公开(公告)号：CN108369977B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201680070374.8

申请日：2016-09-29

申请人： 克利公司

发明人： 迈克尔·约翰·贝格曼 ,  马修·多诺弗里奥 ,  彼得·斯考特·安德鲁斯 ,  科林·布莱克利 ,  特洛伊·古尔德 ,  杰克·维优

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62

摘要： 倒装芯片LED(200)结合了多层反射器和沿着邻近于半导体层(211，212)的内表面(204)图案化(207)的透光基板(205)。多层反射器包括金属层(232)和包含导电过孔(231)的电介质层(230)。多层反射器的各部分在被钝化材料(240)覆盖的同时可以包围在包括有源区域(215)的LED台面(219)周围。图案化基板与多层反射器能够共同减少光学损失。接近于LED芯片的边缘的透光倒角材料能够实现利用发光材料的充分覆盖。芯片因焊料材料和/或接触的增加厚度而被升高，并且当反射性材料存在基台上时，芯片可以减少发光损失。用于利用发光材料涂覆芯片的方法包括下列一种或多种：成角度的喷涂、喷涂之前的倒角形成、模板岛状涂覆、以及可释放的胶带涂覆。

公开(公告)号：CN108369977A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680070374.8

申请日：2016-09-29

申请人： 克利公司

发明人： 迈克尔·约翰·贝格曼 ,  马修·多诺弗里奥 ,  彼得·斯考特·安德鲁斯 ,  科林·布莱克利 ,  特洛伊·古尔德 ,  杰克·维优

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2933/0041

摘要： 倒装芯片LED(200)结合了多层反射器和沿着邻近于半导体层(211，212)的内表面(204)图案化(207)的透光基板(205)。多层反射器包括金属层(232)和包含导电过孔(231)的电介质层(230)。多层反射器的各部分在被钝化材料(240)覆盖的同时可以包围在包括有源区域(215)的LED台面(219)周围。图案化基板与多层反射器能够共同减少光学损失。接近于LED芯片的边缘的透光倒角材料能够实现利用发光材料的充分覆盖。芯片因焊料材料和/或接触的增加厚度而被升高，并且当反射性材料存在基台上时，芯片可以减少发光损失。用于利用发光材料涂覆芯片的方法包括下列一种或多种：成角度的喷涂、喷涂之前的倒角形成、模板岛状涂覆、以及可释放的胶带涂覆。

公开(公告)号：CN113345988A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110604945.4

申请日：2016-09-29

申请人： 克利公司

发明人： 迈克尔·约翰·贝格曼 ,  马修·多诺弗里奥 ,  彼得·斯考特·安德鲁斯 ,  科林·布莱克利 ,  特洛伊·古尔德 ,  杰克·维优

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

摘要： 公开了一种包括倒装芯片发光二极管的发光设备，倒装芯片发光二极管包括：多个半导体层，包括第一半导体层和第二半导体层，发光有源区域布置在第一半导体层与第二半导体层之间；多层反射器，被布置成接近于多个半导体层，包括金属反射器层和电介质反射器层，其中，电介质反射器层布置在金属反射器层与多个半导体层之间；钝化层，布置在金属反射器层与第一电接触和第二电接触之间；以及导电微接触的第一阵列，延伸通过钝化层并且提供第一电接触与第一半导体层之间的电通信；导电微接触的第二阵列，延伸通过钝化层并且提供第二电接触与第二半导体层之间的电通信；势垒层，包括布置在金属反射器层与钝化层之间的多个金属；多个半导体层形成台面。