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公开(公告)号：CN104520999A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380041445.8
申请日：2013-09-17
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/7395
摘要： 具有第一导电类型的杂质的碳化硅衬底(39)的第一部分(31a)布置得比第一深度位置深。第二部分(31b)布置为从第一深度位置延伸到比第一深度位置浅的第二深度位置。第三部分(31c)布置为从第二深度位置延伸到主表面(P2)。第二部分(31b)具有比第一部分(31a)的第一杂质浓度高的第二杂质浓度。第三部分(31c)具有不小于第一杂质浓度且小于第二杂质浓度的第三杂质浓度。具有第二导电类型的杂质的体区(32)在比第一深度位置浅的且比第二深度位置深的深度位置处具有杂质浓度峰值。
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公开(公告)号：CN106415815B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201580025703.2
申请日：2015-03-25
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/027 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02027 , H01L21/02005 , H01L21/027 , H01L21/046 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/6838 , H01L23/562 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要： 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备SiC衬底(10)的步骤；将所述SiC衬底(10)固定到静电吸盘(20)上并且对所述SiC衬底(10)进行热处理的步骤，以及对被固定到所述静电吸盘(20)上并且被热处理的所述SiC衬底(10)执行离子注入处理的步骤。所述热处理的步骤包括：外周侧吸附步骤，其在所述SiC衬底(10)的外周区域(12)和所述静电吸盘(20)的外周部(22)之间产生静电吸引力，所述外周部(22)面对所述外周区域(12)；以及内周侧吸附步骤，其是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的，并且在所述SiC衬底(10)的内周区域(11)和所述静电吸盘(20)的内周部(21)之间产生静电吸引力，所述内周部(21)面对所述内周区域(11)。
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公开(公告)号：CN106415815A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580025703.2
申请日：2015-03-25
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/027 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02027 , H01L21/02005 , H01L21/027 , H01L21/046 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/6838 , H01L23/562 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要： 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备SiC衬底(10)的步骤；将所述SiC衬底(10)固定到静电吸盘(20)上并且对所述SiC衬底(10)进行热处理的步骤，以及对被固定到所述静电吸盘子注入处理的步骤。所述热处理的步骤包括：外周侧吸附步骤，其在所述SiC衬底(10)的外周区域(12)和所述静电吸盘(20)的外周部(22)之间产生静电吸引力，所述外周部(22)面对所述外周区域(12)；以及内周侧吸附步骤，其是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的，并且在所述SiC衬底(10)的内周区域(11)和所述静电吸盘(20)的内周部(21)之间产生静电吸引力，所述内周部(21)面对所述内周区域(11)。(20)上并且被热处理的所述SiC衬底(10)执行离
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