公开(公告)号：CN108230904A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711470800.X

申请日：2017-12-28

Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司

Inventor： 李朝

IPC: G09F9/30 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: G09F9/301 ,  H01L21/7806 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种柔性面板的制备方法及柔性显示装置。其中，该方法包括：在玻璃基板上形成保护层；在保护层上形成柔性材料层；在柔性材料层上依次形成薄膜晶体管、有机功能层以及封装层以形成柔性面板；通过激光剥离的方式使玻璃基板与柔性材料层分离，得到柔性面板。通过上述方法，可以将玻璃基板与柔性材料完全剥离，降低柔性材料剥离的不良率，同时提高柔性显示器的光学特性。

公开(公告)号：CN104008991B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201310415442.8

申请日：2013-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵恩亨 ,  崔濬熙 ,  孙镇升 ,  文彰烈

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L21/7806 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3192 ,  H01L27/153 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1856 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/32341 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种转移半导体元件的方法，其用于将形成在非柔性衬底上的半导体元件转移到柔性衬底。此外，本发明还提供了基于转移半导体元件的方法来制造柔性半导体器件的方法。生长或形成在衬底上的半导体元件可以在保持布置的同时有效地转移到树脂层。树脂层用作支撑竖直半导体元件的柔性衬底。

公开(公告)号：CN107871661A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710865895.9

申请日：2017-09-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·法齐内利 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L21/7806 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/304 ,  H01L29/36

Abstract: 一种用于分割半导体晶片的方法，包括将氢原子并入半导体晶片的至少分割区域。分割区域具有高于1·1015cm-3的氮原子浓度。该方法还包括在半导体晶片的分割区域处分割半导体晶片。

公开(公告)号：CN107799406A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710769935.X

申请日：2017-08-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K·皮尔希

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/268 ,  H01L21/681 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L21/304 ,  H01L21/7806

Abstract: 根据多种实施例，一种用于加工晶片的方法包括：在晶片之上扫描聚焦激光束，以在晶片内形成缺陷结构，所述缺陷结构限定出：晶片的位于缺陷结构的第一侧的第一区域、晶片的位于缺陷结构的与第一侧相反的第二侧的第二区域以及侧向围绕所述缺陷结构且从晶片的第一表面延伸到晶片的与所述第一表面相反第二表面的边缘区域。所述第一区域的表面积大于所述边缘区域的表面积，所述第二区域通过所述边缘区域连接到所述第一区域。所述方法还可包括：沿着所述缺陷结构将所述第一区域和所述第二区域彼此分离，并使第一区域保持为一体。

公开(公告)号：CN103890908B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280051546.9

申请日：2012-10-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中嶋经宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明提供一种从投入晶片制造工艺时就能够使用Si薄晶片而不会产生实质的晶片断裂、并能够容易地进行Si薄晶片与支承基板的剥离、从而降低晶片成本的固相键合晶片的支承基板的剥离方法以及半导体装置的制造方法。在从包括Si晶片和与该Si晶片的背面固相键合的支承基板的固相键合晶片上剥离所述支承基板的方法中，本发明的剥离支承基板的方法至少包括：断裂层形成工序，在该断裂层形成工序中，使聚光点对准所述Si晶片与所述支承基板的固相键合界面，并照射出使用了具有可透过Si晶片的波长的激光，从而在所述固相键合界面的外周部的至少一部分上形成断裂层；剥离所述断裂层的断裂层剥离工序；以及剥离所述固相键合界面的键合界面剥离工序。

公开(公告)号：CN103545201B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210571419.3

申请日：2012-12-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马克范·达尔

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L21/7806 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种制造碳层的系统和方法。实施例包括在衬底上沉积第一金属层，该衬底包括碳。在衬底上外延生长硅化物，外延生长硅化物也在硅化物上方形成碳层。在一个实施例中，碳层是石墨烯，并且可以将该碳层转移半导体衬底以进一步处理从而在石墨烯内形成沟道。

公开(公告)号：CN105374829A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510864496.1

申请日：2015-12-01

Applicant: 上海天马有机发光显示技术有限公司 ,  天马微电子股份有限公司

Inventor： 王飞

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明涉及一种柔性显示基板，及其柔性显示基板结构，以及该柔性显示基板的制造方法。本发明的柔性显示基板结构中的离型层采用含有分子间氢键的无机物材料，当离型层接受足够能量的光照辐射时，材料中的分子间氢键被破坏，氢元素溢出，造成离型层破碎从而转变成被剥离的结构，实现柔性基板的剥离；一方面，该离型层不会在后续的制作过程中因温度的影响产生气泡，从而可以保证柔性基板在整个柔性显示装置的制作过程中保持平整；另一方面，离型层的剥离过程也不会影响到柔性基板上的显示元件等；可以大大提高柔性显示装置的良率。

公开(公告)号：CN104821293A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510058084.9

申请日：2015-02-04

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤泰则 ,  宇津木洋 ,  立山优贵 ,  清水智之 ,  照井弘敏

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: B32B43/006 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明涉及层叠体的剥离开始部制作方法和装置及电子器件制造方法。一种层叠体的剥离开始部制作方法，对于第1基板以能够剥离的方式粘贴于第2基板而形成的层叠体，将刀自上述层叠体的端面的至少一部分向上述第1基板和上述第2基板之间的界面插入预定量从而在上述界面制作剥离开始部，其中，向上述刀供给间隔物，通过将附着有上述间隔物的上述刀插入上述界面而制作上述剥离开始部。

公开(公告)号：CN104779143A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510209968.X

申请日：2015-04-29

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 胡文 ,  胡卉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/02521 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明公开了一种设置在基底上的薄膜及其制备方法，本发明设置在基底上的薄膜包括基底层和薄膜层，薄膜层的厚度为10~30×103纳米，基底层材料和薄膜层材料的热膨胀系数不同；制备方法为先制备在同种材料基底上的薄膜层，薄膜层和同种材料基底之间有一层牺牲层，然后将薄膜层键合到目标基底上，再将牺牲层去除，最终得到目标基底上的薄膜层；本发明的薄膜为基底材料和薄膜材料的膨胀系数差别较大时，形成的膜厚均匀，缺陷密度低的薄膜层，薄膜的厚度达到纳米级；通过在不同材料上制备的薄膜，能实现各种材料生产工艺和生产线的兼容，可以将基底材料的半导体器件和薄膜器件进行集成，提高薄膜材料的可加工性能，进而生产出性能优良的新型器件。

公开(公告)号：CN104716081A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510138382.9

申请日：2015-03-26

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘陆 ,  谢明哲

IPC: H01L21/683

CPC classification number: B32B38/10 ,  B32B27/281 ,  B32B37/14 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2457/206 ,  G02F1/133305 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/7806 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/003 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供了一种柔性装置及其制作方法，该方法包括：在刚性基底上形成牺牲层；在所述牺牲层之上形成反射层；在所述反射层的上方制作柔性显示器件；使用激光照射所述牺牲层，将刚性基底剥离。本发明中，由于在牺牲层上方还形成有反射层，能够在进行剥离时，将照射的激光反射回牺牲层，这样就增加了牺牲层所吸收的激光的能量。从而能够降低剥离过程中所需要使用的激光的能量。