y10T428/12014 , Y10T428/2995 , Y10T428/32 , Y10T428/325 , B22F9/082 , B22F1/0088 , B22F3/02 , B22F3/24 , B22F3/14
摘要: 一种软磁性材料,其包括多个复合磁性颗粒(40),每个所述复合磁性颗粒都具有金属磁性颗粒(10)以及包围在该金属磁性颗粒表面的绝缘涂层(20),其中所述绝缘涂层(20)含有Si(硅),并且该绝缘涂层中所含有的大于或等于80%的Si构成了硅倍半氧烷骨架。因此,可以在抑制涡流损耗增加的同时有效地减小磁滞损耗。
-
-
-