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公开(公告)号：CN1229874C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN00128618.8
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/1824 , Y02B10/12 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种光电元件、其制造方法、及使用其的建筑材料和发电装置，该光电元件具有层叠结构，包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层，其中，所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说近球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上所说第二半导体层的所说近球形微晶相的平均尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1311564C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200310124701.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/04
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，其中含有可透射导电层和保护件并且对特定波长范围内的光具有低透射率的表面材料设置在由多个非单晶半导体结构成的光电转换部分的光入射表面上，并且其中在长期使用期间，在通过所述表面材料的光照射下，由所述多个半导体结中具有最好特性的半导体结产生的光电流总是小于由其它半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN1516289A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310124701.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/04 , H01L31/075
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，其中含有可透射导电层和保护件并且在特定波长范围内具有低透光率的表面材料设在由多个非单晶半导体结构成的光电转换部分的光入射表面上并且其中在长期使用期间在通过所述表面材料的光照射下由所述多个半导体结中具有最好特性的半导体结产生的光电流总是小于由其它半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN1155105C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN98108044.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，包括：基底，由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料；所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率，在没有所述表面材料的状态下，由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流；其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光，从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN1284749A
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：CN00128618.8
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/1824 , Y02B10/12 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种具有层叠结构的光电元件,包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层,其中,所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上所说第二层的所说球形微晶相的平均尺寸。
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公开(公告)号：CN1201265A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN98108044.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , E04D13/18 , H02N6/00
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件,包括:基底,由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料;所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率,在没有所述表面材料的状态下,由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流;其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光,从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
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