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公开(公告)号：CN1155105C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN98108044.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，包括：基底，由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料；所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率，在没有所述表面材料的状态下，由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流；其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光，从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN1201265A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN98108044.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , E04D13/18 , H02N6/00
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件,包括:基底,由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料;所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率,在没有所述表面材料的状态下,由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流;其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光,从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN101355834B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810133474.8
申请日：2008-07-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L27/3269 , G09G3/14 , G09G3/3216 , G09G3/3225 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/0693 , G09G2360/145 , H01L2251/562
Abstract: 本发明提供一种制造有机电致发光显示设备的方法，所述有机电致发光显示设备包括形成在基板上的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置包括：第一电极和第二电极，它们中的至少一个是透明的；以及形成在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发射层，所述有机发射层用于通过电流施加而发光。执行老化，直到在预定的亮度下每单位时间的所述有机电致发光装置的电流效率的变化速率或者每单位时间的所述有机电致发光装置的电流效率的变化速率的每单位时间的变化量落入预定的范围内。
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公开(公告)号：CN1534798A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410008588.1
申请日：2004-03-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种叠层型光生伏打元件，由从光的入射侧起依次叠层的至少一组第1光生伏打元件和第2光生伏打元件构成，其特征在于：在至少一组的第1光生伏打元件和第2光生伏打元件之间，配有将它们电导通连接的选择反射层，该选择反射层的表面电阻大于等于100kΩ/□且小于等于100MΩ/□。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1516289A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310124701.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/04 , H01L31/075
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，其中含有可透射导电层和保护件并且在特定波长范围内具有低透光率的表面材料设在由多个非单晶半导体结构成的光电转换部分的光入射表面上并且其中在长期使用期间在通过所述表面材料的光照射下由所述多个半导体结中具有最好特性的半导体结产生的光电流总是小于由其它半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN101355834A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810133474.8
申请日：2008-07-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/3269 , G09G3/14 , G09G3/3216 , G09G3/3225 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/0693 , G09G2360/145 , H01L2251/562
Abstract: 本发明提供一种制造有机电致发光显示设备的方法，所述有机电致发光显示设备包括形成在基板上的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置包括：第一电极和第二电极，它们中的至少一个是透明的；以及形成在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发射层，所述有机发射层用于通过电流施加而发光。执行老化，直到在预定的亮度下每单位时间的所述有机电致发光装置的电流效率的变化速率或者每单位时间的所述有机电致发光装置的电流效率的变化速率的每单位时间的变化量落入预定的范围内。
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公开(公告)号：CN1311564C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200310124701.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/04
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，其中含有可透射导电层和保护件并且对特定波长范围内的光具有低透射率的表面材料设置在由多个非单晶半导体结构成的光电转换部分的光入射表面上，并且其中在长期使用期间，在通过所述表面材料的光照射下，由所述多个半导体结中具有最好特性的半导体结产生的光电流总是小于由其它半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN1299366C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410008588.1
申请日：2004-03-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种叠层型光生伏打元件，由从光的入射侧起依次叠层的至少一组第1光生伏打元件和第2光生伏打元件构成，其特征在于：在至少一组的第1光生伏打元件和第2光生伏打元件之间，配有将它们电导通连接的选择反射层，该选择反射层的表面电阻大于等于100kΩ/□且小于等于100MΩ/□。
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公开(公告)号：CN1260599A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN99127779.1
申请日：1999-12-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67236 , H01L21/67253 , H01L21/6776
Abstract: 一种衬底处理方法,包括输送衬底通过相互连通的多个处理空间,并在其中处理所述衬底的步骤,其中根据作为所述多个处理空间之一的处理空间(a)的内压来控制所述处理空间(a)的内压和设在处理空间(a)前后的至少一个处理空间(b)的内压。以及一种衬底处理设备,包括多个处理空间、衬底输送装置和压力计,其中,所述衬底处理设备具有用于根据从所述压力计获得的信息,来控制所述处理空间(a)的内压和设在处理空间(a)前后的至少一个处理空间(b)的内压的控制单元。
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