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公开(公告)号：CN110808238B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911076548.3
申请日：2019-11-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN110808238A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911076548.3
申请日：2019-11-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN113053997B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011588647.2
申请日：2020-12-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种高压碳化硅功率器件的结终端扩展结构及其制造方法，该扩展结构包括N+型衬底、N‑型漂移区、第一P型结终端扩展区、第二P型结终端扩展区、P型主结、N+场截止环、第一金属电极层和第二金属电极层，第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区分别注入高低不同的浓度，同时将第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区在版图上通过直角三角形或直角梯形斜边对接平铺形成。本发明通过两种掺杂P型结终端扩展区在第三维度交叉结合，从而实现碳化硅终端结构等效横向变掺杂，使电场均匀分布，在保证终端效率的前提下缩小终端面积，从而能制造出芯片面积更小的高压碳化硅功率器件。
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公开(公告)号：CN113053997A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011588647.2
申请日：2020-12-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种高压碳化硅功率器件的结终端扩展结构及其制造方法，该扩展结构包括N+型衬底、N‑型漂移区、第一P型结终端扩展区、第二P型结终端扩展区、P型主结、N+场截止环、第一金属电极层和第二金属电极层，第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区分别注入高低不同的浓度，同时将第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区在版图上通过直角三角形或直角梯形斜边对接平铺形成。本发明通过两种掺杂P型结终端扩展区在第三维度交叉结合，从而实现碳化硅终端结构等效横向变掺杂，使电场均匀分布，在保证终端效率的前提下缩小终端面积，从而能制造出芯片面积更小的高压碳化硅功率器件。
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公开(公告)号：CN114518699A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011297090.7
申请日：2020-11-18
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司泰安供电公司
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/027
摘要： 本发明提供了一种倒梯形光刻胶侧壁形貌的制备方法及光刻胶，其包括：预处理晶圆和中心定位；在所得晶圆上涂光刻胶和前烘；再次涂光刻胶和前烘；曝光、显影和坚膜；本发明提供的技术方案有效提高了lift‑off工艺掩膜层侧壁形貌的可控性，实现了图形的精准转移，且操作方法简单。
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公开(公告)号：CN111681943A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010344980.2
申请日：2020-04-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅表面的处理方法，在碳化硅衬底表面生长氧化层；通过原子层沉积设备在所述氧化层表面沉积掺杂层；采用退火炉对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火，大大降低了碳化硅与氧化层之间的界面态密度，进而提高了碳化硅功率器件的反型沟道电子迁移率，避免对碳化硅功率器件的性能造成影响，本发明采用退火炉对含有掺杂层和氧化层的碳化硅衬底进行高温退火，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深。
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公开(公告)号：CN111312586A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010106956.5
申请日：2020-02-20
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/04 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种提高p型掺杂离子注入准确度的方法。本发明包括初步确定仿真值、根据仿真值进行离子注入、对仿真值进行校准；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的p型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。
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公开(公告)号：CN110581181A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910908017.X
申请日：2019-09-24
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
摘要： 本发明提供的一种肖特基二极管及其制备方法，其中所述肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。
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公开(公告)号：CN110581181B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910908017.X
申请日：2019-09-24
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
摘要： 本发明提供的一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中所述碳化硅肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。
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公开(公告)号：CN113161408B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011588662.7
申请日：2020-12-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法，包括第一金属电极层、N+型衬底、N‑型漂移区、N型沟道和N型保护环；相邻N型沟道之间的N‑型漂移区内设有源区P+型保护环，相邻N型保护环之间的N‑型漂移区内设有终端P+型保护环，相邻N型沟道和N型保护环之间设有过渡区，相邻的N型沟道之间、N型过渡区和N型保护环之间、相邻N型保护环之间都为沟槽；本发明同时形成有源区肖特基金属下的沟道区域和终端区嵌入钝化层的N型保护环结构，能够在重复雪崩、高温高压、长时间老化等极端应力下保持稳定的阻断电压而不发生漂移，且提高器件可靠性的同时不牺牲器件其他电学参数。
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