公开(公告)号：CN111710599A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010620297.7

申请日：2020-06-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 夏经华 ,  桑玲 ,  田亮 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/263

摘要： 本发明涉及碳化硅器件领域，具体涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法；包括以下步骤：对碳化硅样片进行标准清洗；采用非反应性等离子体对碳化硅样片进行离子轰击；在碳化硅样片上制备欧姆接触金属层；对制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。通过采用等离子体对碳化硅样片表面进行离子轰击，改变了碳化硅样片的表面状态，在碳化硅和金属界面引入了一系列的受控界面态，从而使得可以在受控的条件下，降低金属和碳化硅之间的有效势垒高度，进而对金属与碳化硅之间的载流子跃迁或遂穿起到有效地辅助作用，提高载流子通过势垒的输运效率，显著提高碳化硅与金属的欧姆接触效果，降低接触电阻，形成良好的碳化硅欧姆接触。

公开(公告)号：CN110349839B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201910540297.3

申请日：2019-06-21

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 夏经华 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  吴沛飞 ,  安运来 ,  田亮 ,  查祎英 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/285

摘要： 本发明属于碳化硅制备技术领域，具体涉及一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法。该方法包括对碳化硅外延片进行前清洗和预处理，然后采用原子层沉积工艺在碳化硅外延片上依次形成3TiC/SiC层、3TiC/xSiC层和TiC层，经合金化热处理后依次形成Ti3SiC2层、过渡层和TiC层，得到具有欧姆接触特性的p/n型碳化硅；本发明采用ALD，通过控制摩尔比在碳化硅外延片上形成3TiC/SiC层，经合金化热处理后形成Ti3SiC2层，可以降低界面处势垒的高度，与碳化硅外延片形成欧姆接触，该方法避免了沉积过程与碳化硅外延片中的SiC晶圆发生合金化反应，减少了碳富集和空隙等问题的出现。

公开(公告)号：CN110808284A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911076369.X

申请日：2019-11-06

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 朱涛 ,  焦倩倩 ,  李嘉琳 ,  刘瑞 ,  田亮 ,  李玲 ,  吴昊

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/335 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的正面形成MOS结构，在衬底的背面形成场终止层；在场终止层上注入第一导电类型离子，对第一导电类型离子进行激光退火，形成第一导电类型集电极层；在第一导电类型集电极层中注入第二导电类型离子，注入的第二导电类型离子的浓度大于第一导电类型离子的浓度，对第二导电类型离子进行图形化激光退火，形成包含第一导电类型集电区和第二导电类型集电区的集电极层。本发明实施例提供的逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，相比现有技术中采用光刻工艺形成集电极层，简化了RC-IGBT的制备工艺，减少了新结构开发周期，降低了产品开发成本，工艺易实现，可行性强。

公开(公告)号：CN110808238A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911076548.3

申请日：2019-11-06

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 田亮 ,  李玲 ,  葛欢 ,  朱辰 ,  姜春艳 ,  吴昊 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN110349839A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910540297.3

申请日：2019-06-21

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 夏经华 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  吴沛飞 ,  安运来 ,  田亮 ,  查祎英 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/285

摘要： 本发明属于碳化硅制备技术领域，具体涉及一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法。该方法包括对碳化硅外延片进行前清洗和预处理，然后采用原子层沉积工艺在碳化硅外延片上依次形成3TiC/SiC层、3TiC/xSiC层和TiC层，经合金化热处理后依次形成Ti3SiC2层、过渡层和TiC层，得到具有欧姆接触特性的p/n型碳化硅；本发明采用ALD，通过控制摩尔比在碳化硅外延片上形成3TiC/SiC层，经合金化热处理后形成Ti3SiC2层，可以降低界面处势垒的高度，与碳化硅外延片形成欧姆接触，该方法避免了沉积过程与碳化硅外延片中的SiC晶圆发生合金化反应，减少了碳富集和空隙等问题的出现。

公开(公告)号：CN110808238B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911076548.3

申请日：2019-11-06

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 田亮 ,  李玲 ,  葛欢 ,  朱辰 ,  姜春艳 ,  吴昊 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN112002637A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010686412.0

申请日：2020-07-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 田亮 ,  杨霏 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  田丽欣

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/304

摘要： 本发明涉及一种大功率电力电子器件晶圆的裂片方法，包括：将所述晶圆正面的刻蚀区域采用等离子刻蚀的方式形成裂片凹槽，采用裂片机从所述晶圆背面对准所述裂片凹槽进行裂片，形成裂片道，基于所述裂片道对所述晶圆进行扩膜，本方法有效解决传统砂轮划片的划片道较宽、耗材损耗高、崩边不容易控制和激光划片导致的钝化层损伤、可靠性降低的技术问题。

公开(公告)号：CN112002648A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010672215.3

申请日：2020-07-14

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司泰安供电公司

发明人： 桑玲 ,  田亮 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  朱涛 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件，方法包括在半导体层(1)的正面形成场限环终端(4)；采用热氧化工艺在场限环终端(4)的正面以预设的生长温度形成热氧化层(5)；在热氧化层(5)的正面形成氧化层(6)，通过设置热氧化层(5)大大降低了氧化层(6)产生孔洞的可能性，碳化硅功率器件在承受反向高电压时不易击穿，提高了碳化硅功率器件的良率和长期可靠性。

公开(公告)号：CN114518699A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202011297090.7

申请日：2020-11-18

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司泰安供电公司

发明人： 葛欢 ,  田亮 ,  姜春艳 ,  吴斌 ,  齐向

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供了一种倒梯形光刻胶侧壁形貌的制备方法及光刻胶，其包括：预处理晶圆和中心定位；在所得晶圆上涂光刻胶和前烘；再次涂光刻胶和前烘；曝光、显影和坚膜；本发明提供的技术方案有效提高了lift‑off工艺掩膜层侧壁形貌的可控性，实现了图形的精准转移，且操作方法简单。

公开(公告)号：CN111952173A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010632701.2

申请日：2020-07-01

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司

发明人： 查祎英 ,  张文婷 ,  安运来 ,  杨霏 ,  夏经华 ,  田丽欣 ,  桑玲 ,  田亮 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供一种基于外延工艺制备的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N+缓冲层、N-漂移层和N型载流子阻挡层，去除SiC衬底且对N+缓冲层进行抛光处理，采用外延工艺在N+缓冲层表面形成P+集电层；在N型载流子阻挡层表面形成栅极和发射极，并在P+集电层表面形成集电极，在N+缓冲层表面形成P+集电层后，无需再进行减薄工艺处理，减少了碎片概率，大大降低了生产成本；本发明在N+缓冲层表面形成P+集电层，得到的P+集电层掺杂浓度高，制备出的SiC IGBT损耗小，提高了SiC IGBT的导通特性，且采取的工艺与常规制备SiC IGBT的工艺兼容，提高工艺处理过程中的良品率。