公开(公告)号：CN106415815B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201580025703.2

申请日：2015-03-25

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 久保田良辅 ,  木村炼 ,  田中聪 ,  小桥一仁

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02027 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/027 ,  H01L21/046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备SiC衬底(10)的步骤；将所述SiC衬底(10)固定到静电吸盘(20)上并且对所述SiC衬底(10)进行热处理的步骤，以及对被固定到所述静电吸盘(20)上并且被热处理的所述SiC衬底(10)执行离子注入处理的步骤。所述热处理的步骤包括：外周侧吸附步骤，其在所述SiC衬底(10)的外周区域(12)和所述静电吸盘(20)的外周部(22)之间产生静电吸引力，所述外周部(22)面对所述外周区域(12)；以及内周侧吸附步骤，其是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的，并且在所述SiC衬底(10)的内周区域(11)和所述静电吸盘(20)的内周部(21)之间产生静电吸引力，所述内周部(21)面对所述内周区域(11)。

公开(公告)号：CN106415815A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580025703.2

申请日：2015-03-25

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 久保田良辅 ,  木村炼 ,  田中聪 ,  小桥一仁

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02027 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/027 ,  H01L21/046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备SiC衬底(10)的步骤；将所述SiC衬底(10)固定到静电吸盘(20)上并且对所述SiC衬底(10)进行热处理的步骤，以及对被固定到所述静电吸盘子注入处理的步骤。所述热处理的步骤包括：外周侧吸附步骤，其在所述SiC衬底(10)的外周区域(12)和所述静电吸盘(20)的外周部(22)之间产生静电吸引力，所述外周部(22)面对所述外周区域(12)；以及内周侧吸附步骤，其是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的，并且在所述SiC衬底(10)的内周区域(11)和所述静电吸盘(20)的内周部(21)之间产生静电吸引力，所述内周部(21)面对所述内周区域(11)。(20)上并且被热处理的所述SiC衬底(10)执行离