一种直拉法单晶炉热场快速冷却装置及冷却方法

    公开(公告)号:CN110453277A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910802106.6

    申请日:2019-08-28

    IPC分类号: C30B15/00

    摘要: 本发明公开了一种直拉法单晶炉热场快速冷却装置及冷却方法,包括横向保温支撑环和至少两个冷却升降装置,每个冷却升降装置均包括托板、支撑连杆、波纹软管和升降底座;横向保温支撑环设在中部碳基保温筒和下部碳基保温筒之间,并与中部保温支撑筒底部相连;托板一端与横向保温支撑环相连,另一端与支撑连杆的顶端相连;支撑连杆位于碳基保温筒和炉筒之间的真空腔体内,另一端从炉底板中穿出,并与升降底座相连;波纹软管套装在支撑连杆外周;波纹软管内呈真空状态;波纹软管的长度能够伸缩,升降底座的高度能够升降。本申请能将热场的冷却时间缩短50%以上,并且拆炉时热场温度能控制在100-200℃,减弱热场氧化,提高石墨件使用寿命,降低生产成本。

    一种单晶硅棒的生产方法

    公开(公告)号:CN109056055B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201811139478.7

    申请日:2018-09-28

    摘要: 本发明涉及一种单晶硅棒的生产方法,属于太阳能电池技术领域。一种单晶硅棒的生产方法,包括:㈠向石英坩埚内共装入原料;㈡将石英坩埚送入单晶炉;㈢进行熔料;㈣进行晶棒拉制,制得第一根晶棒;㈤加入原料;进行晶棒拉制,制得第二根晶棒㈥加入原料;进行晶棒拉制,制得第三根晶棒;㈦加入原料;进行晶棒拉制,制得第四根晶棒;㈧加入原料;进行晶棒拉制,制得第五根晶棒;㈨步骤㈧中收尾工艺完成后将第五根晶棒冷却提出后进行停炉操作。本发明的单晶硅棒的生产方法中,装料和加料时都加入钡粉,实现了一边熔料一边对石英坩埚进行多次自动喷涂,可以延长石英坩埚整体使用寿命。

    一种单晶硅棒的生产方法

    公开(公告)号:CN109056055A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201811139478.7

    申请日:2018-09-28

    摘要: 本发明涉及一种单晶硅棒的生产方法,属于太阳能电池技术领域。一种单晶硅棒的生产方法,包括:㈠向石英坩埚内共装入原料;㈡将石英坩埚送入单晶炉;㈢进行熔料;㈣进行晶棒拉制,制得第一根晶棒;㈤加入原料;进行晶棒拉制,制得第二根晶棒㈥加入原料;进行晶棒拉制,制得第三根晶棒;㈦加入原料;进行晶棒拉制,制得第四根晶棒;㈧加入原料;进行晶棒拉制,制得第五根晶棒;㈨步骤㈧中收尾工艺完成后将第五根晶棒冷却提出后进行停炉操作。本发明的单晶硅棒的生产方法中,装料和加料时都加入钡粉,实现了一边熔料一边对石英坩埚进行多次自动喷涂,可以延长石英坩埚整体使用寿命。

    一种单晶炉用可变径导流筒

    公开(公告)号:CN110438559A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910802104.7

    申请日:2019-08-28

    发明人: 孟涛 王海庆 姚亮

    IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种单晶炉用可变径导流筒,包括热屏外胆、热屏内胆和保温材料,热屏外胆包括一体设置的上热屏和下热屏;下热屏的底端设有搭接台;搭接台的最小内径大于待拉制的最大晶体尺寸;热屏内胆包括碳碳上环和石墨环;碳碳上环为倒锥形圆台,其长度不小于上热屏的竖向长度;石墨环包括从上至下依次一体设置的空心的倒锥形圆台一和空心的倒锥形圆台二;倒锥形圆台一顶端与碳碳上环底端相贴合接触或卡接;倒锥形圆台二底部设置有搭接部,搭接放置在下热屏的搭接台上。本申请只需根据待拉制晶体尺寸的大小,直接更换对应规格的石墨环即可,从而使得一套导流筒适应多种规格型号的晶体尺寸拉制,节省成本,且不会改变拉制工艺,拉制晶体的质量一致性好。

    剪籽晶用手钳及其使用方法

    公开(公告)号:CN109137062A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201811138340.5

    申请日:2018-09-28

    IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    CPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种剪籽晶用手钳及其使用方法,包括第一手柄、第二手柄、枢转销、与第一手柄连接的第一夹持部、与第二手柄连接的第二夹持部,第一手柄与第二手柄通过枢转销连接在一起,并能够相对于彼此枢转,第一夹持部和第二夹持部相对的一侧均设有陶瓷剪块,第一夹持部和第二夹持部对应陶瓷剪块的位置处开设有卡槽,陶瓷剪块向卡槽内延伸有卡块,第一夹持部和第二夹持部上均可拆卸连接有用于对卡块固定的限位装置。本方案不但可以很好的防护回收料的品质,且可以较方便的更换损坏的陶瓷剪块,节省了大量成本。

    一种降低单晶晶棒中的碳含量方法

    公开(公告)号:CN109097822A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201811150359.1

    申请日:2018-09-29

    IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种降低单晶晶棒中的碳含量方法,具体包括以下步骤:(1)在炉筒下端安装液面下方热场;(2)通过吊料工序将料块放置在坩埚内,将护料布均匀铺开,该护料布上一面均匀设有牵引线,各牵引线通过牵引线导向块连接在一起,并且该牵引线导向块设置在护料布中心处,没有牵引线一面将放置在钳锅内的料块完全覆盖,钳锅降至炉筒内的下限位,且位于液面下方热场上端;(3)安装液面上方热场,安装好后开始合炉筒;(4)在炉筒合好后,一手向上提拉牵引线导向块,直接取出护料布,继续合炉;(5)合炉后,在车间指定位置,将护料布翻转使提出的石墨粉及其他杂质抖落,然后使用吹风机将护料布整体吹拂干净,连同吸盘一起运送至装料室。

    一种制备太阳能级N型单晶硅的方法

    公开(公告)号:CN109023509A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201811011445.4

    申请日:2018-08-31

    IPC分类号: C30B15/04 C30B15/20 C30B29/06

    CPC分类号: C30B15/04 C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种制备太阳能级N型单晶硅的方法,(1)将硅原料加入置于单晶炉的石英坩埚中,并在硅原料中间部位放入N型母合金和镓;(2)单晶炉合上,抽真空检漏、加热融化,复投器复投硅原料,加热融化;(3)降温稳定、找功率、籽晶融结、引晶、放肩、转肩,等径,收尾,得第一跟单晶棒,拉至单晶炉副腔室冷却,单晶炉剩余熔液保温;(4)单晶棒冷却后取出称重;(5)复投器装入复投料,并在硅原料的中间部位放入N型母合金和镓;(6)加热融化、降温稳定、找功率、籽晶融结、引晶、放肩、转肩、等径,收尾,冷却得第二根单晶棒;初始投料量中加入适量镓,更好的中和磷,有效提高N型单晶硅电阻率的集中度,从而提高太阳能的电阻合格率。

    一种单晶炉用可变径导流筒

    公开(公告)号:CN110438559B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN201910802104.7

    申请日:2019-08-28

    发明人: 孟涛 王海庆 姚亮

    IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种单晶炉用可变径导流筒,包括热屏外胆、热屏内胆和保温材料,热屏外胆包括一体设置的上热屏和下热屏;下热屏的底端设有搭接台;搭接台的最小内径大于待拉制的最大晶体尺寸;热屏内胆包括碳碳上环和石墨环;碳碳上环为倒锥形圆台,其长度不小于上热屏的竖向长度;石墨环包括从上至下依次一体设置的空心的倒锥形圆台一和空心的倒锥形圆台二;倒锥形圆台一顶端与碳碳上环底端相贴合接触或卡接;倒锥形圆台二底部设置有搭接部,搭接放置在下热屏的搭接台上。本申请只需根据待拉制晶体尺寸的大小,直接更换对应规格的石墨环即可,从而使得一套导流筒适应多种规格型号的晶体尺寸拉制,节省成本,且不会改变拉制工艺,拉制晶体的质量一致性好。

    一种降低单晶晶棒中的碳含量方法

    公开(公告)号:CN109097822B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201811150359.1

    申请日:2018-09-29

    IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种降低单晶晶棒中的碳含量方法,具体包括以下步骤:(1)在炉筒下端安装液面下方热场;(2)通过吊料工序将料块放置在坩埚内,将护料布均匀铺开,该护料布上一面均匀设有牵引线,各牵引线通过牵引线导向块连接在一起,并且该牵引线导向块设置在护料布中心处,没有牵引线一面将放置在钳锅内的料块完全覆盖,钳锅降至炉筒内的下限位,且位于液面下方热场上端;(3)安装液面上方热场,安装好后开始合炉筒;(4)在炉筒合好后,一手向上提拉牵引线导向块,直接取出护料布,继续合炉;(5)合炉后,在车间指定位置,将护料布翻转使提出的石墨粉及其他杂质抖落,然后使用吹风机将护料布整体吹拂干净,连同吸盘一起运送至装料室。

    一种适合多晶铸锭的新型侧部加热器

    公开(公告)号:CN110670130A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910967590.8

    申请日:2019-10-12

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明提供一种适合多晶铸锭的新型侧部加热器,包括第一侧电极吊臂、第二侧电极吊臂、侧加热器上、侧加热器下、第三侧电极吊臂以及cc板,第一侧吊臂和第二侧吊臂内侧安装有侧加热器上,第一侧吊臂和第二侧吊臂内侧安装有侧加热器下,侧加热器上下侧装配有侧加热器下,侧加热器上和侧加热器下右端面安装有第二侧电极吊臂,第四侧吊臂右侧设置有第三侧电极吊臂,第七侧吊臂右侧设置有第一侧电极吊臂,第四侧吊臂和第五侧吊臂上端面安装有cc板,该设计解决了原有的有的多晶硅片尺寸一直都是按单晶设计,更大尺寸的多晶硅片受限多晶炉加热器尺寸的问题,本发明结构合理,效率和产能有效提升,铸造大尺寸硅锭。