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公开(公告)号：CN115803468A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180047632.1
申请日：2021-07-30
申请人： 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
IPC分类号： C22C29/16
摘要： 立方晶氮化硼烧结体包含70体积％以上且小于100体积％的立方晶氮化硼、以及结合材料，结合材料包含第一材料和第二材料，第一材料为包含选自由钨、钴以及铝组成的群组中的至少一种第一金属元素的一个或两个以上的第一化学物种，第一化学物种为金属、合金、金属间化合物、化合物或固溶体，第二材料为包含选自由钛、锆、铪、钒、铌、钽以及铬组成的群组中的至少一种第二金属元素的一个或两个以上的第二化学物种，第二化学物种为源自选自由氮化物、碳化物以及碳氮化物组成的群组中的至少一种的固溶体，且在第二化学物种中，固溶有0.1原子％以上且10原子％以下的铝，第二材料为具有1μm以下的平均粒径的颗粒。
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公开(公告)号：CN107109691A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680006136.0
申请日：2016-07-22
申请人： 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC分类号： C30B29/04 , B21C3/025 , C23C16/27 , C23C16/274 , C30B9/00 , C30B25/105 , C30B25/186 , C30B25/20
摘要： 在单晶金刚石材料中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中，非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下，置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具，其包含单晶金刚石拉丝模，其中在所述单晶金刚石拉丝模中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面，所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。
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公开(公告)号：CN117957208A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202180102395.4
申请日：2021-10-01
申请人： 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C04B35/5831 , B23B27/14 , C04B41/87 , C23C28/04
摘要： 一种立方晶氮化硼烧结体，其具备立方晶氮化硼颗粒和结合材料，其中，所述立方晶氮化硼烧结体的所述立方晶氮化硼颗粒的含有率为30体积％以上且80体积％以下，所述结合材料包含选自由单质、合金以及金属间化合物组成的第二组中的至少一种，所述单质是选自由周期表的第四族元素、第五族元素、第六族元素、铝、硅、铁、钴以及镍组成的第一组中的一种元素的单质，所述合金以及金属间化合物是由选自所述第一组中的两种以上的元素构成的合金以及金属间化合物，或者所述结合材料包含选自由化合物以及所述化合物的固溶体组成的第四组中的至少一种，所述化合物是由选自所述第一组中的一种元素和选自由氮、碳、硼以及氧组成的第三组中的至少一种元素构成的化合物，所述立方晶氮化硼烧结体的空隙的含有率为0.001体积％以上且0.20体积％以下。
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公开(公告)号：CN109982812A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780070379.5
申请日：2017-08-07
申请人： 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC分类号： B23Q11/00 , B23B27/14 , B23B27/20 , B23C3/00 , B23C5/16 , B23Q11/10 , B23Q17/00 , B23Q17/10 , C01B32/25 , C23C16/27 , C30B29/04
摘要： 一种通过使用包含纳米多晶金刚石或气相合成单晶金刚石的金刚石工具对工件进行加工的方法，所述纳米多晶金刚石含有10ppm以上且1000ppm以下的氮原子，所述气相合成单晶金刚石含有1ppm以上且100ppm以下的氮原子，在对所述工件进行加工时，所述金刚石工具在所述工件与所述金刚石工具的接触点处具有400℃以下的温度，距离所述接触点3cm以内的空间区域中具有20％以下的氧气浓度。
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公开(公告)号：CN108474136A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780007532.X
申请日：2017-01-18
申请人： 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
IPC分类号： C30B29/04 , A44C27/00 , C01B32/26 , C23C16/01 , C23C16/27 , C30B25/08 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC分类号： A44C27/00 , C01B32/26 , C23C16/01 , C23C16/27 , C30B25/08 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/205
摘要： 本发明提供一种制造单晶金刚石的方法、所述方法包括如下步骤：在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜的步骤；准备金刚石籽晶衬底的步骤；将具有保护膜的辅助板和金刚石籽晶衬底布置在腔室内的步骤，在所述具有保护膜的辅助板中所述保护膜形成在所述辅助板上；以及在将含碳气体引入所述腔室内的同时通过化学气相沉积法在所述金刚石籽晶衬底的主面上生长单晶金刚石的步骤。
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公开(公告)号：CN107923067A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680046754.8
申请日：2016-10-14
申请人： 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC分类号： B21C3/025 , B21C3/02 , B23B27/14 , B23B27/20 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/04
摘要： 本发明提供了一种单晶金刚石，其包括一组彼此相对的主表面，其中，在主表面中，杂质浓度沿着第一方向变化。
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公开(公告)号：CN104603335B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201480002248.X
申请日：2014-04-02
申请人： 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC分类号： C30B29/04 , C30B25/00 , C30B25/105
摘要： 单晶金刚石(10)为引入了缺陷部(11)的单晶金刚石。所述缺陷部(11)能够通过在利用圆偏振光照射单晶金刚石(10)时产生的相位差而被检测。在单晶金刚石(10)中，在以具有1mm边长的正方形的形状形成的测定区域(M)内测定的相位差的平均值的最大值为30nm以上。
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公开(公告)号：CN106460226A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032164.5
申请日：2015-07-14
申请人： 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC分类号： C30B29/04 , C01B32/25 , C30B25/186 , C30B25/20
摘要： 本发明提供单晶金刚石、制造所述单晶金刚石的方法以及包含所述金刚石的工具，所述单晶金刚石以均衡方式提高了硬度和耐缺损性。单晶金刚石含有氮原子，且所述单晶金刚石中的孤立置换型氮原子的数目对所述单晶金刚石中的氮原子总数之比为0.02％以上且低于40％。
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公开(公告)号：CN116472132A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202080106117.1
申请日：2020-10-22
申请人： 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC分类号： B23B27/20
摘要： 一种金刚石烧结体，其包含金刚石颗粒，其中，上述金刚石颗粒的含有率相对于上述金刚石烧结体为80体积％以上且99体积％以下，上述金刚石颗粒的平均粒径为0.1μm以上且50μm以下，上述金刚石颗粒的位错密度为1.2×1016m‑2以上且5.4×1019m‑2以下。
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