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公开(公告)号：CN106787872B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611141433.4
申请日：2016-12-12
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 清华大学 , 国家电网有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/49 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种确定H桥模块的安全工作区的方法和一种确定级联型多电平变换器的系统安全工作区的方法，所述确定H桥模块的安全工作区的方法包括：获取所述H桥模块的开关器件、二极管和电容的特征参数；获取所述开关器件的安全工作边界条件；根据所述开关器件、电容和二极管的特征参数，以及所述开关器件的安全工作边界条件获取所述开关器件的模块安全工作区；获取所述二极管的模块安全工作区；根据所述开关器件的模块安全工作区和所述二极管的模块安全工作区的交集获取所述H桥模块的安全工作区。由此，可以精确地对器件特性进行描述，从而准确地确定器件在变换器中的安全工作范围。
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公开(公告)号：CN106295013B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201610663634.4
申请日：2016-08-12
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明实施例公开了一种高压半导体器件的短期失效模型的建模方法，包括：根据高压半导体器件的内部元胞结构得到正常工作模型；建立根据所述高压半导体器件失效后的器件模型；检测所述高压半导体器件的工作参数；当所述工作参数满足失效边界条件时，从所述正常工作模型切换到所述失效后的器件模型。由此，可以有效地同时描述失效发展过程中的器件行为和器件失效的最终状态。
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公开(公告)号：CN106787872A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611141433.4
申请日：2016-12-12
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 清华大学 , 国家电网公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/49 , H02M7/5387
CPC classification number: H02M7/48 , H02M7/49 , H02M7/5387 , H02M2001/0077
Abstract: 本发明公开了一种确定H桥模块的安全工作区的方法和一种确定级联型多电平变换器的系统安全工作区的方法，所述确定H桥模块的安全工作区的方法包括：获取所述H桥模块的开关器件、二极管和电容的特征参数；获取所述开关器件的安全工作边界条件；根据所述开关器件、电容和二极管的特征参数，以及所述开关器件的安全工作边界条件获取所述开关器件的模块安全工作区；获取所述二极管的模块安全工作区；根据所述开关器件的模块安全工作区和所述二极管的模块安全工作区的交集获取所述H桥模块的安全工作区。由此，可以精确地对器件特性进行描述，从而准确地确定器件在变换器中的安全工作范围。
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公开(公告)号：CN106295013A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610663634.4
申请日：2016-08-12
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明实施例公开了一种高压半导体器件的短期失效模型的建模方法，包括：根据高压半导体器件的内部元胞结构得到正常工作模型；建立根据所述高压半导体器件失效后的器件模型；检测所述高压半导体器件的工作参数；当所述工作参数满足失效边界条件时，从所述正常工作模型切换到所述失效后的器件模型。由此，可以有效地同时描述失效发展过程中的器件行为和器件失效的最终状态。
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公开(公告)号：CN118797932A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410871176.8
申请日：2024-07-01
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/28 , G06F30/17 , G06F30/18 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F111/10
Abstract: 本申请涉及电力电子与电机系统技术领域，特别涉及一种事件驱动的电力电子与电机系统建模仿真方法及装置，其中，方法包括：识别所述机械系统、流体系统和热系统的至少一个物理系统对应的元件和元件间的拓扑结构；对所述元件和元件间的拓扑结构基于能量不变性等效处理转换成对应电气系统的电路模型；根据所述转换后的电气系统的电路模型和电路模型对应的状态变量生成所述电力电子与电机系统的数学模型；基于所述电力电子与电机系统的数学模型对所述物理系统进行事件驱动的仿真得到仿真结果。由此，解决相关技术中相关技术中传统的离散状态事件驱动建模方法无法解算电力电子与电机系统多种类型系统的仿真需求，导致实用性和适用性较低等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117054717A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311014569.9
申请日：2023-08-11
Applicant: 清华大学
IPC: G01R15/18 , G06F30/367 , H01F5/02 , G01R19/00
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件开关瞬态电流测量技术领域，特别涉及一种基于小负载电阻的罗氏线圈高频带宽拓展方法及装置，其中，方法包括：构建负载电阻小于预设电阻的罗氏线圈，其中，罗氏线圈在预设第一自积分频率以上和在预设第一自谐振频率以下均呈现自积分特性；利用运算放大器构建有源同相积分器，以在低频至预设第一自谐振频率的频率区间内增益电流；将有源同相积分器与罗氏线圈并联，以根据预设满足条件对罗氏线圈的输出信号进行抵抗电磁干扰调理，以扩展高频带宽上限。该方法基于小负载电阻的自积分罗氏线圈，能够提高罗氏线圈的自谐振频率和高频带宽上限，并增强调理电路抵抗电磁干扰的能力。本发明主要应用于低跨阻放大系数罗氏线圈领域。
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公开(公告)号：CN116488628A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310395006.2
申请日：2023-04-13
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/687 , H03K17/04
Abstract: 本申请公开了一种SiC MOSFET栅极驱动器，属于电子电路技术领域，包括：弱电侧单元用于驱动器中驱动单元的整体供电，以及建立控制器与驱动单元间的通信，并在驱动单元反馈短路故障时，对驱动信号实施闭锁；隔离单元用于从弱电侧单元取电并向驱动单元供电，以及建立弱电侧单元与驱动单元间的通信；驱动单元用于实时监测SiC MOSFET器件的状态，并根据SiC MOSFET器件的状态对SiC MOSFET器件进行短路保护和串扰抑制。可以在不影响SiC MOSFET器件的正常通断的同时，为器件提供可靠的短路保护功能与防串扰功能，实现SiC MOSFET器件的智能驱动。
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公开(公告)号：CN115912518A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211610153.9
申请日：2022-12-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种可实现局部模块切除的共高频母线电能路由器，包括多个局部模块和多个隔离开关，每个局部模块分别与公共高频母线连接，隔离开关设置在公共高频母线与局部模块的高频变压器之间；多个局部模块控制器，局部模块控制器与局部模块连接，用于检测局部模块是否发生故障，生成局部模块的故障信号；多个隔离开关控制器，隔离开关控制器与隔离开关和局部模块控制器连接，用于接收局部模块的故障信号，并根据故障信号控制对应的局部模块的隔离开关断开，以阻断公共高频母线与故障的局部模块间的功率传递通路。由此，能够使电能路由器在不影响其余模块正常运行的前提下，切除局部模块，提升了系统的安全可靠性。
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公开(公告)号：CN115833220A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310004746.9
申请日：2023-01-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种高频交流母线型电能路由器的直流端口控制方法及装置，通过采集高频母线信息以及端口内高频电感电流信息，对该类电能路由器核心层级的模块化多有源桥内部传输的无功功率进行抑制，从而减小电感电流有效值，提升系统效率。解决了在单移相控制下，当各个端口的电压转换比不同时，模块化多有源桥内部会产生较大的电流应力，端口间存在大量无功功率传输，造成系统效率的下降等问题。
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公开(公告)号：CN113411076B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110746404.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/04
Abstract: 本发明公开了属于电力电子技术领域的一种准确控制IGBT峰值电压改善开关特性的栅极驱动方法，首先通过峰值电压检测与数字化电路来准确采样到每次关断瞬态IGBT端电压峰值，再将其数字化，得到了与实际峰值电压vPK成确定比例关系的数字量，最后将该数字量输出到驱动板上现场可编程逻辑门阵列FPGA；FPGA芯片将该数字量与参考值Vref对应的数字量作比例‑积分PI运算，产生PI调节器所得的IGBT关断瞬态diC/d t阶段的驱动电压，并在关断瞬态diC/d t阶段施加到IGBT栅极；本发明实现不同负载电流下对vPK的控制和更低的关断延迟和关断损耗；且适应工况变化的；这种控制方法比已有的vPK控制方法的精度都高。
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