复合基板、纳米碳膜的制作方法和纳米碳膜

    公开(公告)号:CN111403265A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN202010233868.1

    申请日:2015-12-16

    Abstract: 本发明涉及复合基板、纳米碳膜的制作方法和纳米碳膜。本发明提供一种纳米碳膜形成用复合基板的制造方法,其中,从单晶碳化硅基板的表面注入离子以形成离子注入区域,在该单晶碳化硅基板的离子注入面、以及操作基板的与单晶碳化硅基板贴合的表面分别形成薄膜,使得这些薄膜的合计膜厚为2nm以上且1μm以下,接着,将所述单晶碳化硅基板的离子注入面上的薄膜与操作基板上的薄膜贴合后,在所述离子注入区域剥离单晶碳化硅基板,使单晶碳化硅薄膜转印到操作基板上,进而对该单晶碳化硅薄膜进行研磨,从而获得的纳米碳膜形成用复合基板。

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