公开(公告)号：CN105074897A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009879.4

申请日：2014-02-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山田里美 ,  筑野孝

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/78 ,  H01L22/24 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种制造碳化硅半导体器件(1)的方法，包括以下步骤：制备具有第一主表面(80b)以及与第一主表面(80b)相反的第二主表面(80a)的碳化硅衬底(80)；蚀刻第一主表面(80b)而使包括微管道的蚀刻坑(3a)出现在第一主表面(80b)上；获得关于第一主表面(80b)上的微管道的二维位置信息；碳化硅衬底切割成多个芯片(C12-C65)。基于二维位置信息选择芯片(C12-C65)。第一主表面(80b)是硅面或者从硅面偏离小于或等于10°的角的面。由此，可提供一种可以高精度筛选出包括微管道的芯片的制造碳化硅半导体器件的方法。