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公开(公告)号：CN107610999B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201710749263.6
申请日：2017-08-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种下电极机构及反应腔室，其包括基座，在基座与腔室底壁之间设置有绝缘环，以在基座的底面的边缘区域与腔室底壁之间形成等效电容，该等效电容由至少两种不同介质填充形成的平行板电容并联而成。本发明提供的下电极机构，可以实现对下电极机构对地电容的调节，从而可以使型号相同的工艺设备的一致性满足要求。
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公开(公告)号：CN117802481A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211164142.2
申请日：2022-09-23
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/458 , H01L21/67 , H01L31/20
摘要： 本申请公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种半导体工艺设备包括：工艺腔室、承载装置、柔性连接装置和电极；所述柔性连接装置设置于所述承载装置，并随所述承载装置沿所述工艺腔室的轴线方向可移入或移出所述工艺腔室；所述电极的一端延伸至所述工艺腔室内；在所述承载装置移入所述工艺腔室的情况下，所述柔性连接装置与所述电极相连接，以使所述电极、所述柔性连接装置及所述承载装置依次导通；在所述承载装置移出所述工艺腔室的情况下，所述柔性连接装置与所述电极断开。本申请能够解决石墨舟与电极杆之间动连接效果不佳导致阻抗较大，容易烧蚀等问题。
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公开(公告)号：CN111081521B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN201911179564.5
申请日：2019-11-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种介质筒，包括一筒状导流结构，筒状导流结构的侧壁向内倾斜或者凸起，以使流入筒状导流结构的气体能够紧贴筒状导流结构的内壁流动。本发明提供的介质筒，能够减少灭辉现象的产生，提高等离子体的稳定性，从而提高工艺结果。
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公开(公告)号：CN111508802A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010322113.9
申请日：2020-04-22
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 简师节
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/305 , H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种反应腔室，包括：腔体；主筒和主线圈，主筒位于腔体顶部，主线圈环绕主筒设置；副筒和副线圈，副筒位于腔体与主筒之间，副线圈环绕副筒设置；至少一个升降结构，升降结构与主线圈或副线圈连接，用于随工艺步骤的变化驱动主线圈或副线圈升降。本发明通过升降结构可以随工艺步骤的变化驱动主线圈或副线圈升降，有利于调整待加工工件表面的等离子体分布，从而提高刻蚀的均匀性。并且，在沉积步骤和刻蚀步骤之间，本发明实施例的反应腔室还可以利用升降结构驱动副线圈处于阻抗稳定的区域，避免引发等离子体的灭辉现象，改善刻蚀效果。本发明还提供一种应用于该反应腔室的刻蚀方法，同样可以改善刻蚀效果。
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公开(公告)号：CN110867365A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911066854.9
申请日：2019-11-04
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种等离子体系统，包括腔室及下电极组件。所述腔室包括第一进气通路与抽气通路，所述第一进气通路用于通入第一气体，所述抽气通路用于排出所述第一气体。所述下电极组件设置于所述腔室中用于承载待加工工件，且所述下电极组件位于所述第一进气通路下方。所述下电极组件的侧壁上设置有第二进气通路，所述第二进气通路用于通入第二气体，其中，所述第二进气通路的出口的朝向与竖直方向呈预设角度。本发明所公开的等离子体系统，通过设置于下电极组件中的气体通路来改变流经工件边缘区域的气体流速，进而改变待加工工件边缘区域的蚀刻速率，以提高待加工工件蚀刻的均匀性。
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公开(公告)号：CN115036258A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210898091.X
申请日：2022-07-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本申请实施例提供了一种晶片承载装置，所述晶片承载装置包括：多个间隔设置的载片组；各所述载片组包括间隔设置的第一导体和第二导体；所述第一导体用于与射频电源的第一电极电连接，所述第二导体用于与所述射频电源的第二电极电连接，以使所述第一导体与所述第二导体之间产生电场；所述第一导体的相背的两侧面分别为第一侧面和第二侧面，所述第一侧面的电阻值小于所述第二侧面的电阻值；所述第一侧面用于放置所述晶片，且所述第一侧面与所述第二导体的任一一侧面相对设置。本申请实施例提供的所述晶片承载装置可用于提升镀设于待镀膜件的膜层的均匀性。
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公开(公告)号：CN111081521A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911179564.5
申请日：2019-11-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种介质筒，包括一筒状导流结构，筒状导流结构的侧壁向内倾斜或者凸起，以使流入筒状导流结构的气体能够紧贴筒状导流结构的内壁流动。本发明提供的介质筒，能够减少灭辉现象的产生，提高等离子体的稳定性，从而提高工艺结果。
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公开(公告)号：CN115036258B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210898091.X
申请日：2022-07-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本申请实施例提供了一种晶片承载装置，所述晶片承载装置包括：多个间隔设置的载片组；各所述载片组包括间隔设置的第一导体和第二导体；所述第一导体用于与射频电源的第一电极电连接，所述第二导体用于与所述射频电源的第二电极电连接，以使所述第一导体与所述第二导体之间产生电场；所述第一导体的相背的两侧面分别为第一侧面和第二侧面，所述第一侧面的电阻值小于所述第二侧面的电阻值；所述第一侧面用于放置所述晶片，且所述第一侧面与所述第二导体的任一一侧面相对设置。本申请实施例提供的所述晶片承载装置可用于提升镀设于待镀膜件的膜层的均匀性。
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公开(公告)号：CN115642069A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110820041.5
申请日：2021-07-20
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 简师节
IPC分类号： H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/67
摘要： 本发明公开一种法拉第屏蔽装置及半导体工艺腔室，所述法拉第屏蔽装置(300)用于屏蔽半导体工艺腔室的射频线圈(200)产生的电场，所述法拉第屏蔽装置(300)包括第一屏蔽板(310)、第二屏蔽板(320)和驱动机构(330)，所述第一屏蔽板(310)上开设有沿其厚度方向贯通的第一开口(311)，所述第二屏蔽板(320)上开设有沿其厚度方向贯通的第二开口(321)，所述驱动机构(330)用于改变所述第一屏蔽板(310)和所述第二屏蔽板(320)之间的相对位置，以改变所述第一开口(311)和所述第二开口(321)的重合度。上述方案能够解决半导体工艺腔室的刻蚀性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN107610999A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710749263.6
申请日：2017-08-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种下电极机构及反应腔室，其包括基座，在基座与腔室底壁之间设置有绝缘环，以在基座的底面的边缘区域与腔室底壁之间形成等效电容，该等效电容由至少两种不同介质填充形成的平行板电容并联而成。本发明提供的下电极机构，可以实现对下电极机构对地电容的调节，从而可以使型号相同的工艺设备的一致性满足要求。
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