公开(公告)号：CN101711431B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200880015322.6

申请日：2008-05-02

申请人： 分子间公司

发明人： 普拉加提·库马尔 ,  桑德拉·G.·马尔霍特拉 ,  肖恩·巴斯托 ,  托尼·江

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L45/1253 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/861 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/165

摘要： 本发明提供了具有阻变型金属氧化物的非易失性存储元件。所述非易失性存储元件可在集成电路上形成一个或更多个层。每个存储元件可具有一个第一导电层、一个金属氧化物层和一个第二导电层。电子器件如二极管可与所述存储元件串联联接。所述第一导电层可由一种金属氮化物形成。所述金属氧化物层可包含与第一导电层相同的金属。所述金属氧化物层与可形成与所述第一导电层欧姆接触或肖特基接触。所述第二导电层可形成与所述金属氧化物层欧姆接触或肖特基接触。所述第一导电层、所述金属氧化物层和所述第二导电层可包括亚层。所述第二导电层可包括一个粘附层或阻障层和一个逸出功控制层。

公开(公告)号：CN101711431A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200880015322.6

申请日：2008-05-02

申请人： 分子间公司

发明人： 普拉加提·库马尔 ,  桑德拉·G.·马尔霍特拉 ,  肖恩·巴斯托 ,  托尼·江

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L45/1253 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/861 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/165

摘要： 本发明提供了具有阻变型金属氧化物的非易失性存储元件。所述非易失性存储元件可在集成电路上形成一个或更多个层。每个存储元件可具有一个第一导电层、一个金属氧化物层和一个第二导电层。电子器件如二极管可与所述存储元件串联联接。所述第一导电层可由一种金属氮化物形成。所述金属氧化物层可包含与第一导电层相同的金属。所述金属氧化物层与可形成与所述第一导电层欧姆接触或肖特基接触。所述第二导电层可形成与所述金属氧化物层欧姆接触或肖特基接触。所述第一导电层、所述金属氧化物层和所述第二导电层可包括亚层。所述第二导电层可包括一个粘附层或阻障层和一个逸出功控制层。