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公开(公告)号：CN104882160B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201510333524.7
申请日：2008-04-11
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2211/5631 , G11C2211/5632 , G11C2211/5634 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/165 , H01L45/1675 , Y10S977/754
摘要： 本发明涉及具有多个电阻状态的相变存储器结构及其编程和感测方法。本发明提供一种具有多个电阻状态的相变存储器结构及其形成、编程和感测方法。所述存储器结构包含提供于电极之间的两个或两个以上相变元件。每一相变元件具有随着编程电压而变的相应电阻曲线，所述电阻曲线相对于其它相变元件的所述电阻曲线而移位。在使用两个相变元件的一个实例结构中，所述存储器结构能够在四个电阻状态之间切换。
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公开(公告)号：CN104137261B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380009237.X
申请日：2013-01-18
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 本文中描述电阻性存储器单元结构及方法。一或多个存储器单元结构包括：第一电阻性存储器单元，其包括第一电阻可变材料；及第二电阻性存储器单元，其包括不同于所述第一电阻可变材料的第二电阻可变材料。
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公开(公告)号：CN103811516B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410020388.1
申请日：2011-12-12
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
发明人： 罗伊·E·朔伊尔莱因
CPC分类号： G11C13/0033 , G11C5/025 , G11C8/08 , G11C13/0002 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0069 , H01L27/0688 , H01L27/115 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/165 , H01L45/1683
摘要： 本发明提供一种非易失性存储系统，包括：基板；被定为在基板上方并且不在基板中的存储器胞元的单片三维存储器阵列；连接到存储器胞元的字线；在基板上方并且不在基板中的多个垂直定向位线，垂直定向位线连接到存储器胞元；多个全局位线；在基板上方并且不在基板中的多个不对称垂直定向选择器件，不对称垂直定向选择器件连接到垂直定向位线和全局位线，不对称垂直定向选择器件具有第一栅极接口和第二栅极接口；以及连接到选择器件的多个选择线，每个不对称垂直定向选择器件使选择线中的一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的第一栅极接口，并且使选择线中的另一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的第二栅极接口。
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公开(公告)号：CN101711431B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200880015322.6
申请日：2008-05-02
申请人： 分子间公司
发明人： 普拉加提·库马尔 , 桑德拉·G.·马尔霍特拉 , 肖恩·巴斯托 , 托尼·江
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1253 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L29/861 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/165
摘要： 本发明提供了具有阻变型金属氧化物的非易失性存储元件。所述非易失性存储元件可在集成电路上形成一个或更多个层。每个存储元件可具有一个第一导电层、一个金属氧化物层和一个第二导电层。电子器件如二极管可与所述存储元件串联联接。所述第一导电层可由一种金属氮化物形成。所述金属氧化物层可包含与第一导电层相同的金属。所述金属氧化物层与可形成与所述第一导电层欧姆接触或肖特基接触。所述第二导电层可形成与所述金属氧化物层欧姆接触或肖特基接触。所述第一导电层、所述金属氧化物层和所述第二导电层可包括亚层。所述第二导电层可包括一个粘附层或阻障层和一个逸出功控制层。
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公开(公告)号：CN104081525A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280064400.8
申请日：2012-11-07
申请人： 美光科技公司
发明人： 安德烈亚·雷达埃利 , 乌戈·鲁索 , 阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺 , 西蒙娜·拉维扎里
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/128 , H01L45/1286 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1675
摘要： 一些实施例包含例如存储器单元的集成装置。所述装置可包含：硫族化物材料；导电材料，其在所述硫族化物材料上方；及散热片，其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。一些实施例包含一种形成存储器单元的方法。可在加热器材料上方形成硫族化物材料。可在所述硫族化物材料上方形成导电材料。可在所述导电材料与所述硫族化物材料之间形成散热片。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。
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公开(公告)号：CN103811516A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410020388.1
申请日：2011-12-12
申请人： 桑迪士克3D有限责任公司
发明人： 罗伊·E·朔伊尔莱因
CPC分类号： G11C13/0033 , G11C5/025 , G11C8/08 , G11C13/0002 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0069 , H01L27/0688 , H01L27/115 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/165 , H01L45/1683
摘要： 本发明提供一种非易失性存储系统，包括：基板；被定为在基板上方并且不在基板中的存储器胞元的单片三维存储器阵列；连接到存储器胞元的字线；在基板上方并且不在基板中的多个垂直定向位线，垂直定向位线连接到存储器胞元；多个全局位线；在基板上方并且不在基板中的多个不对称垂直定向选择器件，不对称垂直定向选择器件连接到垂直定向位线和全局位线，不对称垂直定向选择器件具有第一栅极接口和第二栅极接口；以及连接到选择器件的多个选择线，每个不对称垂直定向选择器件使选择线中的一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的第一栅极接口，并且使选择线中的另一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的第二栅极接口。
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公开(公告)号：CN102754234A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201080063093.2
申请日：2010-12-15
申请人： 美光科技公司
发明人： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683
摘要： 本发明揭示用于形成包括经掺杂硫属化合物材料的存储器存取装置的自对准制作方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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公开(公告)号：CN106098933B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610459395.0
申请日：2010-12-15
申请人： 美光科技公司
发明人： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683
摘要： 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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公开(公告)号：CN105895801A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610527906.8
申请日：2016-07-06
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/16 , H01L45/165
摘要： 本发明提供一种利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法，包括以下步骤：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，以得到氧化物单晶薄膜，并使得到的氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明有效地降低了剥离及转移薄膜所需的离子总注入剂量，进而缩短了制备周期，节约了生产成本；同时，使用该方法还可以解决部分材料使用单一离子注入无法实现剥离的问题。
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公开(公告)号：CN102265397B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN200880132493.7
申请日：2008-12-23
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC分类号： H01L27/2463 , G11C13/02 , G11C2213/11 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/165 , H01L45/1658
摘要： 此处公开了一种忆阻设备。该设备包括：第一电极，第二电极，以及设置在所述第一和第二电极之间的有源区。在所述有源区中存在至少两个移动物种。所述至少两个移动物种中的每一个被配置成限定所述忆阻设备的单独状态变量。
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