公开(公告)号：CN102197476B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN200980142002.1

申请日：2009-08-28

申请人： 先进微装置公司

发明人： R·塞德尔 ,  F·费尤斯特 ,  R·里克特

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/53276 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 在半导体器件中，可基于含碳材料形成延伸穿过该器件的衬底的导通孔，从而提供与高温工艺良好的兼容性，同时还提供比掺杂半导体材料等优越的电性性能。因此，在一些实施例中，可在形成关键电路元件的任意工艺步骤之前形成该导通孔，以实质上避免该导通孔结构与该相应半导体器件的器件层的任何干扰。因此，可实现高效的三维集成方案。

公开(公告)号：CN102197476A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142002.1

申请日：2009-08-28

申请人： 先进微装置公司

发明人： R·塞德尔 ,  F·费尤斯特 ,  R·里克特

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/53276 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 在半导体器件中，可基于含碳材料形成延伸穿过该器件的衬底的导通孔，从而提供与高温工艺良好的兼容性，同时还提供比掺杂半导体材料等优越的电性性能。因此，在一些实施例中，可在形成关键电路元件的任意工艺步骤之前形成该导通孔，以实质上避免该导通孔结构与该相应半导体器件的器件层的任何干扰。因此，可实现高效的三维集成方案。