-
公开(公告)号：CN112002648A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010672215.3
申请日：2020-07-14
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司泰安供电公司
Abstract: 本发明提供一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件，方法包括在半导体层(1)的正面形成场限环终端(4)；采用热氧化工艺在场限环终端(4)的正面以预设的生长温度形成热氧化层(5)；在热氧化层(5)的正面形成氧化层(6)，通过设置热氧化层(5)大大降低了氧化层(6)产生孔洞的可能性，碳化硅功率器件在承受反向高电压时不易击穿，提高了碳化硅功率器件的良率和长期可靠性。
-
公开(公告)号：CN114518699A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011297090.7
申请日：2020-11-18
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司泰安供电公司
IPC: G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种倒梯形光刻胶侧壁形貌的制备方法及光刻胶，其包括：预处理晶圆和中心定位；在所得晶圆上涂光刻胶和前烘；再次涂光刻胶和前烘；曝光、显影和坚膜；本发明提供的技术方案有效提高了lift‑off工艺掩膜层侧壁形貌的可控性，实现了图形的精准转移，且操作方法简单。
-
公开(公告)号：CN111952173A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010632701.2
申请日：2020-07-01
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种基于外延工艺制备的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N+缓冲层、N-漂移层和N型载流子阻挡层，去除SiC衬底且对N+缓冲层进行抛光处理，采用外延工艺在N+缓冲层表面形成P+集电层；在N型载流子阻挡层表面形成栅极和发射极，并在P+集电层表面形成集电极，在N+缓冲层表面形成P+集电层后，无需再进行减薄工艺处理，减少了碎片概率，大大降低了生产成本；本发明在N+缓冲层表面形成P+集电层，得到的P+集电层掺杂浓度高，制备出的SiC IGBT损耗小，提高了SiC IGBT的导通特性，且采取的工艺与常规制备SiC IGBT的工艺兼容，提高工艺处理过程中的良品率。
-
公开(公告)号：CN110581181A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910908017.X
申请日：2019-09-24
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
Abstract: 本发明提供的一种肖特基二极管及其制备方法，其中所述肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。
-
公开(公告)号：CN110277315A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910395177.9
申请日：2019-05-13
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网福建省电力有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅浅沟槽刻蚀方法，包括：在碳化硅外延层上涂覆光刻胶；图形化所述光刻胶；以所述图形化后的光刻胶做掩膜对所述碳化硅外延层进行干法刻蚀，所述干法刻蚀的参数包括：循环交替通入SF6和O2；去除所述光刻胶。本发明实施例提供了一种碳化硅浅沟槽刻蚀方法，通过在碳化硅外延层上涂覆光刻胶，直接以光刻胶做掩膜进行刻蚀，减少了掩膜数量，提高了刻蚀效率，降低了刻蚀难度，有效的降低了碳化硅器件批量生产成本。SF6气体和O2气体循环交替作用于材料，一方面可以降低对光刻胶的刻蚀速率，另一方面有助于提高碳化硅沟槽的侧壁角度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109449139A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811129229.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及定位标记的制备方法，其中，半导体器件包括半导体层；定位标记区域，形成在所述半导体层内；其中，所述定位标记区域是通过向所述半导体层内注入掺杂离子得到的；所述定位标记区域内的离子掺杂浓度为1×1015～1×1019cm-3。由于定位标记区域通过离子注入的方式形成在半导体层内，避免了在半导体层表面形成金属层所导致的非定位标记区域沉淀有金属离子；后续在利用具有定位标记区域的半导体层进行其他工艺的制备时，由于定位标记区域与非定位标记区域边界处的散射率和反射率差别较大，能够达到较好的对准效果，提高了该定位标记的定位准确性。
-
公开(公告)号：CN110581181B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910908017.X
申请日：2019-09-24
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
Abstract: 本发明提供的一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中所述碳化硅肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。
-
公开(公告)号：CN110349839B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910540297.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于碳化硅制备技术领域，具体涉及一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法。该方法包括对碳化硅外延片进行前清洗和预处理，然后采用原子层沉积工艺在碳化硅外延片上依次形成3TiC/SiC层、3TiC/xSiC层和TiC层，经合金化热处理后依次形成Ti3SiC2层、过渡层和TiC层，得到具有欧姆接触特性的p/n型碳化硅；本发明采用ALD，通过控制摩尔比在碳化硅外延片上形成3TiC/SiC层，经合金化热处理后形成Ti3SiC2层，可以降低界面处势垒的高度，与碳化硅外延片形成欧姆接触，该方法避免了沉积过程与碳化硅外延片中的SiC晶圆发生合金化反应，减少了碳富集和空隙等问题的出现。
-
公开(公告)号：CN111952171A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010627782.7
申请日：2020-07-01
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网浙江省电力有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种基于图形化工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N-漂移层、N+缓冲层和P+集电层，并对选取的键合基片进行图形化处理；采用键合工艺对所述P+集电层和处理后的键合基片进行键合，之后去除SiC衬底，或先去除SiC衬底，之后采用键合工艺对所述P+集电层和处理后的键合基片进行键合；采用减薄工艺去除部分键合基片，在N-漂移层表面形成栅极和发射极，并在P+集电层表面形成集电极，在键合前对的键合基片进行图形化处理，避免键合过程中出现键合界面会出现空洞以及应力问题，器件在流片的过程中容易被识别，同时增加了薄片的支撑能力，减少了碎片概率，提高了SiC IGBT的成品率，减小导通电阻，降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN110808284A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911076369.X
申请日：2019-11-06
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L29/739 , H01L21/335 , H01L27/02 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的正面形成MOS结构，在衬底的背面形成场终止层；在场终止层上注入第一导电类型离子，对第一导电类型离子进行激光退火，形成第一导电类型集电极层；在第一导电类型集电极层中注入第二导电类型离子，注入的第二导电类型离子的浓度大于第一导电类型离子的浓度，对第二导电类型离子进行图形化激光退火，形成包含第一导电类型集电区和第二导电类型集电区的集电极层。本发明实施例提供的逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，相比现有技术中采用光刻工艺形成集电极层，简化了RC-IGBT的制备工艺，减少了新结构开发周期，降低了产品开发成本，工艺易实现，可行性强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.048 seconds)
