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公开(公告)号:CN113097186A
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202110476937.6
申请日:2021-04-29
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司烟台供电公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L25/07 , H01L23/373 , H01L21/60 , H05K3/30 , H05K1/18
摘要: 本发明公开了一种功率芯片压接封装结构及其制造方法。功率芯片压接封装结构包括底板,底板上设置有多个IGBT芯片和多个覆铜陶瓷板;各个IGBT芯片和各个覆铜陶瓷板上均设置有金属柱,各金属柱的顶面位于同一水平面;柔性金属板,柔性金属板的底面覆盖并接触各金属柱的顶面;柔性金属板的顶面设置有多个辅助发射极引出端子,辅助发射极引出端子与柔性金属板电性接触;多层PCB板,多层PCB板位于柔性金属板上方,多层PCB板与多个辅助发射极引出端子电性接触;多层PCB板具有贯通多层PCB板的通孔;发射极电极,发射极电极位于多层PCB板上方,发射极电极具有多个压接臂,多个压接臂穿过多层PCB板的通孔与柔性金属板压接。
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公开(公告)号:CN214588842U
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN202120921263.1
申请日:2021-04-29
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司烟台供电公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L25/07 , H01L23/373 , H01L21/60 , H05K3/30 , H05K1/18
摘要: 本实用新型公开了一种功率芯片压接封装结构。功率芯片压接封装结构包括底板,底板上设置有多个IGBT芯片和多个覆铜陶瓷板;各个IGBT芯片和各个覆铜陶瓷板上均设置有金属柱,各金属柱的顶面位于同一水平面;柔性金属板,柔性金属板的底面覆盖并接触各金属柱的顶面;柔性金属板的顶面设置有多个辅助发射极引出端子,辅助发射极引出端子与柔性金属板电性接触;多层PCB板,多层PCB板位于柔性金属板上方,多层PCB板与多个辅助发射极引出端子电性接触;多层PCB板具有贯通多层PCB板的通孔;发射极电极,发射极电极位于多层PCB板上方,发射极电极具有多个压接臂,多个压接臂穿过多层PCB板的通孔与柔性金属板压接。
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公开(公告)号:CN111693844B
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202010797186.3
申请日:2020-08-10
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备,其中,测试装置包括:压力传感器,用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值;电压表,两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接,用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值;固定电流源,与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接,用于向待测压接型半导体器件提供固定电流;处理器,与压力传感器及所述电压表连接,用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数,测试简单易于操作。
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公开(公告)号:CN114611285A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202210228763.6
申请日:2022-03-09
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: G06F30/20 , G06F119/08
摘要: 本发明公开了一种功率器件热阻模型构建方法、装置及存储介质,该方法包括:根据预设器件材料参数和预设接触导热系数进行稳态热仿真分析,确定器件材料参数和接触导热系数,建立结-壳热阻模型;根据预设壳-散热器热阻确定的预设散热导热系数进行稳态热仿真分析,确定散热导热系数,建立壳-散热器热阻模型;根据预设固定功率进行瞬态热仿真分析,确定器件材料参数中的密度和热容,建立结-壳热容模型;根据结-壳热阻模型、结-壳热阻抗模型以及壳-散热器热阻模型确定功率器件热阻模型。通过实施本发明,采用构建的功率器件热阻模型进行仿真计算可以预判器件在特定工况下最高结温,为器件匹配合理的散热条件,缩短研发周期。
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公开(公告)号:CN111693844A
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN202010797186.3
申请日:2020-08-10
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备,其中,测试装置包括:压力传感器,用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值;电压表,两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接,用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值;固定电流源,与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接,用于向待测压接型半导体器件提供固定电流;处理器,与压力传感器及所述电压表连接,用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数,测试简单易于操作。
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公开(公告)号:CN111426931A
公开(公告)日:2020-07-17
申请号:CN202010322303.0
申请日:2020-04-22
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种IGBT器件的测试装置、测试方法及电子设备,其中,测试装置包括:压力传感器,用于检测施加于待测IGBT器件上的多组接触压力值;电压表,两端分别与待测IGBT器件的集电极和发射极连接,用于检测待测IGBT器件集电极与发射极之间的多组通态压降值;固定电流源,与待测IGBT器件集电极和发射极分别连接,用于向待测IGBT器件提供固定电流;处理器,与压力传感器及所述电压表连接,用于利用多组接触压力值、多组通态压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测IGBT器件的接触电阻值。本发明提供的IGBT器件的测试装置,利用多组通态压降值、固定电流以及施压面积计算得到接触电阻值,无需测量IGBT器件的微观参数,测试简单易于操作。
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公开(公告)号:CN109412441A
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201811168432.8
申请日:2018-10-08
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网河北省电力公司 , 北京交通大学
IPC分类号: H02M7/483 , H02M7/5387
CPC分类号: H02M7/483 , H02M7/5387
摘要: 本发明实施例提供了一种基于逆阻型IGBT的T型三电平拓扑的MMC控制方法,其中,MMC的子模块为基于逆阻型IGBT的T型三电平拓扑结构,该控制方法包括:根据第一三角载波和正弦调制波,生成MMC的子模块中各开关管的PWM驱动脉冲;对MMC的子模块中各开关管的PWM驱动脉冲进行分割,得到分割后的各开关管的PWM驱动脉冲;将分割后的各开关管的PWM驱动脉冲输入各MMC的子模块中,当PWM驱动脉冲为高电平时,控制开关管导通,当PWM驱动脉冲为低电平时,控制开关管关断。通过本发明实施例提供的控制方法,提高了输出电压的等效开关频率,改善了输出电压的波形,得到的输出电压的正弦度好,且谐波含量低。
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公开(公告)号:CN108664751B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN201810498282.0
申请日:2018-05-23
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号: G06F30/20
摘要: 本发明提供了一种多仿真器协同的仿真方法、仿真主控平台和仿真系统,包括:确定协同仿真步长;预测仿真步长比协同仿真步长长的仿真器的仿真数值,作为仿真器在协同仿真步长对应时间的仿真数值;各仿真器将自身的仿真数值发送给其他仿真器,并接收其他仿真器发送的各仿真器对应的仿真数值,每个仿真器根据所有仿真器的仿真数值,进行协同仿真计算。与最接近的现有技术相比,本发明提供的协同仿真技术,能够针对相同或不同仿真器的不同步长,采取协同仿真步长,以实现协同验证的效率最优;在仿真器需要而协同仿真数据总线无法提供数据的时刻,动态预测并插入信号数据值,有效提高协同验证效率,确保协同验证协同的精度和稳定性。
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公开(公告)号:CN110137996B
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN201810107497.5
申请日:2018-02-02
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号: H02J3/36
摘要: 本发明涉及一种评估柔性直流输电MMC换流阀可靠性的方法及系统,包括:基于柔性直流输电MMC换流阀的拓扑结构,建立MMC换流阀故障树;基于MMC换流阀故障树,确定MMC换流阀故障树的最小割集;基于MMC换流阀故障树的最小割集,确定MMC换流阀的可靠性评估指标。本发明通过建立MMC换流阀故障树及对故障树的定性分析得到MMC换流阀可靠性评估指标表达式,更加清晰明确的展现了各部件的可靠性关系,有利于进一步研究换流阀的薄弱环节。
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公开(公告)号:CN110673010B
公开(公告)日:2022-01-21
申请号:CN201911037731.2
申请日:2019-10-29
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司
摘要: 本发明实施例提供一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置,其中,方法通过构建等效电路模型,设置驱动电阻对应的第一预设电阻值和第二预设电阻值,获取驱动电源对应的驱动电压值、充电电容对应的输入电容值、第一预设电阻值对应的第一开通延时值和第二预设电阻值对应的第二开通延时值,利用差值法联立关于栅极电阻对应的阈值电压的方程表达式,把阈值电压作为一个中间量消去,进而不再需要测量阈值电压参量,只需要两次动态测试即可求解栅极内电阻,避免了阈值电压测量不准确引起的误差,因此,提高了栅极内电阻的测算精度。
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