公开(公告)号：CN102449737A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080010051.2

申请日：2010-03-02

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 罗伯特·M·法雷尔 ,  迈克尔·伊萨 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  中村秀治

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明提供一种用于改进非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上的(Ga，Al，In，B)N薄膜的生长形态的方法，其中(Ga，Al，In，B)N薄膜直接生长于非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底或模板上，且生长期间所使用的载气的一部分由惰性气体构成。非极性或半极性氮化物LED和二极管激光器可生长于依据本发明而生长的光滑的(Ga，Al，In，B)N薄膜上。