公开(公告)号：CN108538811A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810229880.8

申请日：2018-03-20

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 赵文生 ,  傅楷 ,  徐魁文 ,  董林玺 ,  王高峰

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76819 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/552

摘要： 本发明公开一种运用硅通孔的低阻止区差分传输结构及其层间互连结构。本发明在兼顾屏蔽差分硅通孔优良电学传输性能的同时，显著改善了差分硅通孔传输结构的热力学特性。具体体现在利用硅通孔的差分传输结构制备过程中由于热应力不匹配造成的阻止布局区的减小，有利于在大规模阵列中晶体管集成度的提高。在三维集成电路的实际应用中，往往涉及多层结构间的差分信号传输。为提高传输效率，本发明公开一种层间结构的交叉互连方法。

公开(公告)号：CN108122868A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711186765.9

申请日：2017-11-24

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： B·S·库克 ,  A·维诺戈帕 ,  L·哥伦布 ,  R·R·多林

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/324 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53276 ,  H01L27/0248 ,  H01L2224/48463 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/3738

摘要： 本申请涉及经过附加处理的热引导沟槽，其中公开了一种集成电路(100)，其具有包括半导体材料(104)的衬底(102)以及设置在衬底(102)之上的互连区(106)。该集成电路(100)包括衬底(102)中的热引导沟槽(130)。热引导沟槽(130)包括其中相邻纳米颗粒(135)彼此粘附的粘附纳米颗粒膜(134)。热引导沟槽(130)具有比接触热引导沟槽(130)的半导体材料(104)更高的热导率。粘附纳米颗粒膜(134)通过附加工艺来形成。

公开(公告)号：CN107768348A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710871387.1

申请日：2017-09-25

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 汪洋 ,  平德顺

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L23/53209 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5328

摘要： 本发明公开了一种用于铜互联的导电阻挡层材料及其制备方法。该材料包括以下组分：碳酸锂、镍粉、氧化铜、氧化铝、二氧化钛、硬脂酸、油酸、钛酸钠、钙钛矿、氮化硅、异丙醇铝、纳米碳、马来酸酐接枝剂、聚乙二醇。制备过程为，清洗基片；混合碳酸锂、镍粉、氧化铜、氧化铝、二氧化钛、硬脂酸、油酸、钛酸钠、钙钛矿、氮化硅、异丙醇铝、纳米碳、马来酸酐接枝剂、聚乙二醇；再将混合物依次与基片和Cu完成磁控溅射获得导电阻挡层材料。与现有技术相比，本发明所提供的阻挡层材料热稳定高，抗氧化性、方块电阻低，长久防止亦未出现Cu-Si化合物。

公开(公告)号：CN103227165B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201310029975.2

申请日：2013-01-25

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 道格拉斯·M·雷伯

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开一种具有纳米管层的半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件（10）的方法包括在衬底上形成第一导电层（14、16）。在第一导电层上形成具有第一开口（20）的介电层（18）。在第一介电层上以及第一开口内沉积种层（22）。由来自第一介电层以及第一开口上的种层的导电纳米管（26）形成一层。在导电纳米管层上形成第二介电层（30）。在第一开口上的第二介电层内形成开口（32）。在第二开口内沉积导电材料（34、36）。

公开(公告)号：CN103996651B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310182466.3

申请日：2013-05-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨士亿 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  吴宪昌

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5328 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/734 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括：提供包括形成在第一绝缘材料中的导电部件和设置在第一绝缘材料上方的第二绝缘材料的工件。第二绝缘材料具有在导电部件上方的开口。该方法包括：在第二导电材料中的开口内的导电部件的暴露顶面上方形成基于石墨烯的导电层，并且在第二绝缘材料中的开口的侧壁上方形成基于碳的粘合层。在图案化第二绝缘材料中的基于石墨烯的导电层和基于碳的粘合层上方形成碳纳米管（CNT）。

公开(公告)号：CN106558646A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610616639.1

申请日：2016-07-29

申请人： 正昌新视界有限公司

发明人： 曹惠兰

IPC分类号： H01L33/62 ,  G09F9/33

CPC分类号： H01L27/156 ,  G09F9/301 ,  H01L23/14 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5328 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0066 ,  G09F9/33

摘要： 本发明乃藉由在透明可挠基板上利用可挠线路设计，搭配单色LED或全彩LED背面导电端子位置的变化，使得单色LED或全彩LED可应用于透明可挠基板，且本发明乃利用桥接技术使交错之线路可藉由绝缘层加以隔离，故仅需单层基板，不仅可解决LED显示屏之复杂线路问题，提供一高密度排列的全彩LED显示屏，且可大幅节省制程及材料成本。

公开(公告)号：CN101959788B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN200880127676.X

申请日：2008-02-29

申请人： 富士通株式会社

发明人： 近藤大雄 ,  岩井大介 ,  山口佳孝 ,  曾我育生

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/373 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  C01B32/05 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H05K3/40

CPC分类号： H01L23/53276 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/4038 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

摘要： 具有：多个线状结构体束(12)，该线状结构体束(12)包括彼此以第一间隙配置的由碳元素构成的多个线状结构体，该多个线状结构体束彼此以比上述第一间隙大的第二间隙配置；石墨层域，并与多个线状结构体束连接；填充层(16)，其填充在第一间隙及第二间隙中，用于保持多个线状结构体束(12)及石墨层(14)。(14)，其形成在多个线状结构体束(12)之间的区

公开(公告)号：CN106233453A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020424.7

申请日：2015-02-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李昌锡 ,  申铉振 ,  朴晟准 ,  任桐贤 ,  朴显 ,  申建旭 ,  李钟鸣 ,  林汉镇

IPC分类号： H01L21/768 ,  C01B31/04

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E60/13 ,  H01L2924/00

摘要： 示例实施方式涉及布线结构、形成该布线结构的方法以及采用该布线结构的电子装置。该布线结构包括第一导电材料层和在第一导电材料层上与金属层直接接触的纳米晶石墨烯层。

公开(公告)号：CN105602333A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201511028377.9

申请日：2011-06-28

申请人： 纳克公司

发明人： 希夫库马尔·基鲁沃卢 ,  伊戈尔·奥尔特曼 ,  伯纳德·M·弗雷 ,  李卫东 ,  刘国钧 ,  罗伯特·B·林奇 ,  吉娜·伊丽莎白·佩格拉-梁 ,  乌马·斯里尼瓦桑

IPC分类号： C09D7/12 ,  C09D7/14 ,  C09D11/10 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C09D11/38 ,  B01D21/262 ,  B01J19/121 ,  B01J2219/0869 ,  B01J2219/0871 ,  B01J2219/0875 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/02 ,  C08K3/08 ,  C08K3/36 ,  C08K9/02 ,  C09D5/24 ,  C09D7/67 ,  C09D7/68 ,  C09D7/80 ,  C09D11/037 ,  C09D11/101 ,  C09D11/322 ,  C09D11/36 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L23/4828 ,  H01L23/53276 ,  H01L31/00 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1864 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请涉及硅/锗纳米粒子墨水和相关方法。本发明还描述了改进的硅纳米粒子墨水，其具有的硅纳米粒子未经任何有机化合物表面改性。硅墨水性质可经改造以用于特定印刷应用，例如喷墨印刷、凹版印刷或丝网印刷。本发明还描述了适当加工方法以不对硅纳米粒子进行表面改性即向墨水设计提供灵活性。

公开(公告)号：CN105206561A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201410230783.2

申请日：2014-05-28

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种互连结构的形成方法和一种半导体结构，所述互连结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层至衬底表面，在所述牺牲层内形成开口，所述开口暴露出部分衬底的表面；在所述开口底部的衬底上以及牺牲层上形成催化层；在所述催化层表面形成垂直于衬底表面的碳纳米管束；去除所述牺牲层、位于牺牲层上的催化层和碳纳米管束，保留位于所述开口内的碳纳米管束；形成覆盖所述衬底表面的第一介质层，所述第一介质层的表面与剩余的碳纳米管束的表面齐平；在所述第一介质层和碳纳米管束上形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第二导电层，所述第二导电层与碳纳米管束顶部电连接。所述方法可以提高互连结构的可靠性。