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公开(公告)号：CN111424314A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010363285.0
申请日：2020-04-30
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉，包括制作炉炉体、合金炉、冷凝机及合金接受槽，合金炉包括炉体及石英坩埚、加热器、埚邦及埚托，石英坩埚外设有埚邦，石英坩埚的底端通过中空石墨托杆连接有坩埚升降、转动装置，炉体的底部还设有中空石英锥，炉体的上端设有合金炉惰性气体入口，炉体的下端设有合金炉排气孔；制作炉炉体上表面设有惰性气体入口，制作炉炉体的下表面设有制作炉排气孔；该制作炉结构简单，使用方便，制作镓硅合金的方法简单易行，该镓硅合金的制作有效提高了掺杂加入的可操作性及掺杂及的稳定性，提高了生产效率及掺杂准确性，有效减少了镓金属被污染或掉落流失而引起的质量风险。
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公开(公告)号：CN111424313A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010326316.5
申请日：2020-04-23
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法，包括以下步骤：步骤1，拆炉、清理炉膛；步骤2，装炉；步骤3，对单晶炉内进行抽真空和捡漏；步骤4，压力化与熔料；步骤5，稳温；步骤6，引晶；步骤7，放肩；步骤8，转肩；步骤9，等径生长；步骤10，收尾与冷却；步骤11，停炉，取出单晶硅棒，复投或拆炉；本发明的RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法在现有的设备、工艺上进行改进后，所得拉制出的掺镓单晶硅棒轴、径向电阻均匀性明显提高，晶棒的有效拉制长度由60-65%增加到了70-75%，减少了循环料及最后一炉炉内剩料量；晶棒头部含氧率降低了1.0 PPM，断线率降低了10%。
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公开(公告)号：CN111663177A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010482544.1
申请日：2020-05-29
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种掺镓单晶硅的镓金属加入方法及镓金属放置结构体，结构体包括盖体部分和主体部分，盖体部分上开设有通孔，镓金属置于结构体中；在初投料时，结构体直接放置坩埚目标位，在结构体周围填充硅料，在复投料时，通过塑料管将新的结构体投放至坩埚内复投加料筒中，并在结构体周围填充硅料。本发明可减少员工操作量，提高了镓金属加入的准确性及方便性，同时也避免金属镓高温熔化后与石英反应或在复投加料筒中变为液体后掉落的风险。
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公开(公告)号：CN111850680A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010435870.7
申请日：2020-05-21
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06 , B01F9/10 , B01F13/06 , B01F13/10 , B01F15/00 , B01F15/06 , B01J19/00
摘要： 本发明公开一种制备镓-硅掺杂剂的反应器及其使用方法。利用该反应器在低温环境中称取金属镓和硅粉，清洗反应器内各部件；向混合筒内放入金属镓和硅粉，并用透气保温棉将进料口密封；依次盖上保温层和水冷保护套的顶盖，启动水冷保护套正常工作，开始抽真空捡漏，验证反应器密封正常后，向反应器内冲入惰性气体，再抽真空，重复充气和抽真空操作1-2次；启动动力电机和加热器，当混合筒内的温度达到200-800℃温度后，保温混合1-10小时，混合结束后，降温至室温，得半成品；将半成品转至球磨机中磨碎，即得掺杂剂。本发明反应器结构简单，易于控制制备镓-硅掺杂剂的反应环境，所得掺杂剂稳定性好，且镓的利用率高。
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公开(公告)号：CN111477560A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010405563.4
申请日：2020-05-14
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏高照新能源发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池用镓、硼掺杂单晶硅棒区分的快速检测方法，包括以下步骤：采用检测仪器在单晶硅棒上选取两个不同位置的电阻率进行检测，通过将这两个检测点电阻率差值与检测点之间的距离度的比值进行硅棒类型确认；本发明该检测方法能快速区分晶棒，节约时间，有效避免生产、检测、周转过程中操作失误而引起的硼掺杂晶棒与稼掺杂晶棒混淆的问题。
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公开(公告)号：CN111321460A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010236908.8
申请日：2020-03-30
申请人： 包头美科硅能源有限公司
摘要： 本发明公开了一种RCZ法拉制大尺寸低氧硅单晶的方法。该方法通过在原有的太阳能单晶炉的水电处理部分稍作改进，即正常运行时，流量计反馈水冷屏的进水流量信息，系统经过参数设置的流量进行调节阀开度控制，有整个晶体生长过程中将单晶的生长速度与水冷屏流量连锁进行控制，有效地控制了单晶的整个生产过程；水冷屏出水温度过高时，自动开关阀自动打开；当水冷屏出水温度过高时，自动开关阀无法打开时，可以手工打开手动球阀给水冷屏供水。通过此次改进，所得晶片硅的含氧率降低了1.0 PPM左右，断线率降低了5%，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN110983428A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN202010020159.5
申请日：2020-01-09
申请人： 包头美科硅能源有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于提高太阳能级大尺寸单晶生长用坩埚寿命的方法，包括在碳碳埚帮（4）的内壁上开设一组上下贯穿的埚帮凹槽（4a），再沿着石墨埚托（6）与碳碳埚帮（4）的连接处开设一圈圆环槽（6a），在石墨埚托（6）的表面中部开设一组相交于石墨埚托（6）内的一点的埚托凹槽（6b），每条埚托凹槽（6b）的两端均与圆环槽（6a）相通。本发明的优点是有效减少石英坩埚变形鼓包的现象，维持正常的拉晶和设备的正常使用，保证拉晶质量和生产效率的稳定。
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公开(公告)号：CN114232075A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111594479.2
申请日：2021-12-24
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏美科太阳能科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种RCZ直拉法大热场拉多晶工艺，具体：（1）操作人员对单晶拉制过程中的情况进行判定，根据判定直接从单晶等径工序进入多晶等径工序；（2）当多晶长度达到要求时，开始自动多晶提出工艺，具体为：坩埚自动下降30mm；晶升以180mm/h的速度提升到副室，在副室内保压冷却30分钟后，将副室升上上限位，将副室旋转速度降到副室正常选转速度的50%，副室旋转加速度时间设置为正常的两倍进行晶棒旋出，旋出后正常取棒即可；该工艺提高了多晶的强度，降低多晶坠落导致的异常事故的发生，提高多晶的可利用性，提高安全性。
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公开(公告)号：CN112720889B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110040960.0
申请日：2021-01-13
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏美科太阳能科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种降低硅棒斜面的工装，该工装放置于截断机的晶棒支撑导轮上，由端部圆盘、固定圆柱及晶棒支撑板组成，固定圆柱的一端设置有端部圆盘，另一端设置有晶棒支撑板，端部圆盘与固定圆柱形成一端开口的中空圆柱体结构，晶棒支撑板垂直于端部圆盘；本发明还涉及一种降低硅棒斜面的工装的使用方法，该工装有效解决了因晶棒较短或晶棒凹凸不平引起的在截断机晶棒支撑导轮上无法放置平稳导致的斜面问题，有效提高了晶棒在截断工序的收率，该工装操作、使用方便，处理晶棒斜面效率高。
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公开(公告)号：CN114232080A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111593708.9
申请日：2021-12-24
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏美科太阳能科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种RCZ直拉法大热场的闷炉工艺，具体：（1）当单晶炉运行时间超过460h，拉多晶时间不足或炉台有其它异常，无法继续运行且主加热器可正常运行时开启闷炉工艺；（2）将埚位放置到正常引放埚位，设置主加热器功率，确保硅液上液面30分钟内液面结晶块大小不超过导流筒下沿大小，并水冷屏升到上限位；（3）在硅液上液面30分钟内液面结晶块大小不超过导流筒下沿大小的条件下，开始降坩埚位置，直至降到坩埚下限停止；（4）当硅液上液面完全结晶后主加热器在1小时内缓慢降到0kw；（5）主加热器功率降到0kw后，按正常停炉工序冷却停炉即可；该工艺简单易行，有效降低了热场件的损耗，消除了大热场闷炉时漏硅的现象。
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