熔融盐电池
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105830274A

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201480069131.3

    申请日:2014-11-06

    摘要: 一种熔融盐电池,其设置有:电极组,其具有第一电极、第二电极和将所述第一电极与所述第二电极电绝缘的隔膜;熔融盐电解质;有底的壳,其用于容纳所述电极组和所述熔融盐电解质且具有开口部;盖板,其用于密封所述壳的开口部;所述第一电极的第一外部端子和所述第二电极的第二外部端子;固定至所述第一外部端子的汇流条部件;第一绝缘部,其夹设于所述第一外部端子和所述汇流条部件之间从而将所述汇流条部件与所述第一外部端子电绝缘;温度保险丝部件,其与所述汇流条部件和所述第一外部端子电连接且在周围温度低于基准温度T1时在所述汇流条部件和所述第一外部端子之间提供电连接;和固定构件,其将所述温度保险丝部件以与所述盖板的表面接触或接近的状态固定至所述盖板。所述熔融盐电池构造为使得充电电流从所述汇流条部件经由所述温度保险丝部件输入至所述第一外部端子。

    氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法

    公开(公告)号:CN100361323C

    公开(公告)日:2008-01-09

    申请号:CN200410011852.7

    申请日:2004-09-22

    IPC分类号: H01L33/00 H01L21/02

    摘要: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法,利用磨削将在表面上具有C面的氮化物半导体衬底的表面加工为面粗糙度Rms5nm~200nm。大幅度地减少了磨削时间,降低了成本。面粗糙度增加,包含数目多的凹部,从凹部倾斜地生长的结晶使位错集中于面与面的边界上,使位错从边界起朝向凹部的底部移动,由此使位错集结于凹部的底部,这样使外延生长层的位错密度减少。因为衬底的面粗糙度大,故外延生长层的表面几何形态较差,但降低了位错密度。可减少对器件特性影响大的位错密度,成为在低成本方面有用的衬底。根据本发明,能以外延生长方式生长位错密度低的GaN薄膜、InGaN薄膜、AlGaN薄膜等的氮化物类半导体薄膜,提供低成本的氮化物半导体衬底。

    熔融盐电池
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105830274B

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201480069131.3

    申请日:2014-11-06

    摘要: 一种熔融盐电池,其设置有:电极组,其具有第一电极、第二电极和将所述第一电极与所述第二电极电绝缘的隔膜;熔融盐电解质;有底的壳,其用于容纳所述电极组和所述熔融盐电解质且具有开口部;盖板,其用于密封所述壳的开口部;所述第一电极的第一外部端子和所述第二电极的第二外部端子;固定至所述第一外部端子的汇流条部件;第一绝缘部,其夹设于所述第一外部端子和所述汇流条部件之间从而将所述汇流条部件与所述第一外部端子电绝缘;温度保险丝部件,其与所述汇流条部件和所述第一外部端子电连接且在周围温度低于基准温度T1时在所述汇流条部件和所述第一外部端子之间提供电连接;和固定构件,其将所述温度保险丝部件以与所述盖板的表面接触或接近的状态固定至所述盖板。所述熔融盐电池构造为使得充电电流从所述汇流条部件经由所述温度保险丝部件输入至所述第一外部端子。