-
公开(公告)号：CN104349567A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310322341.6
申请日：2013-07-29
发明人： 张璐
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H03H7/40
摘要： 本发明提供一种射频电源系统，该射频电源系统包括射频电源、电连接在所述射频电源与等离子体腔室之间的自动阻抗匹配器，其中，所述射频电源的频率能够在最小预定频率和最大预定频率之间调节，通过调节所述射频电源的频率以及通过所述自动阻抗匹配器调节匹配网络的输入阻抗能够使得匹配网络的输入阻抗与所述射频电源的恒定输出阻抗相等。本发明还提供一种利用射频电源系统进行阻抗匹配的方法。利用本发明所提供的射频电源系统可以在较短的时间内即可达到阻抗匹配。
-
-
公开(公告)号：CN105227154A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410245562.2
申请日：2014-06-04
发明人： 张璐
IPC分类号： H03H7/38
摘要： 本发明涉及一种阻抗匹配装置，其连接于电源和反应腔室之间，且包括匹配网络，匹配网络包括可变电容和第一可变电容单元，第一可变电容单元包括相互并联的多个支路，在每条支路上设置有固定电容和用于接通或断开该支路的通断开关；通过按预设规则选择性地开启所有支路中的至少一个支路上的所述通断开关，来调节第一可变电容单元的总容值。上述阻抗匹配装置可以快速调节第一可变电容单元的总容值，从而可以快速地调节电源的负载导纳的实部或虚部的大小，避免在反应腔室的导纳的实部或虚部变化速度较快，和/或，反应腔室的导纳的实部或虚部变化范围较大时产生失配。
-
公开(公告)号：CN105097397A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410218675.3
申请日：2014-05-22
发明人： 张璐
IPC分类号： H01J37/24 , H01J37/305 , H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种阻抗匹配装置及半导体加工设备，该阻抗匹配装置用于实现射频电源的特征阻抗和负载阻抗相匹配，包括匹配网络，匹配网络包括可调电容单元，其中，可调电容单元包括相互并联的至少两个可变电容；通过调整同一可调电容单元中所有的可变电容的电容值，来调整该可调电容单元的总电容值。本发明提供的阻抗匹配装置，其不仅可以减小阻抗匹配时间，从而可以提高匹配效率；而且可以减小驱动电机和可变电容的转动，从而可以提高阻抗匹配装置的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN104746033A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310745230.6
申请日：2013-12-30
发明人： 张璐
IPC分类号： C23C14/54
摘要： 本发明公开了一种ITO-PVD设备抽真空控制的方法及系统。其中该方法包括如下步骤：设置ITO-PVD设备中的传输腔室为系统干泵默认腔室，且不配置冷泵，对ITO工艺腔室配置冷泵；对所述默认腔室，当除所述默认腔室以外的其他腔室未占用所述系统干泵时，所述系统干泵持续对所述默认腔室进行抽真空；工艺加工过程中，当ITO-PVD设备中的腔室请求进行抽真空时，根据所述腔室配置冷泵的情况进行抽真空处理。其在保证设备工艺加工的真空度要求的同时，节省设备成本，且可有效避免硬件设备之间的冲突。
-
公开(公告)号：CN104425201A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310388807.2
申请日：2013-08-30
CPC分类号： H01J37/32183
摘要： 本发明提供阻抗匹配方法及阻抗匹配系统，阻抗匹配方法包括以下步骤：步骤S1，采集射频电源的输出信号，并根据输出信号判断射频电源输出的射频功率信号是否存在；步骤S2，对射频电源的输出阻抗和负载阻抗进行匹配；步骤S3，控制电机停止匹配工作且保持在当前匹配位置不变。本发明提供的阻抗匹配方法，其可以提高阻抗匹配的速率，从而可以避免在整个工艺过程中无法实现阻抗匹配。
-
公开(公告)号：CN104425201B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201310388807.2
申请日：2013-08-30
CPC分类号： H01J37/32183
摘要： 本发明提供阻抗匹配方法及阻抗匹配系统，阻抗匹配方法包括以下步骤：步骤S1，采集射频电源的输出信号，并根据输出信号判断射频电源输出的射频功率信号是否存在；步骤S2，对射频电源的输出阻抗和负载阻抗进行匹配；步骤S3，控制电机停止匹配工作且保持在当前匹配位置不变。本发明提供的阻抗匹配方法，其可以提高阻抗匹配的速率，从而可以避免在整个工艺过程中无法实现阻抗匹配。
-
-
公开(公告)号：CN106702335A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510779507.6
申请日：2015-11-13
发明人： 张璐
摘要： 本发明提供一种下电极及半导体加工设备，其包括用于承载晶片的基座、可变器件和偏压控制装置，该可变器件用于调节加载至基座上的直流偏压；偏压控制装置用于通过自动控制可变器件，而使加载在基座上的直流偏压值与预设的目标偏压值一致。本发明提供的下电极，其可以实现对基座的直流偏压的自动控制，从而不仅可以提高对工艺结果的可控性和一致性，而且还可以节省调节时间、简化操作。
-
公开(公告)号：CN104746033B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310745230.6
申请日：2013-12-30
发明人： 张璐
IPC分类号： C23C14/54
摘要： 本发明公开了一种ITO-PVD设备抽真空控制的方法及系统。其中该方法包括如下步骤：设置ITO-PVD设备中的传输腔室为系统干泵默认腔室，且不配置冷泵，对ITO工艺腔室配置冷泵；对所述默认腔室，当除所述默认腔室以外的其他腔室未占用所述系统干泵时，所述系统干泵持续对所述默认腔室进行抽真空；工艺加工过程中，当ITO-PVD设备中的腔室请求进行抽真空时，根据所述腔室配置冷泵的情况进行抽真空处理。其在保证设备工艺加工的真空度要求的同时，节省设备成本，且可有效避免硬件设备之间的冲突。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.06 秒)
